MOS管常見使用方法

2020-12-14 剎那芳華dream

1.物理特性

MOS管分為N溝道和P溝道的形式,N溝道和P溝道都有增強型和耗盡型兩種。耗盡型與增強型的主要區別在於耗盡型MOS管在G端（Gate）不加電壓時有導電溝道存在，而增強型MOS管只有在開啟後，才會出現導電溝道；兩者的控制方式也不一樣，耗盡型MOS管的VGS（柵極電壓）可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型MOS管必須使得VGS>VGS（th）（柵極閾值電壓）才行。這些特性使得耗盡型MOS管在實際應用中，當設備開機時可能會誤觸發MOS管，導致整機失效；不易被控制，使得其應用極少。

2.導通特性

如上圖所示，我們使用增強型MOS作為講解示例。當我們使用nmos時，只需要滿足Vgs>Vth時即可導通。Vth是mos管柵極閾值電壓，一般為3v。

當我們使用Pmos時，PMOS的特性是，VGS小於一定的值(3V以上)就會導通，適用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。

3.類型選擇

我們在使用MOS管時可以根據不同的需求來選擇不同型號的MOS管。如果我們需要使用MOS管承受大功率，那麼中低壓MOS管是我們最佳的選擇。如果我們想要使用MOS管代替三極體最為開關管，並且要求極高的相應速度，那麼高壓MOS管不失為明智的選擇。具體種類MOS管對應的特性如下表所示。

相關焦點

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    Gs極加電容，減慢mos管導通時間，有助於減小米勒振蕩。防止mos管燒毀。 比如一個mos最大電流100a，電池電壓96v，在開通過程中，有那麼一瞬間（剛進入米勒平臺時）mos發熱功率是P=V*I(此時電流已達最大，負載尚未跑起來，所有的功率都降落在MOS管上)，P=96*100=9600w！
  • 功率mos管為何會被燒毀?都進來看看!
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  • mos管導通壓降多大?
    打開APP mos管導通壓降多大？ 發表於 2017-11-26 08:34:37 　　mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導體（semiconductor）場效應電晶體，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導體。
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    1MOS的起源 MOS管的全稱是金屬-氧化物-半導體場效應電晶體。MOS管的發明最早可以追溯到19世紀30年代，由德國人提出了Lilienfeld場效應電晶體的概念，之後貝爾實驗室的肖特基發明者Shcokley等人也嘗試過研究發明場效應管，但是都失敗了。1949年Shcokley提出了注入少子的雙極性電晶體的概念。到了1960年，有人提出用二氧化矽改善雙極性電晶體的性能，就此MOS管來到了人世間。
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    MOS 管作為半導體領域最基礎的器件之一，無論是在 IC 設計裡，還是板級電路應用上，都十分廣泛，尤其在大功率半導體領域。然而大功率逆變器MOS管，工作的時候，發熱量非常大，如果MOS管散熱效果不好，溫度過高就可能導致MOS管的燒毀，進而可能導致整個電路板的損毀。
  • MOS管開關時的米勒效應--通俗易懂篇
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    打開APP 分享MOS管工作在安全區的方法 KIA半導體 發表於 2019-08-12 10:50:16 電子工程師最怕的是什麼
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