中國芯重大突破，7nm級別晶片流片成功，中國大陸自己製造的

先上一張當前幾大主流的晶片廠商的工藝流程圖，如圖所示，臺積電2020年實現了5nm，三星在2020年晚一些時候，應該也能實現5nm。

所以，這張圖的意思是告訴大家，當前只有兩大廠商，進入到了10nm以下，那就是臺積電、三星，而intel今年才進入到10nm。而中國大陸當前最好的成績是14nm，也沒有進入到10nm。

這中間也要注意的是，格芯、聯電在2017年之後，就基本停止對工藝製程的研發了，保持住在10nm以上的水平了。

可以說10nm工藝是一個分水嶺，誰能夠達到10nm或以下工藝，代表的就是最先進的工藝了，未來或許也就4家廠商有這個水平，臺積電、三星、intel、中芯。

不過近日，中國芯傳出一則好消息，那就是芯動科技表示，全球首款基於中芯 FinFET N+1先進工藝晶片流片成功。

這可以說是中國芯的一個重大突破了，因為這代表著中國大陸自己也能夠製造7nm級別的晶片，將技術突破到了10nm以下了。

為何這麼說，N+1工藝是在中芯當前14nm的基礎之上，性能提升20%，功耗降低57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

這個技術指標，與臺積電的7nm工藝是相差不大的，最多性能提升稍差了一點，但也可以視為7nm級別的晶片了，畢竟邏輯密度是最重要的一個指標。

要考慮到目前大陸在晶片的三大環節設計、製造、封測中，製造是最弱的，因為設計、封測都能達到5nm級別，而製造還只在14nm級別，所以將製造補上來是重中之重，所以從14nm直接跨入7nm級別，那必須是一個非常非常重大的突破了。

不過目前還只是流片成功，代表著有這個技術了，最終還要實現量產，才是真正的成功，但想來也不遠了，估計就在明年了。