重大突破 臺積電2nm製程要成了

2020-12-04 騰訊網

格芯推出7nm研發後，衝刺先進位程工藝爭奪主要由臺積電、Intel、三星中展開。

最新消息稱，臺積電2nm研發近日取得了重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術 (gate-all-around，簡稱 GAA)技術。

據悉，臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。

此前消息稱，臺積電預計明年上半年在南科18廠P4廠試產3nm製程，2022年量產。根據時間推斷，臺積電最快會在2023年推出2nm製程。

友商方面，三星近日重新修改晶片工藝路線圖，原定於2021年量產的三星4nm被跳過，將由5nm直接上升到3nm GAAFET，用於未來的市場競爭。

三星此前曾透露，3nm GAAFET相較於7nm FinFET，可以減少50%的能耗，增加30%的性能。

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  • 臺積電舉辦慶功宴:2nm製程取得重大突破
    【天極網IT新聞頻道】7月13日消息，臺積電作為全球最大的半導體供應商，憑藉領先技術優勢獲得了包括蘋果、華為、高通等大客戶。現在有臺灣媒體報導稱，臺積電在2nm研發有重大突破。   報導稱，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。
  • 臺積電2nm製程研發取得突破 將切入GAA技術
    據報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。三星已決定在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。
  • 國產晶片，即使追趕也要卯足全力，臺積電2nm製程重大突破
    據臺媒經濟日報透露，臺積電2nm製程研發獲重大突破。隨著臺積電在2nm新製程節點有重大突破，宣示臺積電將可延續摩爾定律發展，更確定未來朝1nm推進可能性大增，三星又被落在身後。臺積電向來不對訂單等動態置評，且迄今仍低調未對外透露2nm製程細節，僅表示2nm將是全新架構。
  • 臺積電2nm製程重大突破!GAA技術
    7月13日消息，據臺媒經濟日報報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around
  • 臺積電2nm取得重大突破！1nm指日可待？
    據臺灣經濟日報報導，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度比預期要快上許多。(圖片來源於網絡) 臺積電近年布局先進位程，2nm製程進度比預計超前取得重大突破也得意於此。有報導指出，臺積電已經在研究2024年的2nm iPhone處理器，並且已經開始研究2nm以下的節點。 如今2nm製程取得重大突破，利於臺積電在未來能夠取得蘋果等一眾企業的大單。 華為海思麒麟的晶片就由臺積電進行代工，但是由於美國對華為的禁令導致臺積電在9月中旬之後再也無法為華為進行代工，臺積電與華為結束了合作關係。
  • 臺積電2nm技術取得重大突破 預計2024年正式量產
    中國科技新聞網9月23日訊(孔辰) 9月23日，有臺媒報導稱，臺積電2nm製程研發獲重大突破。以目前的研發進度研判，預計臺積電將於2023年下半年可望進入風險性試產，2024年正式量產。有助於其未來持續拿下蘋果、輝達等大廠先進位程大單。
  • 臺積電突破2nm！三體宇宙的「技術爆炸」真實存在？
    中國科技新聞網9月23日訊，有臺媒報導稱，臺積電2nm製程研發獲重大突破。以目前的研發進度研判，預計臺積電將於2023年下半年可望進入風險性試產，2024年正式量產。2020年已進入5納米量產但三星5納米年初才首發，離量產還有很大差距，三星在14納米的良率比不上臺積電，在10納米的效能比不上臺積電，在7納米的研發製程比不上臺積電。目前臺積電是全世界唯一一個有能力量產5納米的代工廠。
  • SamtradeFX德興匯官方網站:臺積電2nm重大突破
    SamtradeFX德興匯官方網站報導，近年來臺積電在先進位程工藝的路上可謂是一騎絕塵，SamtradeFX德興匯官方網站指出擊敗了眾多代工廠，身價也是水漲船高。　　今年一季度臺積電就已經開始大規模投產5nm工藝，3nm也正在快馬加鞭地研發之中。臺積電錶示，將會在2021年開始量產3nm，並最終在2022年下半年實現規模量產。
  • 三星首次披露3nm量產時間之際，臺積電2nm傳出「重大突破」
    臺媒也於近期放出消息，臺積電的2nm工藝已取得重大突破，有望在2024年量產，該公司還將進行1nm工藝的研發，以延續摩爾定律。今年二季度，在全球晶圓代工領域，臺積電份額過半，而三星佔有率不到二成。二季度全球晶圓代工市場份額 數據來源：TrendForce 臺積電2nm「取得突破」當然，臺積電也不會「坐以待斃」。
  • 三星首次披露3nm量產時間之際,臺積電2nm傳出「重大突破」
    臺媒也於近期放出消息，臺積電的2nm工藝已取得重大突破，有望在2024年量產，該公司還將進行1nm工藝的研發，以延續摩爾定律。報導截圖三星首次披露3nm目標晶片製造領域的高投入和高風險，讓高端製程的玩家越來越少。
  • 臺積電傳來新消息,事關2nm製程晶片,美國工廠或成虛設?
    文章原創，請勿肆意抄襲、轉載、搬運臺積電對2nm很樂觀在工藝製程上，臺積電今年初成功量產5nm晶片。5nm是目前世界上最高的工藝製程，要知道我國自研生產的晶片製程才14nm，和5nm還有差距。但是臺積電傳來新消息，事關2nm製程晶片。據消息人士透露，臺積電對2nm工藝計劃在2023年下半年風險試產，對2024年的大規模投產很樂觀，預計風險試產的良品率不會低於90%。根據此前媒體透露的消息，臺積電2nm進展遠超預期，這次更是對2nm的大規模投產表示很樂觀。
  • 臺積電2nm技術重大突破，距離1nm工藝CPU還有多遠？
    據悉臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到供應鏈透露，有別於3nm和5nm採用鰭式場效應電晶體（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。
  • 臺媒:臺積電2nm製程獲重大突破
    據臺媒經濟日報透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。供應鏈透露，有別於3納米與5納米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，臺積電2納米改採全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，研發進度超前，業界看好2023年下半年風險性試產良率即可達九成，助攻未來持續拿下蘋果、英偉達等大廠先進位程大單，狠甩三星。
  • 2nm研發獲重大突破!臺積電將於2023-2024年切入GAA技術
    7月13日消息，據臺媒報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發上有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱 GAA)技術。此前三星曾表示將在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要在2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位。臺積電研發毫不鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入 GAA 路徑。這次臺積電能在2nm製程節點上有所突破，歸功於臺積電挽留了3年前即要退休的臺積電最資深副總經理羅唯仁。
  • 突破2nm!臺積電為何能給「摩爾定律」續命?
    同時，臺積電剛剛決定明年起大幅漲薪達20%，一方面為激勵員工，一方面為招攬人才、避免被其他對手高薪挖人，用真金白銀來留住那些願意繼續為造芯「爆肝」的工程師們。 在一片繁榮的商業前景之下，臺積電在更先進位程的技術布局上面也保持著領先。據臺灣媒體報導，近日臺積電在2nm工藝製程上取得了重大突破，研發進度超越預期，有望在2023年下半年，風險試產的良率可以達到90%。
  • 差距又大了，臺積電2nm製程獲重大突破
    據臺媒透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。有別於3納米與5納米採用鰭式場效電晶體（FinFET）架構，臺積電2納米改採全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構，研發進度超前，業界看好2023年下半年風險性試產良率即可達九成，助攻未來持續拿下蘋果、英偉達等大廠先進位程大單，狠甩三星。
  • 差距又大了,臺積電2nm製程獲重大突破
    據臺媒透露，臺積電2納米製程研發獲重大突破。半導體製程一路微縮，面臨物理極限，業界原憂心不利摩爾定律延續，也就是過往每18個月推進一個製程時代的腳步受阻，使得臺積電等半導體大廠先進位程發展受影響。三星預計年底才投入5納米製程，落後臺積。
  • 臺積電2nm製程取得巨大成功,將切入GAA技術
    追求先進位程一直是臺積電、三星等晶片廠商一直努力的方向。更先進的製程擁有密度更高的IC電路設計，意味著在同樣大小面積的IC中，可以擁有密度更高、功能更複雜的電路設計，也就能達到更高的性能。如今臺積電已經量產了7nm工藝並即將投產5nm。
  • 臺積電向2nm製程衝刺:已找到路徑
    7月13日消息，據臺灣媒體報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。
  • 臺積電2nm工藝重大突破
    據臺媒報導，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發進度超前，業界看好其2023年下半年風險試產良率就可以達到90%。供應鏈透露，有別於3nm和5nm採用鰭式場效應電晶體（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構。