臺積電2nm製程研發取得突破 將切入GAA技術

2020-12-03 太平洋電腦網

據報導，臺積電衝刺先進位程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。

三星已決定在3nm率先導入GAA技術，並宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯晶片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢鬆懈，積極投入2nm研發，並獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。

臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。

臺積電3nm製程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產，業界以此推斷，臺積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。

臺積電今年4月曾表示，3nm仍會沿用FinFET（鰭式場效應電晶體）技術，主要考慮是客戶在導入5nm製程後，採用同樣的設計即可導入3nm製程，可以持續帶給客戶有成本競爭力、效能表現佳的產品 。

臺積電成立於1987年，是全球最大的晶圓代工半導體製造廠，客戶包括蘋果、高通等等。其總部位於臺灣新竹的新竹科學工業園區。臺積電公司股票在臺灣證券交易所上市，股票代碼為2330，另有美國存託憑證在美國紐約證券交易所掛牌交易，股票代號為TSM。

【來源：Techweb】【作者：宋星】

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