近日，臺積電又有一個大動作了，根據臺灣經濟日報的消息源來看，臺積電在2nm的研究上取得了重大的成效，已經找到了路徑的結合點，在合成的時候可以利用GAA進行切入，實現電晶體搭配，這是臺積電又一個光榮的時刻，繼從鰭式場效應電晶體後又一個全新的突破。
雖然這一次臺積電率先研發出了2nm技術，但是他們將GAA搭配進去卻並不是先例。在兩年前的時候，有一家企業就已經實現了這一個突破，那就是三星集團。在3nm的時候，三星的負責人就當機立斷，由finfet轉向了GAA。經過一段時間的市場效應，發現確實GAA的效果要比FinFET更完善。
在數十年前，科學家提出晶片的極限將是35nm ，隨著科技的進步，近幾年來，9nm,7nm再到現在的2nm，說明了科技技術發展迅速。臺積電研製2nm無疑象徵著科技的突破性，因為此前很多人認為3nm就已經是極限了，晶片不可能還要比這個更薄了，不過臺積電推翻了這一個說法。臺積電的科技實力這麼強大，那為何在前面的時候沒有運用GAA呢，為何他們會落後三星一步。
其實在3nm的時候臺積電原本也是想要用GAA來代替FinFET的，但是在GAA的量產上需要一定的周期，而繼續使用FinFET可以在市場上搶先一步發行3nm技術，不僅在市場上的競爭力提高了，還能夠收穫更多的訂單。
除了上面這個因素以外，還有一點就是在資金上的考慮，雖然臺積電這幾年已經成為半導體的龍頭企業，不過並不代表著他們在GAA的研發上的資金到位，在研發上他們所花費的錢並不像華為這麼自由。
臺積電在三星發布了GAA的時候還認為技術不成熟，現在的市場不一定有那麼快需要這個新鮮事物的產生，果不其然，雖然當時三星在市場上的反響也不錯，但是和臺積電相比還是有一定的差距，即使臺積電運用的還是FINFETC技術，但是他們仍然受到很多客戶的歡迎。
臺積電錶示，雖然三星比他們更先使用GAA技術，但是卻並不具備競爭力，當臺積電2nm 在市場上問世之後，將會掀起一陣熱潮。除了在2nm上搭配GAA，他們在3nm，5nm的量產中也會嘗試搭配這一技術，爭取將創新進行到底。現在來看，三星想要超越臺積電看起來是沒用希望了，在3nm的時候都敗下陣來，現在臺積電的科技得到了創新，三星就更難以匹敵了。
看到臺積電再一次取得了突破，想必很多國內的網友也很羨慕吧，現在我國大多數使用的還是5nm晶片，在製造方面還有很大的不足，很多時候都需要依靠進口，但是大家也不要氣餒，隨著上海微電子的創建以及華卓精科的研發，在不久後我們國家也能夠自給自足，不再需要進口。