IGBT驅動電路的應用設計
隔離驅動產品大部分是使用光電耦合器來隔離輸入的驅動信號和被驅動的絕緣柵，採用厚膜或PCB工藝支撐，部分阻容元件由引腳接入。這種產品主要用於IGBT的驅動，因IGBT具有電流拖尾效應，所以光耦驅動器無一例外都是負壓關斷。下面我們就以M57962L來為基礎設計相關的驅動電路！
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201710/365262.htm下圖為M57962L驅動器的內部結構框圖，採用光耦實現電氣隔離，光耦是快速型的，適合高頻開關運行，光耦的原邊已串聯限流電阻（約185 Ω），可將5 V的電壓直接加到輸入側。它採用雙電源驅動結構，內部集成有2 500 V高隔離電壓的光耦合器和過電流保護電路、過電流保護輸出信號端子和與TTL電平相兼容的輸入接口，驅動電信號延遲最大為1.5us。
當單獨用M57962L來驅動IGBT時。有三點是應該考慮的。首先。驅動器的最大電流變化率應設置在最小的RG電阻的限制範圍內，因為對許多IGBT來講，使用的RG 偏大時，會增大td（on ）（導通延遲時間），t d（off）（截止延遲時間），tr（上升時間）和開關損耗，在高頻應用（超過5 kHz）時，這種損耗應儘量避免。另外。驅動器本身的損耗也必須考慮。
如果驅動器本身損耗過大，會引起驅動器過熱，致使其損壞。最後，當M57962L被用在驅動大容量的IGBT時，它的慢關斷將會增大損耗。引起這種現象的原因是通過IGBT的Gres（反向傳輸電容）流到M57962L柵極的電流不能被驅動器吸收。它的阻抗不是足夠低，這種慢關斷時間將變得更慢和要求更大的緩衝電容器應用M57962L設計的驅動電路如下圖。
電路說明：電源去耦電容C2 ～C7採用鋁電解電容器，容量為100 uF／50 V，R1阻值取1 kΩ，R2阻值取1.5kΩ，R3取5.1 kΩ，電源採用正負l5 V電源模塊分別接到M57962L的4腳與6腳，邏輯控制信號IN經l3腳輸入驅動器M57962L。雙向穩壓管Z1選擇為9.1 V，Z2為18V，Z3為30 V，防止IGBT的柵極、發射極擊穿而損壞驅動電路，二極體採用快恢復的FR107管。
多電路輸出的IGBT驅動設計
工作原理為：PWM控制晶片輸出的兩路反相PWM 信號經元件組成的功率放大電路放大之後，再經脈衝變壓器隔離耦合輸出4路驅動信號。4路驅動信號根據觸發相位分為相位相反的兩組。驅動信號1與驅動信號3同相位，驅動信號2與驅動信號４同相位。該電路採用脈衝變壓器實現了被控IGBT高電壓主迴路與控制迴路的可靠隔離，IGBT 的GE間的穩壓管用於防止幹擾產生過高的ＵＧＥ而損壞IGBT的控制極。與MOSFET一樣，負偏壓可以防止母線過高ｄｕ／ｄｔ造成門極誤導通。但只要控制好母線電壓瞬態過衝，可不需要IGBT的負偏壓。此電路中，脈衝變壓器次級接相應電路將驅動波形的負脈衝截去，大大減少了驅動電路的功耗。
由於IGBT的開關特性和安全工作區隨著柵極驅動電路的變化而變化，因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT驅動電路需要滿足以下要求：
1．提供一定的正向和反向驅動電壓，使IGBT能可靠地開通和關斷。
2．提供足夠大的瞬時驅動功率或瞬時驅動電流，使IGBT能及時迅速地建立柵控電場而導通。
3．具有儘可能小的輸入、輸出延遲時間，以提高工作頻率。
4．足夠高的輸入輸出電氣隔離性能，使信號電路與柵極驅動電路絕緣。
5．具有靈敏的過電流保護能力。
IGBT驅動電路設計的趨勢
集成化模塊構成的IGBT柵控電路因其性能可靠、使用方便，從而得到了普遍應用，也是驅動電路的發展方向。各大公司均有不同系列的IGBT驅動模塊，其基本功能類似，各項控制性能也在不斷提高。例如富士公司的EXB系列驅動模塊內部帶有光耦合器件和過電流保護電路，它的功能如下圖所示。
EXB系列驅動模塊與IGBT之間的外部接口電路如下圖所示。驅動信號經過外接電晶體的放大，由管腳14和管腳15輸入模塊。過電流保護信號由測量反映元件電流大小的通態電壓vCE 得出，再經過外接的光耦器件輸出，過電流時使IGBT立即關斷。二隻33uF的外接電容器用於吸收因電源接線所引起的供電電壓的變化。管腳1和管腳3的引線分別接到IGBT的發射極E和門極G，引線要儘量短，並且應採用絞合線，以減少對柵極信號得到幹擾。圖中D為快速恢復二極體。
由於IGBT在發生短路後是不允許過快地關斷，因為此時短路電流已相當大，如果立即過快關斷會造成很大的di/dt，這在線路分布電感的作用下會在IGBT上產生過高的衝擊電壓，極易損壞元件。所以在發生短路後，首先應通過減小柵極正偏置電壓，使短路電流得以抑制，接著再關斷IGBT，這就是所謂「慢關斷技術」，這一功能在某些公司生產的模塊中已有應用。