眾所周知，今年7月份的時候，網上傳出一則重大消息，那就是中科院發布了一篇文章《超解析度雷射光刻技術製備5納米間隙電極和陣列》，這篇文章介紹了中科院團隊研發的一種新型的5nm超高精度雷射光刻加工方法。
於是網友們沸騰了，把它與5nm光刻機聯繫起來，說中國有了5nm光刻技術，打破了ASML的封鎖，還有什麼彎道超車，不需要極紫外錢也能實現5nm等等。
但當時，中科院沒有對這些傳聞做太多的回應，但在近日，該項目的研發者之一，中科院研究員、博士生導師劉前面對媒體採訪時表示，這是一個誤讀，這一技術與極紫外光刻機技術是兩回事。
我們知道晶片的製造過程，是先通過雷射把晶片設計圖寫到光掩膜板上，再通過光刻機，把光掩膜板上的電路圖投射到塗有光刻膠的矽晶圓表面，形成電路圖。
每一顆晶片，都需要一套光掩膜板，可以說掩膜板就是光刻機在製造晶片時的母板，也是光刻工序前的一項工作，更是晶片製造過程中必不可少的一個的一個步驟。
而中科院研發的5nm超高精度雷射光刻加工方法，它的主要用途是製作光掩模。而EUV光刻機是設備本身製造出極紫光線，然後再利用極紫光線投射光掩膜板，進行光刻。
可以說兩種技術完全兩碼事，用途完全不一樣，類型也完全不一樣，兩者的關係是晶片製造過程中的前後工序，所以所謂的突破ASML的封鎖真的就是個誤會。
當然，目前國內製作的掩模版主要是中低端的，裝備材料和技術大多來自國外，而中科院的這一技術，有望提高國內的技術水平。
不過要注意的是，目前這項技術更多的還是處於理論上的，要實現真正的商用，還有很大一段距離，雖然意義非凡，但大家且慢激動，更不需要沸騰。