【探索真假：上海微電子是否研發出11nm光刻機？並無限接近ASML光刻機？】
因為華為這段時間被美國打壓的厲害，我們對於光刻機的期待值與日俱增。特別是我們被ASML的光刻機技術所壟斷，難以打破西方國家對於我國光刻機的束縛，可以說目前我國的光刻機技術就是處於一個相對比較發展緩慢的階段，和世界先進技術還是存在不小的差異。
我說一說這段時間我所接受的一些消息，和我所獲得的一些自媒體的內容：
1.第1個消息是我之前所看到的一則關於上海微電子即將推出22納米的光刻機。
2.第2個消息更是有板有眼，這個消息說上海微電子預計在2020年12月，可能下降首臺採用ArF光源的可生產11nm的SSA800/10W光刻機。並且提到如果採用華卓精科工作檯的套刻精度指標優於1.7納米，該光刻機有生產7納米製程的潛力（多次曝光）。
據說它的核心技術是浙江大學研發團隊啟爾機電推出了可用於最高11nm製程浸沒式光刻機的浸液系統。
為此我專門搜索了一下關於浙江大學11nm製程浸沒式光刻機的浸液系統。
我在啟爾機電官網並沒有找到相關新聞，倒是在杭州青山科技城管委會中，發現了一篇：【青山釀匠心 勞模展風採⑦ | 徐寧：助力「芯」製造】的文章，提到了這樣一段話：「我們現在還處於研發測試階段。」徐寧說，預計今年底，能夠向前邁進一個大臺階。
但是不是11nm製程浸沒式光刻機的浸液系統並不得而知，我們希望是真的！
其實，之前還有一則消息，上海微電子目前最新研發出的是28nm沒式光刻機，這個消息我覺得真實性更高一些。
確實，我們需要更為先進的光刻機，上海微電子確實在我國光刻機技術中獨佔鰲頭，但我覺得我們在期盼我國光刻機技術能有所進步的同時，不能夠試圖猜想一些所謂的事實，目前並沒有說上海微電子，光刻機技術達到了11納米製程，我個人認為我們需要等待最真實的官方消息，而不是肆意的猜測。
目前，我國光刻機技術確實受到了西方國家的一些技術方面的限制，我們只有突破它的限制，走一條非ASML的路，才有可能彎道超車，我們也相信國內的光刻機技術能夠突破這一點，但是，我們反對在沒有事實根據的前提下，隨意的猜想。