英特爾全新10納米SuperFin電晶體技術，Tiger Lake處理器將採用

2020-08-26 十輪網

13日，處理器龍頭英特爾（intel）在「架構日」正式發布與展示新型電晶體技術，這項定名為「SuperFin」的技術以10納米製程為基礎，預計能降低通孔電阻30%，以提高互聯性能。而接下來預計推出代號「Tiger Lake」的次世代處理器將會採用該技術，目前已出貨，預計2020年底前將能看到搭載「Tiger Lake」次世代處理器的終端設備。

近期，英特爾因為7納米製程延遲推出，在科技產業圈鬧得滿城風雨，也讓英特爾股價大跌，還使競爭對手得利。為了挽回頹勢，英特爾特別在定名為「架構日」當天宣布並展示六大創新發展，包括10納米SuperFin技術、Willow Cove微架構、針對行動客戶端的Tiger Lake系統單晶片架構的詳細信息、以及首次揭示了其完全可擴展的Xe繪圖架構等。英特爾指出，這些架構可滿足從消費端至高性能計算，再到遊戲用途的各個市場。英特爾將其解耦晶片設計方式、結合先進的封裝技術，XPU產品和以軟體為中心的策略，致力為客戶提供領先性能的全方位解決方案。

英特爾表示，在新宣布的10納米SuperFin技術，是經過多年來持續在FinFET電晶體技術方面精益求精的努力，使得英特爾重新定義該技術，以完成史上最大的單節點內技術升級，提供等同轉換至全新製程節點技術的性能改進。通過在10納米SuperFin技術將英特爾增強型FinFET電晶體與Super MIM電容器結合在一起，在SuperFin技術於源極／汲極提供增強的磊晶，以改進柵極製程和額外的柵極間距下，將實現更高的性能。

英特爾進一步指出，由英特爾首席架構師Raja Koduri、英特爾院士及架構師團隊開發的10納米SuperFin技術，有提升源極和汲極結構的磊晶生長特點，從而提升應力並減少電阻，允許更多電流通過。其次，改進柵極製程以驅動更高的信道遷移率，使電荷載子更快速移動。額外柵極間距選項，可為需要極致性能的特定晶片功能提供更高的驅動電流，且新型薄阻障層將通孔電阻降低30%，增強互聯性能。與業界標準相比，英特爾Super MIM電容相同的佔用面積，提供5倍的容值，降低電壓驟降情況，並顯著提高產品性能。此技術為新型Hi-K介電材料，材料堆棧厚度僅數埃（10的-10次方米）的超薄層，形成重複的「超晶格」結構，是業界首創的技術，領先其他製造商的現有製程能力。

英特爾最後表示，接下來代號為Tiger Lake的英特爾次世代筆記本處理器將以10納米SuperFin技術為基礎，而Tiger Lake目前正在生產，並出貨給預計年底節日季節推出OEM系統的客戶。

（首圖來源：英特爾）

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