三款電晶體載波振蕩電路詳解
2020-11-25 電子發燒友三款電晶體載波振蕩電路詳解
網絡整理 發表於 2020-04-02 11:32:00
電晶體載波振蕩電路（一）
電晶體載波振蕩電路，該振蕩電路設計在4.5kHz頻率上，可使用低頻電晶體，使用高頻電晶體對穩定度更有利。
電晶體載波振蕩電路（二）
LC與電晶體振蕩電路的輸出是發射機的載波信號源，要求它的振蕩十分穩定。一般使用晶振電路，其中Q值可達數萬，其頻率穩定度可達10-5～10-6。電路如圖5-1所示。在圖1-1中，晶振JT和C1、C2、C3、VT1構成電容三點式振蕩電路，振蕩頻率為3.579MHz。電路中的R1、R2、R3決定電晶體的靜態工作點，其中R1可以調整。
在對靜態工作點設置時，先設定集電極電流ICQ，一般ICQ取0.5～4mA，ICQ太大會引起輸出波形失真，產生高次諧波。設電晶體β=60，ICQ=2mA，UEQ=（1/2~1/3）Ucc，則可算出R1，R2，R3。如按下圖所示安裝電路，在調試中UBQ=8.3V，UEQ=7.7V。
電晶體載波振蕩電路（三）
所示為小功率發射機的電晶體振蕩電路。它是由載波振蕩器VT1和調製放大器VT2及電源供電電路等部分構成的。vri是載波振蕩電晶體，它的基極電路中接有LC並聯諧振電路，微調CT可以改變載波信號的頻率，振蕩信號由VT1的發射極輸出，經耦合電容器送往調製放大電晶體VT2的基極。
調製信號經電容器（4.7yF）、電阻器（4.7kfl）和耦合電容器（IOOpF）也加到調製放大電晶體VT2的基極。載波信號和調製信號在VT2中進行幅度調製（AM），然後由集電極輸出，從天線上將信號發射出去。
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