臺積電2nm晶片現重大突破！實力狂甩三星，有望在3年後推出

2020-09-23 路飛寫代碼

今年5月15日，美國商務部冒天下之大不韙再次對華為升級了打壓與制裁，導致華為在晶片代工領域面臨嚴峻的形勢，一直以來為華為高端晶片代工的臺積電也在9月14日之後停止了對華為晶片的一切代工，臺積電作為全球最先進的代工巨頭，其實力一直在業界保持領先，其納米製程工藝可以說一直在精進演化當中，雖然其中韓國三星晶片巨頭期間宣布在3nm領域實現突破，但是並沒有真正實現量產以前，這一切都僅僅停留在理論之上！

臺積電2nm製程晶片研發再現重大突破

近日，根據臺灣媒體的報導，如今臺積電在2nm晶片製程研發上的進度比預想的要超前很多，主要得益於臺積電在2nm晶片研發當中採用了全新的多橋通道場效電晶體架構，同時按照臺積電目前的進度看，臺積電非常有希望在2023年後半年就會攻克並實現2nm製程工藝的量產。

假若臺積電在2023年後半年能夠如期實現2nm製程工藝量產的話，其全球晶片代工巨頭的地位將會再次得以鞏固，更會幫助臺積電繼續擴大市場佔有率以及份額，臺積電的優勢進一步擴大，所以臺積電無論從技術實力和市佔率上都會狂甩三星。

從臺積電2nm製程工藝的研發進度不難看出，今年6月份臺積電創始人張忠謀曾對媒體放出狠話表示，中國晶片想要超越臺積電其實並不容易，甚至建議中國就是專心走晶片設計這條路就可以了，臺積電負責製造，這番言論也引來了極大的社會爭議，其中比亞迪創始人王傳福就直接回應稱「晶片是人造的，不是上帝造的」言外之意就是我們也可以在晶片製造領域實現突破！

掌握科技制高點，未來掌握主動權

其實臺積電早在2019年6月就宣布正式啟動了2nm工藝的研發，因為臺積電認為2nm工藝在整個晶片工藝當中有著至關重要的意義，Metal Track（金屬單元高度）和3nm工藝一樣都維持在5x，不過Gate Pitch（電晶體柵極間距）縮小至30nm，Metal Pitch縮小到20nm，都相比於3nm要小了大約23%左右。

此次臺積電在2nm工藝上放棄了原有的FinFET（鰭式場效電晶體架構），採用了MBCFET（多橋通道場效電晶體架構），從根本上解決了FinFET架構因為微縮導致的電流漏電等物理極限問題，同時臺積電並不面臨光刻機的限制，所以在EUV光刻機的微顯影技術的加持之下，也讓臺積電能夠在更多關鍵技術領域能夠有更多試錯的可能。

其實在電晶體技術發展到今天，業界一直奉行摩爾定律，每隔18~24個月，集成電路的電晶體元器件數量會翻一番，性能也會隨之翻一番，不過隨著元器件的堆積，硬體的物理極限也即將突破，摩爾定律其實如今已經放緩了，臺積電在2nm工藝上的技術突破，很有可能為摩爾定律繼續續命，毫不客氣的未來誰掌握了科技制高點，誰將掌握主動權，臺積電在晶片領域依舊將會是佔據主導權！

寫在最後：

雖然臺積電如今在2nm工藝實現了重大突破，但是對於國內半導體領域來說，也不能放棄希望，畢竟技術領域的突破，也並非都是按部就班的，甚至有可能我們在某個方面突破了瓶頸之後，直接進入2nm工藝時代也並不是不可能，所以包括華為在內的所有中國半導體企業都不要放棄希望，加油！

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