發表在最新一期的《科學》雜誌上的一篇重要論文提出了一種新方法,科學家們首次直接可視化並測量了難以捉摸的、稱為暗激子的粒子,這些粒子是無法用光看到的。
這一革命性的新方法有可能會徹底改變二維半導體和激子的研究,對未來的技術設備,從太陽能電池、LED、到智慧型手機和雷射器,都將產生深遠的影響。
激子是在半導體中發現的物質的興奮態,這是許多當前技術的關鍵組成部分。它們在半導體材料中的電子被光激發到更高的能量狀態時形成,並在電子先前所處的能級留下「空穴」。
衝繩科技大學研究生院飛秒光譜學部門負責人、論文資深作者Keshav Dani教授解釋說:「空穴是沒有電子的,因此帶給電子相反的電荷。」 「這些相反的電荷吸引,電子和空穴結合在一起形成激子,然後激子可以在整個材料中移動。」
在常規半導體中,激子在產生後不到十億分之一秒就消失了。而且,它們可能是「易碎的」,使它們難以研究和操作。
論文共同第一作者、OIST飛秒光譜技術朱利安·馬德奧博士說:「強大的激子使這些材料真正具有獨特而令人興奮的特性,因此全世界進行了大量的研究,旨在使用它們來製造新的光電器件單元。」 「但是目前,用於測量激子的標準實驗技術存在很大的局限性。」
該研究使用光的初始泵浦脈衝來激發電子並產生激子,隨後迅速發出第二個脈衝,該脈衝使用極紫外光子將激子中的電子從材料中踢出並進入電子顯微鏡的真空。然後,電子顯微鏡測量電子離開材料的能量和角度。
當前,研究人員使用光譜技術(本質上是測量半導體材料吸收,反射或發射的光的波長)來發現有關激子能態的信息。但是,光譜只能捕獲一小部分圖像。
科學家早就知道,只有一種類型的激子,稱為明亮激子,可以與光相互作用。但是也存在其他類型的激子,包括禁止動量的黑暗激子。在這種類型的暗激子中,電子與束縛的空穴具有不同的動量,從而阻止了它們吸收光。這也意味著暗激子中的電子與亮激子中的電子具有不同的動量。
Madéo博士說:「我們知道它們的存在,但我們無法直接看到它們,我們無法直接對其進行探測,因此我們不知道它們的重要性或對材料的光電性能有多大影響。」
在黑暗的激子上閃耀光芒
為了第一次可視化暗激子,科學家們修改了一種強大的技術,該技術以前主要用於研究單個未結合的電子。Dani教授說:「目前尚不清楚這種技術對激子是如何工作的,激子是複合物,其中的電子被束縛。科學界有很多理論上的討論,討論了這種方法的有效性。」
他們的方法提出,如果使用含有足夠高能量的光子的光束擊中半導體材料中的激子,則來自光子的能量會分裂激子並將電子踢出材料。通過測量電子從材料中飛出的方向,科學家們將能夠確定電子是激子的一部分時的初始動量。因此,科學家們不僅能夠看到明亮的激子,而且還能區分黑暗的激子。
但是實施這項新技術需要解決一些巨大的技術挑戰。科學家需要產生具有高能的極端紫外光子的光脈衝,該光子能夠將激子分裂並將電子踢出材料。然後,該儀器需要能夠測量這些電子的能量和角度。此外,由於激子壽命很短,該儀器必須在不到千分之一秒的時間範圍內工作。最後,該儀器還需要足夠高的空間解析度來測量2D半導體樣品,這些樣品通常僅以微米級尺寸提供。
研究人員發現,正如預測的那樣,半導體材料中同時存在亮和暗激子。但是令他們驚訝的是,科學家們還發現,暗激子佔主導地位,超過了亮激子。研究小組進一步觀察到,在某些條件下,隨著激發電子在整個材料中擴散並改變動量,激子可能在亮或暗之間移動。
Madéo博士說:「黑暗激子的優勢以及黑暗和明亮激子之間的相互作用表明,黑暗激子對這種新型半導體的影響甚至超過了預期。」
Dani教授總結說:「這項技術是真正的突破。它不僅提供了對暗激子的首次觀察並闡明了它們的特性,而且開創了對激子和其他激發粒子研究的新紀元。」
參考:Directly visualizing the momentum-forbidden dark excitons and their dynamics in atomically thin semiconductors.Science(2020).science.sciencemag.org/cgi/doi … 1126/science.aba1029