灰色天空 發表於 2012-10-22 16:10:25
上海,2012年10月22日 – 富士通半導體(上海)有限公司今日宣布,富士通半導體歐洲(FSEU)已經證明可以通過CEI-28G-VSR接口進行單信道大於100Gbps的數據傳輸,從而將光互聯論壇(OIF)定義的晶片間電接口數據傳輸速率提高到4倍。這項研究成果驗證了在利用為長距離光傳輸系統所開發的CMOS ADC/DAC轉換器技術後,短距離電信號傳輸所能達到的數據速率。這項研究的關鍵是比較PAM(脈衝幅度調製)與DMT(離散多音頻)這兩種多級調製技術在此特定信道的優劣。FSEU的實驗和演示基於 40nm CMOS工藝的65GSps ADC/DAC測試晶片和評估板 (「LEIA」DAC用於發送,「LUKE」ADC用於接收)。
富士通半導體使 OIF CEI-28G-VSR接口的數據傳輸速率提高到4倍
對於更高數據傳輸速率不斷增長的需求
數據中心內更高速和更高埠密度的互連對電路板間、背板間以及伺服器間的短距離電信號傳輸提出了更高的速率要求。然而,由於標準電路板材料所帶來的電信號傳播限制,即使是在很短的距離上,利用簡單調製實現30Gbps的互連也面臨根本性的挑戰。
在光傳輸網絡中,數據容量的增加要求提高核心網的傳輸容量,同時也推動了在對成本、功耗和靈活性更為敏感的城域網中實現更高傳輸速率的需求。在過去的幾年中,基於標準CMOS技術的高速ADC/DAC和數位訊號處理使相干檢測在核心網、長距離傳輸中得到廣泛應用,並且極大地提高了傳輸網絡的性能和靈活性。隨著市場的發展,在短距離城域網使用的數十公裡的光纖傳輸上,將有100Gbps(和更高)的傳輸速率需求。
多級調製支持更高的擴展性和靈活性
在以上兩種場景下,使用多級調製將會實現更高數據速率的傳輸。在短距離電互連的場景下,主要動機是提高數據容量。在短距離城域連接的場景下,主要動機是降低系統的總成本和總功耗。其關鍵技術是降低信號的帶寬(比如10G波特)和使用廉價的低頻光器件,但同時在每個符號上傳輸更多比特的信息,從而保證總的傳輸容量。
適用多級調製的潛在應用範圍非常廣泛;從晶片和模塊之間的幾釐米,到數據中心內的數百米,直至幾公裡。共同的主題是只要每Gbps的功耗足夠低,非二進位信號就可以提供更高的可擴展性和靈活性。
富士通是目前100G波分復用網絡的主要方案提供者,是推動100G網絡商用的重要力量。此次演示的成功,為將來晶片與晶片間的超短距超高速互連以及數據中心和城域網短距傳輸提供了可能的方案,為下一代高速通信ASIC晶片的實現打開了更大的想像空間。
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