狂購最先進EUV光刻機!臺積電今年營收將再創新高 5nm、7nm工藝賺大

2020-12-11 快科技

得益於先進的工藝，臺積電今年的營收又要創新高，即便是沒有了華為這樣的客戶，也絲毫不受影響。

臺積電昨日舉行南科3nm米晶圓廠上梁典禮，董事長劉德音透露，臺積電規劃的3nm廠廠房基地面積約為35公頃，當3nm進入量產時，當年產能預估將超過每月60萬片12寸晶圓。

劉德音還表示，臺積電營收去年已經連續 10 年創下紀錄，今年也將再刷新紀錄，南科營收 2019 年產值高達新臺幣 3,800 億元，佔臺積電營業額的37%，今年預估將突破新臺幣4400億元。

報告顯示，今年臺積電營收之所以猛增，主要還是跟5nm、7nm工藝有關，因為市場需求非常的高，特別是蘋果的訂單，完全供應不上。

為了保持領先，臺積電已經下單訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機，將會在2021年全年交付，不過具體的交付和安裝時間表尚不清楚。同時，明年臺積電實際需求的數量可能是高達16到17臺EUV光刻機。

目前，臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機在其N7+以及N5節點上製造晶片，但在未來幾個季度，該公司將增加N6（實際上將在2020年第四季度或2021年第一季度進入HVM）以及同樣具有EUV層的N5P工藝。

臺積電對EUV工具的需求正在增加是因為其技術越來越複雜，更多地方需要使用極紫外光刻工具處理。臺積電的N7+使用EUV來處理最多4層，以減少製造高度複雜的電路時多圖案技術的使用。

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    其實這其中的原因很簡單，因為臺積電5nm製程已經滿載了。臺積電5nm製程滿載我們都知道，目前市面上主流的晶片還是7nm，但是5nm代表的是未來2-3年的市場，臺積電和三星都在5nm訂單上較勁。不過就目前來說，不論是臺積電的5nm，還是三星的5nm，都面臨一個大問題，那就是產能不足。首先是臺積電。根據臺媒報導，臺積電5nm製程需求強勁，包括蘋果、AMD、比特大陸、賽靈思等都對臺積電青睞有加。目前蘋果公司的5nm晶片就是由臺積電獨家代工。
  • 2021年臺積電和三星需要多少臺ASML的EUV光刻機?
    2021年臺積電和三星將需要ASML供應多少臺EUV光刻機？臺灣和日本產業界分析人士分別給出了不同的答案。——臺灣專家：2021年底臺積電55臺，三星30臺2020年12月下旬，媒體報導臺積電2021年先進位程的產能已經被 「預訂一空」。
  • 三星臺積電EUV光刻機之戰推演:榨乾ASML未來5年產能!
    全文如下：最先進的EUV（極紫外線）光刻機始於1997年，其全面開發在20多年後的2018年第三季度。隨後，臺積電在2019年將EUV應用於7nm+工藝量產，2020年5nm的量產同樣採用了EUV技術。湯之上隆在2007年第一次參加國際光刻技術博覽會（SPIE）時，有一個演示文稿展示了開發EUV何其困難，如下圖所示。
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  • 沒有EUV光刻機也能生產7nm晶片,中芯梁孟松給出了明確答案
    即便是英特爾這樣的半導體巨頭，其也無法量產7nm晶片，這是因為英特爾選錯了路線，導致7nm晶片的量產時間多次延期。以至於，英特爾不得不將6nm、3nm等先進位程的晶片交給臺積電代工生產。據悉，7nm晶片之所以難以生產製造，一方面是技術原因，一方面是設備原因，如果採用DUV光刻機生產7nm的晶片，難度確實高，目前只有臺積電實現了。隨後，臺積電又推出了第二代7nm製程的晶片，採用的就是7nm EUV工藝。
  • 臺積電,買走大半光刻機!
    臺積電和三星兩大晶片代工廠隔空開「槓」，三星剛高調更新6nm、5nm工藝進展，臺積電就在當日傍晚立即跳出來宣布自己的6nm計劃。晶片製程的戰火，正從前兩年炙手可熱的10nm、7nm向更為領先的6、5、3nm蔓延。
  • 臺積電包攬全球50%光刻機,未來的高端晶片製造與大陸無關?
    這座研發中心將會擁有一條先進的生產線，同時配套以8000名工程師；為配合2nm工藝的研發，臺積電還被爆料一口氣購買了2臺光刻機。臺積電預測他們已安裝了全世界約50%的激活光刻機機器。據外媒的初步預計，公司2020年全年資本支出將進一步提升，達到160億美元左右。
  • 國產5nm刻蝕機過臺積電驗證!光刻機也要來了?
    編者獲悉，其採用的半導體刻蝕設備正是由國內中微半導體供應，自28nm製程時該公司就已經開始與臺積電密切合作，一直到今天的10nm和7nm，而如今該公司自主研發的5nm等離子體刻蝕機也通過了臺積電的層層審核與驗證，性能優良，將用於鋪設全球首條5nm製程生產線。
  • 為什麼說不存在5nm光刻機?
    最近光刻機十分火，我們經常聽到別人說7nm光刻機，5nm光刻機，但其實嚴格意義上來說，並不存在7nm光刻機，5nm光刻機，有的只是7nm工藝，5nm工藝。光刻質量，直接決定了晶片是否可用。在這裡，最核心的就是光源了，一切光刻機的核心零件就是圍繞光源來的，所以根據光源的改進，光刻機一共可以分為5代，分別是最早的436納米光刻機，然而第二代是365納米波長，第三代是248納米，第四代是193納米波長，第五代是13.5納米波長的EUV光刻機。
  • 國產7nm有信了 中芯國際不用EUV光刻機也能搞定
    國內最大的晶圓代工廠中芯國際在Q4季度中已經量產14nm工藝，貢獻了1%的營收，該工藝能夠滿足國內95%的晶片生產。中芯國際14nm工藝現在最重要的問題還是產能，主要是在上海的中芯南方12英寸晶圓廠生產，去年底也就生產了1000片晶圓左右，產量很低。根據中芯國際聯席CEO梁孟松的說法，14nm月產能將在今年3月達到4K，7月達到9K，12月達到15K。
  • 臺積電7nm工藝_7nm工藝意味著什麼
    不過FinFET工藝的極限是7nm製程，第一代的7nm工藝還將會繼續使用FinFET工藝，但是接下來就需要依賴極紫外光刻機了。 　　FinFET工藝的製造 　　前面提到的FinFET可以理解為立體的電晶體，傳統平面的電晶體所採用的是FD-SOI工藝。
  • 不用EUV光刻機就能量產「7納米」晶片?國內巨頭正式表態了
    例如，華為、高通、蘋果等廠商，目前能夠研發設計5nm等先進位程的晶片，而三星、臺積電等廠商能夠生產製造先進位程的晶片。尤其是晶片生產製造，其不僅是重資產企業，技術門檻還特別高，也就是因為如此，全球將近80%的晶片訂單都是由臺積電和三星生產製造的。
  • ASML雪中送炭,承諾繼續供貨,向中國展示7nm光刻機!
    和華為合作二十年之久的臺積電也是和華為分道揚鑣，無法繼續為華為提供晶片代工服務！作為全球綜合實力最強的晶片代工廠，臺積電也是掌握著業內最高端的5nm晶片製程，為蘋果A14、麒麟9000提供晶片代工服務，臺積電也是拿到了最先進的荷蘭ASML光刻機，在掌握5nm晶片製造技術之後，進一步和三星、intel等拉開差距。
  • 拿下多項5nm光刻技術,華為等也入場,國產5nm光刻機有戲?
    據悉，全球僅有臺積電、三星、英特爾以及中芯等少數企業能夠生產製造晶片，在這些廠商中，只有臺積電、三星等少數廠商能夠生產製造7nm以下的晶片。而7nm以下的晶片之所以難以生產，一方面是因為技術難度大，另外一方面是沒有EUV光刻機，後者更為重要一些。
  • 點燃5nm製程之戰:光刻機巨頭推出光檢測殺手鐧,產能有望提升六倍
    傳統的前道量檢測一般採用 多用光檢測 和 單子束相結合 的方式，但光檢測無法適用於7nm以下的先進位程，電子束檢測效率極其低。ASML近期推出多光束檢測方案，能夠同時產生、控制九道電子束，將產能提升600%，對先進位程的良率提升十分重要。
  • 阿斯麥1nm光刻機基本完成,臺積電、三星開啟晶片霸主之戰
    在5nm製程工藝大規模量產的當下，三星已經在市場無法超越臺積電，而三星也是將3nm的趕超壓在了大棋局上，不過今日有關媒體報導，臺積電3nm工藝工廠在上個月已經完工，並且將計劃在2021年進行風險試產，將會在2022年下半年實現大規模量產。
  • 臺積電已經向ASML下定了至少13臺EUV光刻機
    打開APP 臺積電已經向ASML下定了至少13臺EUV光刻機 芯智訊 發表於 2020-12-11 13:56:20 目前臺積電和三星的5nm工藝均已量產，前者代工的產品包括蘋果A14、蘋果M1、華為麒麟9000等，後者代工的晶片則包括三星自己的Exynos 1080以及傳言中的高通驍龍875等。
  • 口罩能換來EUV光刻機?美國:想法太傻太天真
    EUV光刻機是目前最高端的光刻機，全球僅有阿斯麥公司能生產，是晶片工藝邁入高階製程的必需的高精尖設備。沒有EUV光刻機，7nm、5nm乃至3nm等先進晶片製造工藝很難實現。正因為EUV光刻機如此重要，臺積電向阿斯麥訂購了15臺，佔其年產量的50%。
  • 3nm工藝2022年量產,效能提升15%!臺積電未來繼續引領2nm製程工藝風潮
    2019年，臺積電在7nm基礎上結合了EUV的技術，創造了一個新的工藝節點，叫6nm，是7nm工藝的延伸和擴展。6nm工藝也有EUV極紫外光刻技術，相比7nm+(N7+)增加了一個極紫外光刻層，同時相比7nm(N7)可將電晶體密度提升18%。到目前，臺積電7納米全球出貨超過10億顆晶片，應用領域包括CPU、GPU、通訊領域以及AI領域。
  • ASML 將於 2021 年推下一代 3nm EUV 光刻機
    IT之家2月19日消息  IT之家獲悉，ASML正在研發新一代EUV光刻機EXE:5000系列，最快會於2021年面世。據IT之家了解，現在ASML銷售的光刻機主要為NXE:3400B和改進型的NXE:3400C，結構上相似。