7nm工藝的晶片，可以說行業的分界點，因為在全球範圍內，目前只有兩家企業可以量產7nm以下製程的晶片，一家是臺積電，一家是三星。
即便是英特爾這樣的半導體巨頭，其也無法量產7nm晶片，這是因為英特爾選錯了路線，導致7nm晶片的量產時間多次延期。
以至於，英特爾不得不將6nm、3nm等先進位程的晶片交給臺積電代工生產。
據悉，7nm晶片之所以難以生產製造，一方面是技術原因，一方面是設備原因，如果採用DUV光刻機生產7nm的晶片，難度確實高，目前只有臺積電實現了。
隨後，臺積電又推出了第二代7nm製程的晶片，採用的就是7nm EUV工藝。
在國內廠商中，目前技術最先進的廠商就是中芯，其已經掌握了14nm的工藝，良品率也已經達到了業界標準水平。
另外，中芯已經開始規模生產N+1工藝的晶片，這種晶片相當於臺積電7nm製程的晶片。
因為N+1工藝的晶片與14nm的晶片相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。
也就是說，在功耗和邏輯面積方面，其完全符合7nm工藝晶片的標準，唯獨性能稍微差一點，因為業界7nm晶片的性能提升是35%，而N+1工藝的晶片僅提升了20%。
但現在要說的是，在沒有EUV光刻機的情況下，國內廠商中芯也能夠生產7nm的晶片，並且，中芯梁孟松已經給出了明確答案。
據悉，在中芯梁孟松的一份聲明中，其明確表示，從28nm進步到7nm，這5世代的進步，其它廠商都需要10年以上的時間。
但經過2000名工程師不停的努力，在短短幾年內就實現了。
另外，28nm、14nm、 12nm以及n+1等技術均已進入規模量產，7nm技術的開發也已經完成，明年4月就可以馬上進入風險量產。
也就是說，在沒有EUV光刻機的情況下，中芯也將在2021年4月份風險試產7nm製程的晶片，其將成為全球第二家採用DUV光刻機生產7nm晶片的廠商。
中芯在2021年量產7nm的晶片後，這對於國內半導體行業而言，將是一個巨大的跨域。
因為國內晶片需求，很多都是28nm或者14nm以上的晶片，而7nm等更先進位程的晶片，往往都是用在智慧型手機等設備上。
簡單說就是，只要國內廠商能夠生產製造7nm以上的晶片，產能跟上去，基本就實現了晶片自給，而華為面臨的問題，也將會大大地緩解。
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