大家都知道，在全球科技發展史中，我國一直都扮演著追隨者的角色，即便在科技強國的道理下，我國在通信、網際網路等層面的發展程度已經超過了歐美國家，但最為關鍵的晶片，我國企業依舊受限於人。要知道，晶片作為電子產品的核心零件部分，直接決定了產品的性能，所以在缺乏晶片技術的情況下，也使得我國龐大電子產業結構不可避免需要面臨風險。
在一般情況下，晶片當前普遍被應用在通信、航天、醫療等重要領域，由於做工和對精細度的要求較高，因此科研實力較為薄弱的公司，很難在晶片技術上實現突破。通常，晶片的生產包括了2大環節，一個是晶片架構的設計，另一個是製造，但限制我國晶片產業發展的並非是設計環節，而是製造。
目前，包括華為海思、紫光展銳都實現了獨立設計晶片架構，但是晶片製造環節，尤其是對工藝製程要求較高的晶片，卻一直都需要依賴於臺積電，畢竟從現階段來看，只有臺積電才能獲得荷蘭ASML公司的高端光刻機，要知道，光刻機作為晶片製造環節的核心部件，在缺乏了光刻機設備後，晶片也只能依附在圖紙上。
即便在去年，作為國內晶片代工巨頭的中芯國際，為了能夠實現7nm工藝製程，向荷蘭ASML公司訂購了一臺高端EUV，但是在美國的無端阻礙下，導致荷蘭ASML公司高端光刻機一直都未成功交付。好在國家和各行各業的重視下，中國晶片傳來捷報，國產光刻機打破技術封鎖，沒有ASML照樣獨立自主。
根據媒體在此前的報導，當前上海微電子成功打破技術封鎖，自主研發出28nm光刻機，預計在2021年交付首臺國產28nm光刻機。雖然在相比之下，當前國產光刻機的工藝製程與荷蘭ASML還有很大的差距，但這對於我國晶片發展產業而言，將會是一大重要的裡程碑。至少在28nm生產環節，我國可以實現獨立自主。
除了上海微電子之外，武漢光電研究中心的甘棕松團隊，採用二束雷射在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，採用遠場光學的辦法，光刻出最小9nm線寬的線段，實現了從超分辨成像到超衍射極限光刻製造的重大創新，若是將該技術使用到光刻機領域，必然在打破9nm工藝局限的同時，擁有智慧財產權。
實際上，除了在光刻機層面的技術突破外，近兩年來我國在晶片領域頻繁傳來捷報，比如中芯國際投產14nm工藝產線，華為海思實現7nm晶片框架設計等。當然，這一切耀眼成績背後，不僅僅只是為了避免卡脖子，更多的則是在當前美國對我國科技發展肆意打壓的背景下，我們必須掌握核心技術。