國產晶片的2個好消息:復旦教授突破關鍵技術,EUV光刻機也有新進展

2020-12-22 騰訊網

近段時間以來,包括我國的中科院,以及臺積電、ASML在內的各家科技企業及研究院,都致力於從新的角度來攻克半導體行業。前段時間,中科院宣布率先研發出8英寸碳基晶片,為國產晶片產業的「彎道超車」提供了新的可能性。

新型的碳基晶片相較於傳統的矽基晶片,具備更佳的穩定性,並且不需用到ASML最頂級的EUV光刻機便能生產。這個突破對於被卡在光刻機方面的我國來說,無異於是一個極好的消息。

當然,這層突破是基於對晶片本身的性能提升,提升晶片自身性能的方法不止這一個,近期,我國半導體領域又有好消息傳來,在提升晶片性能方面,我國又有新突破。

復旦大學教授突破關鍵技術

本月17日,復旦大學微電子學院傳來好消息,該校的周鵬教授研究團隊在3nm/5nm晶片的關鍵技術方面,已成功驗證了GAA(Gate All Around)電晶體技術。

目前在晶片行業,FinFET電晶體是主流,從20納米到7納米都採用的FinFET電晶體設計。但是到了3納米和5納米的晶片節點,FinFET電晶體已經難以為繼。因此GAA(Gate All Around)電晶體應運而生。

據了解,GAA(Gate All Around)技術相較於傳統的FinFET電晶體有很大的優勢,在提升性能的同時,還實現了高驅動電流和低洩漏電流的融合統一。被業界公認為取代FinFET電晶體的新一代晶片核心技術。

GAA電晶體研究雖然在國內屬於空白,但在世界範圍內已有先例,此前三星和臺積電便已掌握GAA電晶體技術,據說韓國三星已率先將GAA電晶體應用至3nm晶片的量產計劃中,最早會在2022年進行投產。

相對保守的臺積電在3nm工藝上,仍選擇採用傳統的FinFET電晶體,但下一代的2納米也會採用GAA電晶體。

EUV光刻機傳來新進展

今年我國的各大科技企業幾乎都埋頭於國產自主晶片的攻關,經過一年的打拼和沉澱,也終於在近段時間收穫好消息,除了復旦大學團隊在3nm-5nm關鍵技術上的突破,我國的晶片代工巨頭中芯國際也有好消息傳來。

中芯國際聯合執行長梁孟松透露,中芯國際也加了3納米和5納米晶片的競爭行列,目前對3nm和5nm最關鍵最艱難的八大技術展開了攻關,只待ASML的EUV光刻機到貨,就能進入全面開發階段。

2018年中芯國際曾斥資1.2億美元從ASML訂購了一臺EUV極紫外光刻機,但是至今沒有到貨。

好在如今也有了新進展。中芯國際最近聘請臺積電「元老」蔣尚義擔任副董事長兼執行董事。在蔣尚義的幫助下,中芯國際將與ASML重新談判EUV光刻機的供貨問題,不會放棄對EUV光刻機的追求。

此外中國近日也與荷蘭舉行了經貿合作會議,中國方面明確要求荷蘭EUV光刻機等問題上秉持公平立場。假如談判成功,中芯國際順利獲得EUV光刻機,再加上復旦大學團隊在3nm-5nm晶片關鍵技術上的突破,我國便能在3nm晶片的國產化方面取得極大的推進。

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