半導體關鍵材料新突破:用於7nm晶片光刻膠通過驗證

2020-12-22 林鹿拾光

經歷華為事件,我們知道了高端光刻機對於半導體行業的重要性。但重要的不僅是作為加工設備的光刻機,原材料同樣重要。目睹了2019年日本限制對韓出口三種關鍵的半導體材料,對整個韓國半導體行業造成重大打擊,這也讓我們認識到了關鍵材料必須自給自足的重要性。日本限制出口韓國的三種半導體材料為氟聚醯亞胺、光刻膠和高純度氟化氫。其中,光刻膠是半導體製造中的核心材料。

12月17日,南大光電公告披露,其控股子公司寧波南大光電材料有限公司自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶使用認證,可用於90nm-14nm甚至7nm技術節點。公告中寫道:本次產品的認證通過,標誌著『ArF光刻膠產品開發和產業化』項目取得關鍵性的突破,成為國內通過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠,為全面完成項目目標奠定堅實的基礎。並且,該公司的ArF光刻膠生產線已建成,可根據客戶需要量產。

未雨綢繆,才能做到」手中有糧,心中不慌「。

中國本土半導體企業經過多年不懈努力,即將進入產能擴張期。未來幾年,中芯國際、長江存儲、紫光展銳、華虹半導體、華力微電子、武漢新芯、長鑫存儲等晶圓廠不斷擴產,高端光刻膠需求勢必大增,而尋求國產替代,將是半導體獨立自主的重要一步。

光刻膠是光刻工藝得以實現選擇性刻蝕的關鍵材料,半導體光刻膠是光刻膠產品系列中技術難度最高的,也是國產與國際先進水平差距最大的一類。

大陸半導體光刻膠僅佔光刻膠市場的 2%

「ArF光刻膠產品開發和產業化」是南大光電承接國家重點攻關項目,是2006年《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》中提出《極大規模集成電路製造技術及成套工藝》項目中的重中之重。

南大光電從2017年為此項目總投資額為6.6億元,其中國撥資金1.9億元,地方配套資金1.97億元,使用上市時的超額募集資金1.5億元和自籌資金。而最近三年,南大光電淨利潤增速劇降,2019年扣除非經常性損益後的淨利潤僅為上市前的五分之一。

這才是真正有擔當的企業,雖然自身處於困境,依然不放鬆為研發投入資金,為國家研發出需要的技術。真正的民族企業,並不是什麼行業賺錢就做什麼行業,而是國家需要你往哪個方向衝鋒,你就義無反顧地衝在最前線。

目前,中科院這樣的「國家隊」已經入局光刻機研發領域,中芯國際也在不斷改進光刻工藝,7nm製程的晶片將於2021年4月風險量產,而此次高端光刻膠的成功驗證,可見中國在半導體晶片領域的布局已經初見規模,未來必將能與傳統半導體強國同臺競技。

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