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光刻膠發展史
以半導體材料中技術難度最大的光刻膠為例， i 線/g 線光刻膠的產業化始於 上世紀 70 年代，KrF 光刻膠的產業化也早在上世紀 80 年代就由 IBM 完成，而我國光刻膠企業目前僅北京科 華微電子實現了 KrF 光刻膠的量產供貨，光刻膠行業與海外最先進水平有近 40 年的差距，不可謂不大。
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中信建投證券:光刻膠產業鏈國產化大勢所趨、任重道遠
標的梳理我們對國內光刻膠產業鏈相關上市及非上市標的進行了詳細梳理，相應表格及公司詳情見報告正文。半導體、面板各10+億美金市場，ArF、彩色光刻膠市佔最高半導體光刻膠：各品類均具空間，ArF市佔最高，EUV增速最快根據富士經濟調查報告，2018年全球半導體光刻膠市場規模約13億美元，其中ArF（幹/溼）膠市場規模最大
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半導體材料行業專題報告:光刻膠,高精度光刻關鍵材料
2015 年中國光 刻膠行業前五大外資廠商市佔率達 89.7%，分別為臺灣長興化學、日立化成、日本旭化成、美國杜邦、臺灣長 春化工。相較之下，中國企業份額不足 10%，半導體光刻膠和 LCD 光刻膠都嚴重依賴進口。雖然目前光刻膠的 國產化正在加速，但半導體和 LCD 高端光刻膠與國外有較大差距。並且，國產光刻膠很多原材料也依賴於進口。
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光刻膠行業專題報告:電子產業的生長激素 - 未來智庫
在此系列報告中，我們主要選取了 部分在電子元器件製造中重要性高、行業空間大、技術難度高、進口替代已取得實質性進展的電子化工 材料進行深入研究。本篇報告是《電子化工材料進口替代實質性突破系列專題報告》的第二篇，深入研究半導體製造技術難 度最高的材料——光刻膠。
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中國終於打破日本在光刻膠的壟斷地位
廣泛應用於高端晶片制 造（如邏輯晶片、 AI 晶片、5G 晶片、大容量存儲器和雲計算晶片等）。 ArF 光刻膠的市場前景好於預期。隨著國內 IC 行業的快速發展，自主創新和國產化步伐的加快，以及先進位程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。本次通過客戶認證的產業化意義大。
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超淨高純試劑和光刻膠配套試劑國產頭部企業:江化微
光刻是集成電路微細加工過程中的最為關鍵的工藝，光刻分為塗膠、前烘、曝光、顯影、堅膜、蝕刻、去膠等七個工藝步驟。超淨高純試劑主要用於蝕刻工藝，而光刻膠配套試劑主要包括稀釋劑、顯影液、漂洗液、剝離液等，與光刻膠配套使用。
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可用於7nm晶片光刻膠通過客戶驗證,南大光電巨量收漲8%
觀察者網·大橘財經訊（文/呂棟 編輯/尹哲）在集成電路製造領域，光刻機被稱為是推動製程技術進步的「引擎」，而光刻膠就是「燃料」。未來幾年，隨著中芯國際、長江存儲、長鑫存儲等晶圓廠進入產能擴張期，高端光刻膠的國產化替代迎來重要窗口。
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揭秘晶片製造關鍵一環,百億美元市場的光刻膠產業【附下載】| 智...
綜合來說， 幹膜操作簡單，設備投入小，門檻低； 溼膜成本低，設備投入大，特性好，適合實力強的公司和高難度 PCB 加工。 而光成像阻焊油墨的作用是形成線路的永久保護層， 防止焊錫搭線造成短路，保證印製電路板在製作、運輸、貯存、使用上的安全性和電性能不變性。PCB 光刻膠主要用於中低端產品，技術壁壘相對較低。 PCB 市場競爭激烈，屬於勞動密集型產業，毛利率並不高。
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半導體材料大突破!首隻國產ArF光刻膠通過驗證
半導體材料大突破！首隻國產ArF光刻膠通過驗證南大光電公告，公司控股子公司寧波南大光電自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶的使用認證，這標誌著「ArF光刻膠產品開發和產業化」項目取得了關鍵性的突破，成為國內通過產品驗證的第一隻國產ArF光刻膠。
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半導體關鍵材料新突破:用於7nm晶片光刻膠通過驗證
日本限制出口韓國的三種半導體材料為氟聚醯亞胺、光刻膠和高純度氟化氫。其中，光刻膠是半導體製造中的核心材料。12月17日，南大光電公告披露，其控股子公司寧波南大光電材料有限公司自主研發的ArF光刻膠產品近日成功通過客戶使用認證，可用於90nm-14nm甚至7nm技術節點。
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光刻膠是極紫外光刻機突破3納米的最大絆腳石,需開發全新材料
在 248nm 和 193nm 的光刻中，主流有超過 20 年之久都是使用有機化學放大光刻膠 CAR，這是一種用來製作圖案成形的光敏聚合物。在 EUV 技術下，光子撞擊 CAR 光刻膠並產生光酸，之後 CAR 光刻膠在曝光後的過程中進行光酸催化反應，進而產生光刻圖案。
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【研報】半導體的核心互補品,光刻膠迎來強烈跟漲效應
介於高校和企業之間，幾乎每個實驗室都會有大量的基礎研究設備。座談會也將基礎科學領域研究以及核心技術攻關納入了"十四五"的重點規劃。特別是第三代半導體的研究是要制定到十四五規劃中的，所以相關公司在年底前是有預期的。同時，美國對華為新禁令將於9月15日正式生效，華為恐面臨全面斷供。
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2022年光刻膠市場將超百億美元 這些上市公司或將受益
根據富士經濟數據，光刻膠主要使用的溶劑為丙二醇甲醚醋酸酯（PMA），佔光刻膠含量約為80%-90%。主要成分包括樹脂、單體、光引發劑及添加助劑四類，其中，樹脂含量約佔主要成分的50%~60%，單體含量約佔35%~45%。
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國產晶片界再次「破冰」,193nm光刻膠技術,打破美國、日本壟斷
一、193nm ArF光刻機、193nm光刻膠、7nm晶片我們經常說多少納米的晶片，指的晶片內部電晶體的密集程度，實際上這些電晶體一般都是幾十納米大，但是他們一層層疊著，就很密集，比如70nm線寬的空間內有10個幾十納米的電晶體，這就是所謂的7nm晶片；193nm
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OLED+集成電路+高送轉10轉9 PCB半導體光刻膠世界級龍頭股!
新媒股份($新媒股份)章建平買1290萬，三鑫醫療($三鑫醫療)小鱷魚買1575萬，興瑞科技歡樂海買1195萬，c$迪生力二板，孫煜買1985萬，博通集成($博通集成)一遊資爆買9822萬，豬肉榮買1421萬，迪生力($迪生力)二線遊資買1022萬，$亞光科技佛山幫買2924萬，深南哥買2197萬；加上章建平還持有拉卡拉，雖然資金不多，但是大遊資中，章建平、孫煜、歡樂海、佛山無影腳以及榮超都加入到次新高送轉股的博弈中
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強力新材:公司主要專業從事電子材料領域各類光刻膠專用電子化學品...
同花順（300033）金融研究中心12月16日訊，有投資者向強力新材（300429）提問， 公司有做高端的光刻膠材料麼？公司有向那些國際廠商供貨？ 公司回答表示，公司主要專業從事電子材料領域各類光刻膠專用電子化學品（分為光引發劑、樹脂）的研發、生產和銷售及相關貿易業務，感謝您對公司的關注。
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光刻作為製造半導體微圖形工藝核心,國產光刻膠發展現新機?
其中，光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。目前，日本和美國光刻膠巨頭完全主導了高端光刻膠市場。2019 年 7 月的日韓貿易摩擦中，日本通過限制對韓出口光刻膠，引發韓國半導體產業鏈震蕩。中美貿易摩擦大背景下，光刻膠也成為深刻影響中國半導體產業鏈安全的關鍵材料。
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半導體光刻與刻蝕材料、設備與技術論壇即將召開!
光刻是晶圓製造的核心工藝。半導體用光刻機、光刻膠、光掩膜等的市場分別被國外龍頭企業如ASML、Canon、信越化學、JSR、住友化學、Fujifilm等企業所主導。目前中國半導體光刻產業鏈基礎薄弱，市場潛力巨大，發展空間廣闊。 刻蝕分為溼法和幹法。溼法化學刻蝕較為適用於多晶矽、氧化物、氮化物、金屬和III-V族化合物的表面刻蝕；幹法刻蝕法包括等離子體刻蝕、反應離子刻蝕、濺射刻蝕、磁增強反應離子刻蝕、反應離子束刻蝕、高密度等離子體刻蝕等。目前中國刻蝕設備與刻蝕工藝，已經具備世界級的市場競爭力。
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西湖大學開啟「冰刻2.0」 研發用冰替代光刻膠
在這一過程中，光刻膠為非常關鍵的材料。而仇旻團隊所做的就是把光刻膠替換成冰，改稱之為「冰膠」，並將使用「冰膠」替代光刻膠完成微納加工的電子束光刻工藝改稱為「冰刻」。據仇旻介紹，目前除他和他的學生，全球同在研究此技術的僅有丹麥另一個實驗室團隊。冰刻2.0 一站式、自動化微納加工系統從2012年到2018年，仇旻團隊用6年時間證實「冰刻」方案行得通。
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光刻膠概念發力拉升 捷捷微電高盟新材等大漲
來源：證券時報網光刻膠概念23日盤中發力拉升，截至發稿，捷捷微電大漲逾17%，高盟新材漲繼14%，格林達漲停，新萊應材漲近9%，飛凱材料、揚帆新材漲幅超7%。《指導意見》提出，要加大5G建設投資；加快關鍵晶片等核心技術攻關，大力推動重點工程和重大項目建設；加快在光刻膠、高純靶材等領域實現突破；實施新材料創新發展行動計劃，提升稀土等特色資源在開採、冶煉、深加工等環節的技術水平，加快拓展石墨烯、納米材料等在光電子、航空裝備、新能源、生物醫藥等領域的應用等。