三星3納米製程領先臺積電?臺灣專家表示不屑

2020-12-14 和訊科技

C114訊 8月14日消息(南山)據臺灣媒體報導,三星展示了「環繞閘極」(GAA)製程技術,號稱3納米領先臺積電一年。這到底是不是真的?

臺灣知產力專家社群創辦人曲建仲介紹,場效電晶體(FET)是最基本的電子元件,電子流入再流出,由一個閘極開關控制電子導通代表1或不導通代表0,科學家將它製作在矽晶圓上,是數位訊號的最小單位,一個FET代表一個0或一個1,就是電腦裡的一個位數。

「製程節點」代表閘極的「平均長度」,會隨製程技術的進步而變小,當縮小到14納米以下遇到問題,因此發明了「鰭式場效電晶體(FinFET)」,但是5納米以下又遇到問題,才出現「環繞閘極場效電晶體」。

曲建仲指出,GAA的原理很簡單,就是增加閘極與電子通道的接觸面積,可以增加控制效果減少漏電流。除了三星,各家晶圓廠早就在發展GAA,只是結構稍有不同,因為測試效果沒有比FinFET好,良率又低,因此沒有拿這個專有名詞來「唬人」而已。

曲建仲強調,三星展出的「水平式」GAA和FinFET性能差異不大,這次三星講GAA只是用專有名詞來唬外行人,報導說三星想用GAA在3納米彎道超車臺積電,「只能說不是想像力太豐富,就是三星的營銷比較厲害」。

(責任編輯:王榮智 )

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