尋求差異化突破,恆爍半導體50nm NOR Flash晶片正式面世!

2020-12-09 集微網

集微網消息,作為國之重器,存儲器承擔著儘早實現國產替代的重任。在眾多半導體存儲器中,市場規模最大的是DRAM和NAND Flash,兩者合計佔比達到98%左右。而NOR Flash的市場規模曾一度隨著功能手機的消亡而逐漸降低,佔比不足1%。但值得一提的是,近年來隨著IoT、5G、TWS、AMOLED等下遊市場的持續推動,NOR Flash的市場空間正逐漸恢復,並再次獲得業內廠商的重視。

NOR Flash市場的復甦無疑為國內IC廠商帶來了新的希望,其中在這一領域布局多年的合肥恆爍半導體便緊抓市場機遇,並於近日推出第一款面向物聯網應用的50nm 128Mb高速低功耗NOR Flash存儲晶片,晶片尺寸為業界最小,具有很強的成本和性能優勢,力爭在該市場中站穩腳跟,迎接IoT時代的真正爆發。

IoT推動NOR Flash需求激增

要重振NOR Flash市場,就必須有新興應用的驅動和刺激,而物聯網(IoT)恰逢其時!

根據前瞻產業研究院發布《2019年物聯網行業市場研究報告》報告顯示,2019-2022年中國物聯網市場複合增長率為9%左右;預計到2022年,中國物聯網產業規模將超過2萬億元;預計到2022年,中國物聯網連接規模將達70億元。

隨著技術的進步,將常見的設備接入網際網路早已成為主流趨勢。無論是傳統家電如冰箱、空調、洗衣機、電視、電飯煲等,還是新興的設備如掃地機器人、藍牙音箱等,或是戶外常見的各種智能設備,都將成為NOR Flash下遊應用場景。雖然任何一個領域單獨的市場空間都不大,但將各種細分品類相加後便構成了一個潛力巨大的市場。

在IoT時代,連接將變得更加頻繁,客戶對於功耗及成本要求越來越高。作為當下最主要的非易失快閃記憶體技術之一,NOR Flash雖然已經有近30年歷史,但其仍是指令等存儲的不二之選,具有巨大的發展潛力。

與手機、計算機等設備相比,一般的物聯網模塊的系統更簡單,處理數據更少,對存儲空間要求較少,一般在幾兆至幾百兆之間。此時,採用NOR Flash替代DRAM與NAND Flash是最優的選擇,得益於晶片內執行的特點,處理器可直接從NOR Flash裡調用系統代碼並運行,同時滿足存儲與運行內存的要求。

受益於IoT市場的爆發,從2019年下半年開始,NOR Flash的需求量暴增,甚至一度出現缺貨局面。在此背景和趨勢下,恆爍半導體基於公司在65nm NOR Flash系列產品開發過程中積累了大量的經驗與技術,順勢而為提出並立項了研發更為先進的 50nm NOR Flash系列產品。

從產品差異化路線出發尋求破局

據集微網了解,恆爍50nm NOR Flash項目的產品採用目前業界最先進/尺寸最小的50nm NOR Flash工藝,具有晶片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特點。而該產品的創新點主要體現在尺寸和功耗兩個方面。

從尺寸上來看,由於恆爍NOR Flash存儲晶片採用新的50nm工藝技術,在優化模擬模塊設計和電路布局的同時,使得晶片的單位存儲單元面積更小;此外在功耗方面,恆爍針對電路設計上的優化,使得其研發的NOR Flash晶片具有更低的功耗,以及更快的速度。

實際上從目前來看,行業內主流NOR Flash產品的工藝節點仍為65nm,而在2019年,華邦推出了58nm系列產品,旺宏與兆易創新推出了55nm系列產品。因此,恆爍半導體基於未來5年IoT市場對於NOR Flash激增的市場需求,研發出更為先進技術工藝節點的50nm系列產品,從產品差異化路線出發,搶佔更多市場份額。

為更好地滿足IoT市場需求,恆爍50nm NOR Flash產品主要從三個方面進行了優化:首先,眾多TWS模塊和可穿戴產品由於面積小、厚度薄的特點,需要1.5x1.5mm DFN小型封裝或需要採用多晶片疊封形式,這便要求NOR Flash的尺寸儘量要小,目前主流的NOR Flash都是採用65nm製程,而採用更先進的50nm製程可減少20%-30%的晶片尺寸,從而解決晶片尺寸過大的難題;其次,大部分IoT應用具備使用時間長和待機時間長的特點,因此迫切需要低功耗的NOR Flash;最後,常規的NOR Flash通常有3.3V和1.8V這兩種電壓等級,而電池供電的終端設備需要在電池電力下降的時候仍然可以工作,這便催生出對1.6V-3.3V寬電壓NOR Flash的需求。

目前,恆爍團隊第一款50nm 128Mb NOR Flash晶片已在武漢新芯(XMC)實現量產,預計今年第二季開始接受客戶訂單。恆爍正在努力研發50nm 其他容量的產品,力爭2021完成全部50nm產品優化和產品定型,實現高速、低功耗全系列產品量產,全面替代65nm產品。

緊抓國產替代機遇覓得發展契機

前些年,由於存儲市場價格走低,國際大廠如美光科技和賽普拉斯等逐步淡出NOR Flash市場,或轉向高容量領域,這為國內企業提供了迅速搶佔市場的機遇,並為國產替代創造了難得的環境。而最近兩年,全球存儲器市場火爆異常,漲價、缺貨潮不斷蔓延,這些也為中國本土存儲器晶片廠商提供了難得的發展契機。

而合肥恆爍半導體便誕生於存儲晶片國產替代的浪潮中。據了解,公司2015年成立於安徽合肥,致力於設計、研發和生產銷售先進半導體NOR快閃記憶體晶片、嵌入式快閃記憶體晶片和基於快閃記憶體技術開發的存算一體人工智慧AI晶片的IC設計公司。

恆爍半導體下設兩個產品事業部:NOR Flash快閃記憶體事業部和存算一體AI事業部。其中NOR Flash快閃記憶體事業部僅用一年時間即完成第一款NOR Flash的設計研發和流片,2016年開始量產銷售,向全球客戶提供通用SPI接口的NOR Flash。

截至目前,恆爍65nm NOR Flash實現全系列產品量產,晶片累計出貨量已超過10億顆,被廣泛應用於包括消費類電子(可穿戴設備、智能音箱、電子玩具、數位相機、機頂盒和家用電器等)、電腦、手機、安防監控、物聯網IoT、人工智慧AI、泛在電力物聯網、汽車電子和工業控制等行業。

對於一家晶片企業而言,優秀的創業團隊無異於奠定了公司的成功基礎。而恆爍能在短短5年時間內取得這般成績也得益於其擁有一個優秀的核心團隊。據了解,恆爍的核心團隊來自美國矽谷和國內存儲器頂尖企業,具有多年快閃記憶體晶片的管理、設計、製造、市場和銷售經驗。與此同時,公司的創業團隊此前擁有一次極為成功的創業經驗,2007年創辦的隆智半導體於2012年被美國公司成功收購,從而也積累了豐富的研發經驗和產業資源。

從恆爍全球布局來看,目前公司在合肥和上海設有研發中心,在深圳、香港和臺灣設有銷售中心,與中國科大、科學院大學合作成立了存算一體AI聯合實驗室,並與中國科大、南方科大合作成立了存儲器研發聯合實驗室。值得一提的是,從2017年到2019年,公司已連續三年產值超過億元,並實現盈利。恆爍從小容量到大容量產品齊全兼顧高速和低功耗不同市場要求產品品質得到用戶廣泛認可,正處在業績爆發式增長的高速發展階段。

(校對/範蓉)

相關焦點

  • 聚焦NOR Flash晶片研發,「恆爍半導體」推出50nm高速低功耗產品
    恆爍半導體成立於2015年,是一家致力於設計、研發和生產銷售先進半導體晶片、嵌入式快閃記憶體器和基於快閃記憶體技術存算一體AI晶片的IC設計高新技術企業。公司主要產品包括SPI NOR Flash,MCU,SPI NAND Flash等,其中,NOR Flash主要應用於可穿戴設備、智能音響、安防監控、物聯網IoT、泛在電力物聯網、汽車電子、消費電子及工業等領域,歷史累計出貨量超10億顆。
  • 武漢新芯50納米SPI NOR Flash全線量產
    日前,紫光集團旗下武漢新芯集成電路製造有限公司(以下簡稱「武漢新芯」)在其官方新聞中表示,自主研發的50納米浮柵式(50nm Floating Gate)工藝代碼型快閃記憶體(SPI NOR Flash)晶片已全線量產。
  • 全國首顆50nm 256M NOR Flash晶片來自珠海「高新造」
    7月31日,上海華力微電子有限公司(下稱「上海華力」)與珠海博雅科技有限公司(下稱「博雅科技」)共同宣布博雅科技研發的50nm 256M ETOX NOR Flash於2020年初在上海華力領先流片成功,現已成功量產。
  • %,「揚賀揚」推出NAND Flash和NOR Flash快閃記憶體晶片|潮科技·芯創業
    在SSD消費類市場和智慧型手機的容量進一步增大,將消耗大量快閃記憶體晶片,隨著快閃記憶體晶片需求量的逐步擴大,中國快閃記憶體晶片廠商也在努力進行升級研發,滿足快閃記憶體需求。近日,36氪了解到一家國內領先的IC設計公司——南京揚賀揚微電子科技有限公司(以下簡稱「揚賀揚」),該公司致力於各種類型快閃記憶體控制晶片的設計研發及提供各類快閃型存儲器(NAND Flash)產品的應用解決方案。
  • 國產NOR Flash「老兵」的新徵程,武漢新芯50nm新品全線量產
    2016年,全球半導體行業持續上演深度調整與整合,市場經歷小幅的衰退,武漢新芯需要重新考慮公司如何在已有業務的基礎上,尋求新的利益增長點?此時國內半導體廠商都聚焦在高端工藝的追逐。為有效管控企業風險和平衡產能利用率,武漢新芯選擇另闢蹊徑,決定深入挖掘深耕多年的NOR Flash業務的增長新路徑。
  • EEPROM和FLASH,NAND FLASH和NOR FLASH有什麼區別?
    人類文明不斷進步,終於出現了可多次擦除寫入的EPROM,每次擦除要把晶片拿到紫外線上照一下,想一下你往單片機上下了一個程序之後發現有個地方需要加一句話,為此你要把單片機放紫外燈下照半小時,然後才能再下一次,這麼折騰一天也改不了幾次。歷史的車輪不斷前進,偉大的EEPROM出現了,拯救了一大批程式設計師,終於可以隨意的修改ROM中的內容了。
  • 突破3nm,量產5nm!晶片巨頭傳來新消息,一個月進帳1248億!
    導讀:突破3nm,量產5nm!晶片巨頭傳來新消息,一個月進帳1248億!眾所周知,隨著科技的快速發展,也極大的帶動了整個半導體晶片市場的發展,除了各大智慧型手機廠家對晶片的需求非常的旺盛以外,還有航空航天,人工智慧和無人駕駛等眾多的領域都對晶片有著強勁的需求,而這也讓各大晶片巨頭廠家們都賺得是盆滿缽滿!
  • 8000餘名工程師攻堅2nm工藝,臺積電意欲突破晶片製程極限
    隨著美國動用舉國之力制裁華為,脅迫各大晶片代工企業紛紛斷供華為,使得半導體晶片的研製問題重新浮出水面。工藝製程水平的高低決定了晶片的性能,目前,世界上最先進且已實現量產的製程工藝當屬臺積電的5nm工藝,但臺積電明顯不滿足止步於5nm工藝,據悉,臺積電已啟動8000餘名工程師全力布局2nm工藝的研製,以維持其在晶片代工領域的霸主地位。那麼2nm是否會是晶片製程工藝的物理極限嗎?
  • 中國在兩個晶片領域取得突破,國產光刻機有望突破5nm
    中國在兩個晶片領域取得突破在國家的大力扶持下,中國芯的發展也進入了快車道,特別是近一兩年,由於美國不斷加大對中國企業的晶片封鎖,很多中國半導體企業都產生了強烈的緊迫感,並開始加大對晶片方面的研究力度。而在美國的「鞭策下」,近期「中國芯」相繼傳來打破歐美壟斷的好消息!
  • 復旦教授攻克難題,3nm晶片關鍵技術取得突破,國產晶片未來可期
    近年來,晶片工藝製程的微縮令全球半導體領域陷入摩爾定律即將面臨物理極限的瓶頸。但沒有什麼能夠難倒行業巨頭,臺積電、三星、ASML包括各國相關研發團隊,都在試圖從新的角度革新半導體晶片製造業。還有一種讓晶片性能得到高度提升的方法,那就是改進電晶體技術。傳統的FinFET電晶體技術在製程不斷微縮的情況下,已經難以有新突破,故而相關企業或團隊展開了對電晶體新型技術的研發探索。
  • 微電子所與四川豆萁科技公司發布首款聯合研發flash晶片
    微電子所與四川豆萁科技公司發布首款聯合研發flash晶片 2015-07-30 成都分院 【晶片發布會,宣布聯合研發的快閃記憶體晶片產品面世,並擁有自主智慧財產權。
  • eeprom行業景氣度較低,聚辰半導體能突出重圍嗎?
    Eeprom和nor flash的區別在於nor flash的存儲空間稍大,其容量在512kbit-1024kbit之間,但是擦寫次數小於eeprom,可確保10年10萬次擦寫,主要應用於手機、pc、dvd、tv、usb key、機頂盒、物聯網設備等代碼快閃記憶體領域。
  • 恆玄科技今日正式登陸科創板 精進研發打造差異化競爭力
    來源:證券日報本報記者劉會玲見習記者許偉12月16日,恆玄科技(上海)股份有限公司(688608.SH,下稱「恆玄科技」)敲響了上市的鐘聲,正式登陸科創板。招股書顯示,恆玄科技主營業務為智能音頻SoC晶片的研發、設計與銷售,為客戶提供AIoT場景下具有語音交互能力的邊緣智能主控平臺晶片,產品廣泛應用於智能藍牙耳機、Type-C耳機、智能音箱等低功耗智能音頻終端產品。據悉,恆玄科技擁有領先的技術優勢,且長期保持高研發投入,構建了智慧財產權壁壘。
  • 官方回應:中國突破ASML壟斷,可以不用EUV造5nm晶片了?
    今年7月,中國科學院官方網站發布的一項研究進展顯示,該團隊開發的新型5納米超高精度雷射光刻加工方法取得了突破,在過去的半年裡,這條新聞以各種形式和標題被傳播,如「打破ASML的壟斷」、「不用EUV光刻機就能造成5nm晶片」 最近,相關專業人士紛紛回應:真的不是你們想的那樣。
  • 半導體製造行業深度報告:從um級製造到nm級製造
    SK Hynix 計劃在 1anm 使用 EUV,該技術將於 2021 年面世。三星在 1znm 完成了對 DRAM 的 EUV 測試,但不會用於量產,可能會用於 1a 或 1b 的產品中。美光則計劃將 193nm 浸沒式光刻和 SADP 擴展到 1bnm。NAND 快閃記憶體驅動器的容量取決於晶片中的單元數量。
  • 全球Nor Flash龍頭易主
    作為電子系統的糧倉,存儲晶片的重要性可以用一句話形容「以行軍打仗作比喻,發展存儲晶片可謂是兵馬未動糧草先行」。因此,由於存儲晶片的重要性和廣闊的市場空間吸引了一大波國內中小廠商的聚集,在NOR Flash領域,除了兆易創新之外,還有很多國內中小廠商也在暗暗發力,瓜分NOR Flash剩餘的10%份額。
  • NOR flash在車用儲存領域越來越受重視
    事實上,你可以直接在NOR flash執行程序代碼,但這不能直接從NAND執行。」4y9EETC-電子工程專輯Handy表示,NOR已經用於當今汽車的許多部份了,而且還將找到更多應用,因為它十分有利於車用子系統。如果程序代碼非常少,那麼將可使用內建NOR的微控制器(MCU);而在較複雜的系統中由於程序代碼量較大,那麼它將採用外部NOR flash晶片。
  • 晶片製程之戰:從7nm到5nm,同場競技哪家強?
    2020年伊始,全球半導體先進位程之戰已然火花四射。從華為和蘋果打響7nm旗艦手機晶片第一槍開始,7nm晶片產品已是百花齊放之勢,5nm晶片也將在下半年正式首秀。這些逐漸縮小的晶片製程數字,正是全球電子產品整體性能不斷進化的核心驅動力。
  • 首臺5nm刻蝕機成功研發!國產芯進一步突破有望,供貨臺積電
    隨著集成電路飛躍式發展,我國半導體發展依舊受到很多限制,其中最大限制晶片的生產代工,目前,晶片代工的工藝製程一直由臺積電、三星等代工巨頭所壟斷,而且國內的晶片代工製程和臺積電相比也是相距甚遠。對於晶片的發展,相信大多數人都不清楚,從最初24nm、16nm到現在的7nm、5nm工藝製程,晶片性能越強大,晶片的製造工藝就越難,目前,國內的晶片工藝製程很多取得進展,其中便有兩大因素:第一就是光刻機,我國在半導體晶片代工上缺少EUV光刻機,光刻機是晶片的製造核心之一,目前,國內並沒有高端光刻機的存在
  • 中國蝕刻機突破,從65nm到5nm,臺積電也離不開!
    中國晶片巨頭突破 毫不留情的說,中國網際網路科技領域看似繁榮,但根本技術卻被美國牢牢掌握。雖然華為承受「無芯之痛」,但中國企業在半導體領域的進步是肉眼可見的。中芯國際目前正在往更高晶片製程業務發展,中芯、紫光也具備研發7nm、6nm技術的實力,而在國蝕刻機領域,中微半導體已經徹底打破了西方技術壟斷,即便是臺積電也離不開它!