儀器信息網訊 2020年12月7日，由全國納米技術標準化技術委員會和東南大學聯合主辦的「下一代電子信息材料與器件高峰論壇暨第三屆低維材料應用與標準研討會（LDMAS2020）」在無錫圓滿落幕。12位兩院院士、無錫市委書記黃欽、全國納米技術標準化技術委員會副主任葛廣路、華為公司專家及相關高校科研院所、企業的500餘名代表參加了本次會議。
大會現場
12月7日上午，大會報告進行下半場。中國科學院院士、中科院金屬所成會明、中國科學院院士、北京大學副校長黃如等6位專家學者帶來精彩主題報告。
報告人：中國科學院院士、中科院金屬所成會明
報告題目：六元環無機材料：定義與展望
在諸多無機材料中，六元環是很常見的結構單元。如石墨烯、六方氮化硼、過渡金屬硫族化合物等二維材料，以及 Be、Mg、Ti、MgB2 、 Bi2Se3等眾多三維材料都具有六元環結構，儘管這些材料中的一部分已經在其各自領域內成為研究前沿，但很少有人關注六元環這一基本結構單元。報告中，成會明將具有六元環結構單元，由單一元素或化合物構成的新材料大家族定義為六元環無機材料；並對此新材料的共性和獨特性質進行分析。成會明認為六元環無機材料具有新穎的物理、化學和力學性能，值得我們從材料設計、新物性發現到實際工程應用等諸多方面進行深入、系統和廣泛的研究，他預期此類材料在下一代信息技術、能源技術和空間應用等領域具有廣泛的應用前景。
中國科學院院士、北京大學副校長黃如在線做了題為《後摩爾時代集成電路技術新發展-探討與思考》的主題報告。後摩爾時代，新－輪科技與產業革命的迅速發展帶來強勁的系統需求和多樣化需求，集成電路技術地位歷史性提升；同時技術發展進入重要的歷史轉折期：scaling關注焦點從單純追求性能走向追求性能功耗比，進入「功耗限制」時代；scaling方式從平面scaling走向立體等效scaling；集成電路從追求單一功能走向多功能大集成；黃如認為，後摩爾時代也是「N分天下「的時代：適於不同應用場景的晶片風起雲湧，基於新原理、新結構、新材料、新信息載體的器件持續發展，以功耗／能效、複雜度、容錯度為牽引的新計算範式和新架構下的新器件／新材料／新感知／新設計方法融合研究，未來無限可期。
報告人：中科院物理所 張廣宇
報告題目：二維半導體界面和載流子調控
石墨烯自發現以來，二維材料便在國際上引起了基礎研究和應用研究的熱潮。石墨烯是半金屬，在導電添加劑、透明導電膜、導熱、複合材料、以及光探測等方面具有應用前景，但目前在電子器件領域替代核心材料方面的應用目標還不明確。2010 年以來，以過渡金屬硫族化合物為代表的原子層厚度半導體材料引起了新一波研究熱潮，在未來信息電子器件領域具有應用潛力。這種新型的半導體材料厚度達到物理極限，有望解決目前半導體器件領域內的一些技術瓶頸問題。張廣宇團隊針對單層MoS2高質量材料的製備進行了長期研究，其團隊製備的MoS2電晶體近期3-5年內可應用於薄膜電晶體TFT與柔性可穿戴器件，遠期有望應用於短溝道電晶體與縱向（3D）集成電路。
報告人：華中科技大學 唐江
報告題目：鈣鈦礦 X 射線探測器
X 射線探測及成像技術廣泛應用於醫學診斷、安全監測、科學儀器等領域，同時也是中國被卡脖子技術之一。相對於利用閃爍體將 X 射線轉變為可見光再到電信號的間接探測，利用半導體一步將 X 射線轉變為電信號的直接探測具有更高靈敏度和空間解析度，是 X 射線探測的重要發展方向。金屬滷化物鈣鈦礦缺陷密度低、X射線吸收截面大、製備成本低且易於集成，是發展低劑量、大面陣、高空間解析度X射線探測器的理想材料。唐江團隊建立了「鈣鈦礦材料－器件－電路及晶片化」的前沿研發和工程化能力，包括新型鈣鈦礦及其衍生物材料、大面積單晶／多晶器件，可用於直接型X射線探測的CMOS電路設計等。
報告人：南京工業大學 董曉臣
報告題目：柔性傳感器件關鍵材料與結構設計
可穿戴電子設備正在改變人們的生活，高性能柔性傳感器是萬物互聯、人工智慧背景下可穿戴設備發展的重要一環，於是，開發高性能柔性傳感器材料與器件越來越重要。董曉臣團隊通過製備3D grapheme/CNT、MXene/CNT碳基多維複合材料，優化器件製作方法，開發出高性能柔性傳感器；並通過設計水凝膠化學結構，調控其組成和分子結構，開發出可拉伸、透明、自圖案化，自癒合、抗凍、可重塑導電等多功能柔性傳感器。
報告人：賽默飛世爾科技 肖思群
報告題目：賽默飛世爾助力電子材料的科學研究和晶片生產
賽默飛世爾助力各大高校科研院所及晶片製造商進行電子材料的科學研究和晶片生產，其生產的一系列儀器設備如掃描/透射電鏡、掃描電鏡、透射電鏡、雙束電鏡、顯微CT、XRD、EBSD、XPS、XRF、拉曼、紅外光譜、質譜等，可為電子材料的結構、性能、缺陷、形貌和化學成分表徵提供解決方案。肖思群在報告中，詳細介紹了賽默飛新一代多源等離子體雙束電鏡Helios Hydra在半導體及器件方面的獨特優勢，以及透射電鏡在晶片製造中的應用等，並通過動畫演示了在雙束電鏡中製備TEM樣品的流程；另外，針對先進集成電路工藝面臨的新挑戰如FINFET、GAA、3DNAND，賽默飛可提供相應表徵方法。
報告結束後，大會特別設置了「器件-應用-標準」主題研討。本環節由中科院半導體所研究員譚平恆主持，全國納米技術標準化技術委員會副主任、國家納米科學中心研究員葛廣路，復旦大學微電子學院副院長曾曉陽，南京大學教授、納標委低維工作組主任王欣然，南京大學教授繆峰，東南大學物理學院院長、納標委低維工作組副主任倪振華，就該主題發表了各自的見解。
「器件-應用-標準」主題研討
12月7日下午，組委會精心安排了電子信息材料與器件、標準化2個主題分論壇，於3個分會場同時進行。分論壇精彩內容，請關注儀器信息網後續報導。
分會場掠影
分論壇報告全部結束後，下一代電子信息材料與器件高峰論壇暨第三屆低維材料應用與標準研討會（LDMAS2020）圓滿落幕。據悉，LDMAS2021將由中科院半導體所承辦，2021年，我們一起相約北京！
大會首日主題報告詳見：LDMA2020盛會來襲！聚焦大會首日精彩報告