《科創板日報》 （上海，記者 吳凡）訊，12月22日，江蘇宏微科技股份有限公司（以下簡稱「宏微股份」）的科創板申報材料獲得上交所受理，公司擬募資5.58億元，分別投向新型電力半導體器件產業基地項目、研發中心建設項目以及償還銀行貸款及補充流動資金項目。
宏微股份採取的是Fabless模式，其主要產品為功率半導體器件，主要包括IGBT、FRED晶片、單管及模塊等產品，報告期內，公司實現營業收入分別為2.09億元、2.62億元、2.6億元、1.42億元。
《科創板日報》記者梳理發現，除了擁有晶片自研技術外，宏微股份還存在每年向其同行業公司英飛凌大筆採購晶片的情況，且在報告期內，公司每年外購晶片的金額要高於其採購自研晶片所需金額。
並且記者還注意到，國產IGBT廠商斯達半導同樣存在外購晶片的情況，其背後存在著怎樣的原因？兩家公司對此又是如何解釋？
英飛凌是第一大供應商
宏微股份的產品中，單管主要是指將一個IGBT晶片單獨或與FRED晶片、MOSFET晶片通過晶片焊接和鋁絲鍵合至銅框架基板上，接入電極，並通過塑封外殼封裝而成；而模塊中除晶片以外，主要由DBC基板、鋁線或銅線等材料組成。
可以看出的是，不論上述哪款產品，晶片都是其中的核心零部件。
記者從招股書中獲悉，宏微股份是國內少數可以自主研發IGBT、FRED晶片的公司。但除了由晶片代工供應商生產的自研晶片外，宏微股份還存在對外採購晶片的情況。
報告期內，宏微股份向英飛凌採購的晶片金額分別為：2216.73萬元、4159.39萬元、5159.20萬元以及1423.25萬元，佔當期採購總額的比重分別為14.89%、21.01%、28.43%和13.49%。而自2018年起，英飛凌就持續穩居宏微股份第一大供應商的位置。
值得注意的是，英飛凌的身份不僅是宏微股份的供應商，同時也是宏微股份在功率半導體器件行業的國外競爭對手，根據IHS Markit 2018年報告，2017年其全球市場佔有率為22.40%，在低電壓、中電壓和高電壓IGBT領域，英飛凌均佔據領先地位。
從另一個角度看，2017年至2020年1-6月，公司晶片（外購）的採購金額分別為：3776.68萬元、5367.51萬元、6200.62萬元以及2307.7萬元；而前述各期，公司對自研晶片的採購金額分別為：739.97萬元、1477.97萬元、2382.00萬元以及1734.93萬元。
需要說明的是，外購晶片是指向晶片生產商直接採購晶片成品，而自研是由公司提供晶片光刻版圖設計和工藝流程，代工企業自行採購矽片等原材料加工後向公司交付晶片，屬於原材料採購，公司採購的晶片成本中已經包含了代工成本。
上述的數據反映出兩個情況：其一是公司除了向英飛凌外購晶片外，也有向其他廠商外購晶片；其二，公司對於外購晶片的金額顯著高於自研晶片所需原材料的採購金額。
外購晶片的原因
進一步來看，招股書中提到，外購晶片主要包含IGBT晶片、FRED晶片、整流二極體晶片等，各類晶片價格差異較大，其中IGBT晶片單價相對較高；而宏微股份的自研晶片主要為IGBT晶片。
對於外購晶片的原因，宏微股份未在招股書中具體提及，但公司在解釋主營業務毛利率低於同行業可比公司平均水平時提到：「公司部分客戶指定要求使用進口晶片，進口晶片價格相對較高，導致部分IGBT模塊毛利率相對偏低」。
不過由於外購晶片的品種較多，因此在報告期內，宏微股份外購晶片的平均採購單價低於自研晶片。
此外，除了宏微股份存在外購晶片的情況外，記者注意到，其同行業公司斯達半導也存在類似的情形。
斯達半導在今年1月披露的招股書中稱，公司自主研發設計的IGBT晶片和快恢復二極體晶片已經量產；但同時，公司仍然存在外購晶片的情況，包括英飛凌、Si-Chip Power Technologies Limited、IXYSSemiconductor GmbH等公司。
除了2019年1-6月外，2016年至2018年，斯達半導各期外購晶片的金額均超過其採購自主研發晶片的金額。
為此，在此前監管層向公司發送的「反饋意見」中，監管層要求公司說明，外購晶片的原因及合理性，外購晶片的主要採購對象，公司自主晶片在IGBT模塊產品的重要程度；自主晶片與外購晶片的區別、聯繫、功能是否可相互替代，公司是否對外購晶片尤其是進口晶片形成重大依賴，自主晶片的核心零部件是否依賴進口。
斯達半導在招股書中稱，其自主研發設計的最新一代FS Trench晶片，具備替代進口晶片的能力，公司對外購晶片不存在重大依賴。而對外採購晶片的原因是：由於客戶對公司自研晶片的批量化使用需要一定的驗證時間，因此在正常情況下，公司自主研發的晶片完全取代進口晶片需要一定過程。
就技術角度而言，斯達半導稱，其已實現了IGBT晶片國產化，具備替代進口IGBT模塊的能力。宏微股份在招股書中則提到，其最新研發成功的宏微第四代IGBT M4i 750V 280A晶片，在擊穿耐壓、短路極限時間方面與英飛凌晶片基本相同，在損耗、電流密度方面與英飛凌晶片相接近。