新聞1：GeForce NOW又失一員大將，2K Games離開該平臺
NVIDIA官方今天宣布，2K Games發行的所有遊戲將從GeForce NOW下架，這也是繼動視暴雪和Bethesda之後，離開GeForce NOW的第三家較大規模遊戲發行商。影響到的遊戲有很多，比如《無主之地》系列、2K系列體育遊戲還有《文明》系列等等。
前幾天GeForce NOW平臺既有好消息也有壞消息，NVIDIA方面很努力地在為這個新生雲平臺拉廠商拉遊戲，但也有一些發行商直接就走了，這其中有像動視暴雪、Bethesda和2K Games這樣的大廠商，也有Hinterland Studio這樣的小廠，後者在前些天將自己的《The Long Dark》移出了GeForce NOW遊戲列表，並稱：
NVIDIA承認他們沒有我們的授權就把遊戲放上去了，他們道了歉並詢問是否願意繼續呆在平臺上面，我們說：「不是現在。」
本次受到影響的遊戲列表
不管是大發行商還是小發行商，肯定會對GeForce NOW平臺的做法感到不爽——在beta測試之後把參與測試廠商的遊戲繼續保留下去。另外，我們也已經解釋過為什麼發行商會不爽：GeForce NOW允許用戶直接登陸自己的遊戲平臺帳號，直接用它們的雲串流服務玩已經買了的遊戲，而不需要再次購買。這對於很多廠商來說就是少賣了一份遊戲，觸犯了他們的利益，當然會不爽。而且隨著越來越多的廠商計劃著自己的雲遊戲服務，GeForce NOW平臺就成為了他們的商業對手，更加不可能把自家遊戲留在上面了。
NVIDIA要走的路還很長，我們暫時還看不到雲遊戲成功的那一天。
轉自：https://www.expreview.com/73324.html
Nvidia的雲遊戲業務真的是狀況百出啊……從最初的暴雪出走之後，Nvidia就說已經在考慮新的資費方式以期改變與遊戲廠商之間的關係。但遺憾的是，Nvidia的期望怕是落空了……Nvidia似乎並沒能阻止更多的廠商離開Geforce Now平臺，我們此前還預計Nvidia可以憑藉其在遊戲方面的影響力與技術優勢收攬大量遊戲廠商，但這些影響力與優勢在利益面前似乎都是浮雲。更早些時候發布Google Stadia就因為遊戲陣容而飽受詬病，希望Nvidia不要再步了後塵，積極協調與遊戲廠商之間的合作吧……
新聞2：傳Intel 2021年用上臺積電6nm，2022年直接上馬3nm工藝
在半導體工藝上，Intel的10nm已經量產，但是官方也表態其產能不會跟22nm、14nm那樣大，這或許是一個重要的信號。此前業界多次傳出Intel也會外包晶片給臺積電，最新爆料稱2022年Intel也會上臺積電3nm。
來自業界消息人士@手機晶片達人的爆料稱，Intel預計會在2021年大規模使用臺積電的6nmn工藝，目前正在製作光罩（Mask）了。
在2022年Intel還會進一步使用臺積電的3nm工藝代工。
在更早的爆料中，手機晶片達人指出Intel 2021年開始外包外公的主要是GPU及晶片組，還警告說2021年蘋果、海思、Intel及AMD會讓產能非常緊張。
假如Intel真的打算擴大外包，除了已經部分外包的晶片組之外，首當其衝的就是GPU，因為GPU相對CPU製造來說更簡單一些，而且臺積電在GPU製造上很有經驗。
結合之前的消息來看，Intel的Xe架構獨顯DG1使用的是自家10nm工藝製造，今年底上市，擁有96組EU執行單元，一共是768個核心，基礎頻率1GHz，加速頻率1.5GHz，1MB二級緩存以及3GB顯存，TDP為25W。
預計DG1的性能與GTX950相當，比GTX 1050則差了15%左右，總體定位不高，適合高能效領域，尤其是筆記本GPU。
DG1之後還會有DG2獨顯，這就是一款高性能CPU了，之前爆料DG2會用上臺積電的7nm工藝，現在來看應該是7nm改良版的6nm工藝了。
不過2021年Intel自己的7nm工藝也會量產，官方早已宣布用於數據中心的Ponte Vecchio加速卡會使用自家的7nm EUV工藝。
轉自：https://www.cnbeta.com/articles/tech/952777.htm
這則爆料我總感覺可信度有點低……首先如果要用臺積電6nm工藝，那必然不可能是代工晶片組這些對工藝製程不怎麼敏感的晶片。而對工藝製程相對敏感的晶片，我實在很懷疑臺積電6nm的表現，作為7nm的馬甲工藝，真的會比Intel自家10nm強多少嗎？除非Intel某款對工藝製程敏感的晶片全權交由臺積電生產，才能避免iPhone工藝門這樣的事件再現，但這種可能……真的微乎其微……而且按照前些天的消息，3nm工藝似乎會是Intel自家的，這些消息大家看一樂就好。
新聞3：鎧俠和威騰電子在ISSCC 2020上發布XL-FLASH的技術細節：有望與傲騰競爭
上個月的ISSCC 2020是半導體業界集中展示新技術的一次峰會，除了上周我們報導過了的AMD，還有很多晶片界巨頭也在ISSCC 2020上面發表了一些尖端技術，比如鎧俠和威騰電子就聯合發布了一種新的存儲級內存（Storage Class Memory）——XL-FLASH。
圖片來自於PC Watch，下同
存儲級內存（SCM）是業界對介於快閃記憶體與內存之間的新存儲介質的統一命名，我們熟悉的傲騰3D-XPoint就屬於SCM。由於很多SCM兼有內存低延遲高讀寫速率和非易失的特性，已經成為了業界新的關注點，幾大主要的快閃記憶體製造商都在開發自己的SCM技術，比如Intel和美光聯合開發的3D-XPoint，三星自己在開發的Z-NAND都算在這個範疇內，雖然我們知道後者其實只能算是目前NAND的改良版本。
而鎧俠和威騰電子當然不會坐著看戲，他們也有自己的SCM計劃，就是本次公布的XL-FLASH。
XL-FLASH實際上與三星的Z-NAND有點相似，實質也是在目前的3D NAND上面進行改進得到的產物，從對比規格來看，它的整體表現將會比Z-NAND好上那麼一些，比起自家的TLC是高一個次元了。
左：96層，512Gb的3D TLC；右：128Gb的XL-FLASH
XL-FLASH在結構上與普通的BiCS快閃記憶體存在較大的區別，普通的512Gb快閃記憶體只是簡單地被分成兩個平面，而XL-FLASH則是將陣列細分化，128Gb顆粒中的存儲單元陣列被劃分為16個小單元，每個單元都有配套的4KB S/A。另外在劃分為小陣列之後，其字線和位線都變短了，訪問單元的延遲比字線和位線長的多的普通NAND是要低非常多的，其中字線的延遲時間可能會減少到只有1/20的地步。
另外在主控層面和電路上面也會對XL-FLASH進行針對性的優化，以實現更低的寫入延遲。
鎧俠和威騰電子用自己的方法構建出了SCM級別的新顆粒，而且在去年已經有廠家展示了使用XL-FLASH的產品。由於它的內部結構並不像3D-XPoint那樣是完全新的，其製造成本是相對要低一些的，但效果還是相當明顯的。我們未來能夠看到Z-NAND，3D-XPoint和XL-FLASH的同臺競爭。
轉自：https://www.expreview.com/73327.html
這就是此前我們說過的，藉由新技術復活的SLC顆粒嗎？雖然文中並沒有明說，但有提到XL-Flash與三星的Z-NAND相似，都是3D NAND改進後的產物。再結合前些天東芝西數重製SLC顆粒的消息以及能與3D Xpoint相媲美的性能，答案應該已經呼之欲出了。不過這其實也很諷刺，NAND快閃記憶體進步到現在，性能卻是在逐漸退步的，為了彌補最高端性能的不足反而不得不求助於舊的技術。或許快閃記憶體廠商真的應該反思一下，在降低生產成本的同時，性能方面是不是也應該有一條底線呢？
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