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史上最大AI晶片誕生:462平方釐米、40萬核心、1.2萬億電晶體,創下4...
它創下了4項世界紀錄:電晶體數量最多的運算晶片:總共包含1.2萬億個電晶體。雖然三星曾造出2萬億個電晶體的晶片,卻是用於存儲的eUFS。晶片面積最大:尺寸約20釐米×23釐米,總面積46,225平方毫米。面積和一塊晶圓差不多。片上緩存最大:包含18GB的片上SRAM存儲器。運算核心最多:包含40萬個處理核心。
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NVIDIA圖靈顯卡有三種核心,RTX 2070顯卡核心也有445mm2
關於GeForce RTX 2080 Ti/2080/2070三款顯卡,官方公布過詳細的規格,如下所示:NVIDIA的圖靈GPU架構也被公開了,TU102核心一共分為6組GPC單元,每組GPC單元又擁有12個SM單元,一共是72個SM單元,但RTX 2080 Ti也只是用了68個而已。
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計算y1=1/x,y2=x與x=e圍成的面積
y1=1/x與直線y2=x、x=e圍成的面積的主要步驟過程。方法一:微元dx計算區域面積 此時畫出曲線y1=1/x與直線y2=x、x=e圍成的區域示意圖,先求曲線y1與直線y2的交點,即: 1/x=x⇒x^2=1,取正數x1=1。
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電晶體的主要參數與電晶體的開關特效
電晶體結構與符號如圖所示。它們都有三個區:集電區、基區、發射區;從這三個區引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發射極e(Emitter)。兩個PN結:發射區與基區之間的PN結稱為發射結Je,基區與集電區之間的PN結稱為集電結Je。 兩種管子的電路符號的發射極箭頭方向不同,箭頭方向表示發射結正偏時發射極電流的實際方向。
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採用全球最大AI晶片,Lassen超算系統集成Cerebras 1.2萬億電晶體
為了滿足 AI 計算的高性能需求,放棄其他廠商晶片越小越好的思維,以儘可能生產大面積晶片為主。由於面積越大的晶片,其中能整合越多的核心與電晶體,其相對計算效能也越強,但同時也提升了生產成本。gC2ednc2019 年 11 月份,該公司正式推出了 WSE 系列晶片的第一代,採用臺積電 16 納米工藝,並以整個 12 吋晶圓來打造一個龐大的 AI 晶片。
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CPU運算電路:電晶體如何表示0和1
從模電角度來說電晶體還有放大狀態,但是我們此處考慮的是電晶體應用於數字電路,只要求它作為開關電路,即能夠導通和截止就可以了。如上圖所示,當b處電壓》e處電壓時,電晶體中c極和e極截止。當b處電壓《e處電壓時,電晶體中c極和e極導通;這只是一個簡化說明,實際上從模電角度分析,導通和截止的要求是兩個PN節正向偏置和反向偏置,還要考慮c極電壓,但在實際的數字電路中e極電壓和c極電壓一般恆定,要麼由電源提供、要麼接地,所以我們可以簡單記為「電晶體電路的通斷就是由b極電壓與恆定的e極電壓比較高低決定」。
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臺積電公布3nm電晶體密度達250MTR/mm2
按照臺積電官方的說法,第一代3nm工藝依然採用傳統的鰭式場效應管(FinFET)技術,GAA技術要在第二代3nm工藝上應用。採用FinFET工藝是臺積電經過評估多種選擇後,認為目前成本、能效的最佳選擇。除了繼續使用FinFET技術外,臺積電同時披露了3nm工藝的電晶體密度,250MTr/mm2的密度可為前無古人。
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核心數翻倍,將採用7nm工藝
美國AI初創企業CerebrasSystems旗下的明星產品WES(Wafer Scale Engine)晶片即將進入新一代,在日前舉辦的Hotchips 32會議上,CerebrasSystems公布了WES 2代晶片的相關信息。據悉,WES 2代晶片核心數翻倍到了85萬個,電晶體數量翻倍到2.6萬億個,最關鍵的是,將從16nm工藝進入7nm工藝。
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1.2萬億電晶體超級巨無霸,專為AI設計
文章經授權轉自公眾號:新智元(ID:AI_era),來源:venturebeat 編輯:小芹、大明面積42225 平方毫米, 擁有1.2 萬億個電晶體,400000 個核心,片上內存18 Gigabytes,內存帶寬19 PByte/s,fabric帶寬100 Pbit/s。
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電晶體原理
電晶體原理--簡介 電晶體是一種固體半導體器件,可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製和許多其它功能。電晶體作為一種可變開關,基於輸入的電壓,控制流出的電流,因此電晶體可做為電流的開關,開關速度可以非常之快。嚴格意義上講,電晶體泛指一切以半導體材料為基礎的單一元件,包括各種半導體材料製成的二極體、三極體、場效應管、可控矽等。
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一份寫給媽媽的電晶體介紹
@抗日神劇當時各國戰事頻繁,最普遍使用的武器就是各種大炮。彈道計算模型不過即使用數值方法近似求解,也是一件不容易的事!按當時常用的計算工具比如算盤,就是200多名計算員加班加點工作,也大約需要兩個多月的時間才能算完一張射表。在「時間就是勝利」的戰爭年代,這麼慢的速度怎麼能行呢?恐怕你還沒算完,仗都打完了。
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英偉達公布 Tesla A100 計算卡:6912 CUDA 核心,40GB HBM2 顯存
IT之家5月14日消息 今晚,英偉達發布了 Tesla A100 計算卡,搭載了GA100 GPU,7nm工藝,採用了全新的安培架構。根據外媒VideoCardz的介紹, Tesla A100計算卡採用了7nm工藝的GA100 GPU,這款GPU擁有6912 CUDA核心和432張量核心。
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GK104核心面積多大?比Tahiti小一點
而近日Xtremesystems論壇就有強人藉此估算出了GK104的核心面積:320平方毫米,略小於365平方毫米的Tahiti。圖中電晶體數量有誤估算的依據主要是之前曝光的GK104 PCB設計圖,並將其和目前公版HD 7970的PCB利用工具進行等比對比,基於後者的核心面積,從而估算出GK104的大致核心面積。
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三角形的面積計算公式
三角形的面積計算公式: 1.已知三角形底a,高h,則 S=ah/2 2.已知三角形三邊a,b,c,則 (海倫公式)(p=(a+b+c)/2) S=√[p(p-a)(p-b)(p-c)] =(1/4)√[(a+b+c)(a+b-c)(a+c-b)
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歷史上的今天:1947年,電晶體問世
電晶體是一-種半導體器件,放大器或電控開關常用。電晶體是規範操作電腦,手機,和所有其他現代電子電路的基本構建塊。由於其響應速度快,準確性高,電晶體可用於各種各樣的數字和模擬功能,包括放大,開關,穩壓,信號調製和振蕩器。電晶體可獨立包裝或在一個非常小的的區域,可容納一億或更多的電晶體集成電路的一部分。
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模擬電子技術實用知識(單結電晶體)
一、單結電晶體的結構與特性1.單結電晶體的結構單結電晶體因為具有兩個基極,故單結電晶體又稱為雙基極電晶體。單結電晶體有三個電極,分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發射極e。單結電晶體雖然有三個電極,但在結構上只有一個PN結,它是在一塊高電阻率的N型矽基片一側的兩端,各引出一個電極,分別稱第一基極b1和 第二基極b2。
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2倍RTX2080Ti性能RTX30901萬多個核心怎麼來的?老黃變戲法
除了第二代RT單元、第三代Tensor單元之外,CUDA核心數也猛增到了10496個,要知道RTX 2080 Ti也不過4352個。CUDA核心數一下子從4000+翻倍到了10000+,這規模提升也太恐怖了,NVIDIA到底是怎麼做到的?
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CPU如何計算1+1?如何進行四則運算的?
我們都知道一臺計算機的核心就是處理器(CPU),它的職責就是運算。CPU是一塊超大規模的集成電路,我們要想弄清楚計算機的運算機制就要了解集成電路是如何具有運算能力的;而集成電路是由大量電晶體等電子元件封裝而成的,所以探究計算機的計算能力就可以從電晶體的功能入手。
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工藝提升功耗下降 IVB-E Core i7-4960X評測
另外,IVB-E核心面積為257平方毫米,相比SNB-E的435平方毫米大幅縮小,除了製程從32nm進步到22nm之外,還因為它是原生6核心設計,少了兩個核心和對應的L3緩存,自然電晶體也少了一些。Ivy Bridge-E處理器架構簡析首先我們引用一張Intel官方PPT來看一下核心照及核心各部分組件:
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7nm工藝85萬個核心!巨無霸到底長啥樣?
2019 年8月, Cerebras Systems 設計的史上最大晶片 Wafer Scale Engine(WSE)應該還讓小夥伴們記憶猶新,因為這顆(板)AI 晶片的面積達215×215平方毫米,整合了 40 萬個 AI 核心,1.2 萬億個電晶體,片上18G內存,大小几乎與整個 12 吋晶圓一樣,是目前全世界最大的晶片。