SK海力士宣布業內首款4D快閃記憶體:512Gb TLC、年末出樣

2020-12-17 快科技

正在美舉辦的Flash Memory Summit首日已經結束，亮點頗多。

Keynote環節，倒數第二個出場（排在我國的長江存儲前）的是SK海力士，它在NAND市場的全球份額排名第五，DRAM份額全球第二。

首先是3D NAND的技術路線選擇，SK海力士稱，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用（P/E次數多）。

其實三星從2013年的第一代V-NAND 3D快閃記憶體就開始使用CTF了，東芝/西數（閃迪）的BiCS亦是如此。當然，美光/Intel還是堅持浮柵，不過這倒無所謂，畢竟他們有更厲害的3D Xpoint（基於相變內存，還一說是ReRAM磁阻式內存）。

接下來，SK海力士宣布推出了全球首款4D快閃記憶體。

從現場給出的技術演示來看，4D快閃記憶體和此前長江存儲的Xtacking十分相似，只不過外圍電路（PUC，Peri.Circuits）在存儲單元下方，好處有三點，一是晶片面積更小、二是處理工時縮短、三是成本降低。

參數方面，號稱業內第一款4D快閃記憶體是V5 512Gb TLC，採用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準）、面積13平方毫米，今年第四季度出樣。

BGA封裝的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，塞到2.5寸的U.2中更是可以做到64TB，2019年上半年出樣。

性能方面，V5 4D晶片面積相較於V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。

另外，V5 4D也規劃了QLC快閃記憶體，通過96層堆疊，單Die最小1Tb，明年下半年出樣。

展望

SK海力士內部的4D快閃記憶體已經推進到了128層堆疊，很快可以做到單晶片512GB，2025年做到單晶片8TB。目前，SK海力士的3D NAND是72層堆疊，單晶片最大512Gb（64GB），首款企業級產品PE4010已於今年6月份出貨給微軟Azure伺服器。

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