量子點的定義：
量子點是一種納米材料，廣義的納米材料是指在三維空間中至少有一維處於納米尺度範圍或由它們作為基本單元構成的材料。按維數，納米材料的基本單元可分為三類：（見圖1）
圖1：不同維度材料 （a）三維體材料（b）二維量子阱材料 （c）一維量子線材料（d）零維量子點材料
（1）當材料的尺寸在一個維度方向上與電子的德布羅意波長相比擬時，該材料被稱為一維受限的量子阱材料。量子阱材料的特點是電子能量在二維空間是連續的，其典型代表是超晶格量子阱材料
（2）當材料在兩個維度方向上的尺寸與電子的德布羅意波長相比擬時稱為量子線(圖 1- lc)，其典型的代表是碳納米管。
（3）當半導體材料從體相逐漸減小至一定尺寸以後，材料的特徵尺寸在三個維度上都與電子的德布羅意波長或電子平均自由程相比擬或更小時，電子在材料中的運動受到了三維限制，也就是說電子的能量在三個維度上都是量子化的，稱這種電子在三個維度上都受限制的材料為量子點。由於載流子(電子、空穴)在量子點材料中的運動受限(類似於在小箱中運動的粒子)，導致動能的增加，相應的電子結構也從體相連續的能帶結構變成類原子的分立的能級結構。通過控制量子點的尺寸可以調節其能隙的大小，這使得半導體量子點材料己成為當今能帶工程的一個重要組成部分。
量子點的物理化學特性
目前人類廣泛應用的功能材料和元件，其尺寸遠大於電子自由程，觀測的電子輸運行為具有統計平均結果，描述這些性質主要是用宏觀物理量。當功能材料和元件的尺寸逐漸減小到納米量級時，其物理長度與電子自由程相當，載流子的輸運將呈現顯著的量子力學特性，傳統的理論和技術已不再適用，需要人們對與低維相關聯的量子尺寸效應進行深入的研究。因為量子點材料有大的表面/體積比，致使多數原子位於材料表面，而且由於巨大的表面張力存在，表面原子處於不飽和配位，因而位於高能態，所以量子點材料的物理化學性質明顯不同於其體材料，主要表現在以下幾個方面：
（1）表面效應 表面效應是指隨著量子點的粒徑減小，大部分原子位於量子點的表面，量子點的比表面積隨粒徑減小而增大。由於納米顆粒具有大的比表面積，表面原子數的增多，導致了表面原子的配位不足、不飽和鍵或懸掛鍵增多。使這些表面原子具有高的活性，極不穩定，很容易與其它原子結合。這種表面效應將引起納米粒子大的表面能和高的活性。表面原子的活性不但引起納米粒子表面原子輸運和構型的變化，同時也引起表面電子自旋構象和電子能譜的變化。表面缺陷導致陷阱電子或空穴，它們反過來會影響量子點的發光性質、引起非線性光學效應，包括非線性折射率（光學克爾效應）、非線性吸收，和其他電子、磁光學效應等。
（2）量子尺寸效應 當粒子尺寸進人納米量級時，金屬費米能級附近的電子能級由準連續變為離散能級的現象，半導體納米粒子則出現分立的最高被佔據分子軌道和最低未被佔據分子軌道能級間距比粒子能級間距更寬，能隙變寬，這種現象稱為量子尺寸效應（quantum size effect）。當熱能、電場能或者磁場能比平均的能級間距還小時，就會呈現一系列與宏觀物體截然不同的反常特性，進而使得納米體系的光、熱、電、磁等物理性質與常規材料不同，出現許多新奇特性。通過控制量子點的形狀，結構和尺寸，就可以方便地調節其能隙寬度，激子束縛能的大小以及激子的能量藍移等電子狀態。隨著量子尺寸的逐漸減少。量子點的吸收光譜出現藍移現象。尺寸越小，則光譜的藍移現象越顯著。
（3）介電限域效應 在半導體顆粒的表面存在較多電子陷阱，電子陷阱對半導體的光致發光特性起著關鍵的作用。半導體超微粒表面上修飾某種介電常數較小的材料後，它們的光學性質與裸露的超微粒相比，發生了較大變化，此種效應稱為介電限域效應。與塊狀半導體相比，量子點材料由於粒徑極小，比表面積非常大，顆粒表面的原子數目與處於粒子內部的原子數目的比值增加,顆粒的性質受到表面狀態的影響。當介電限域效應所引起的能量變化大於由於尺寸量子效應所引起的變化時，超微粒的能級差將減小，反映到吸收光譜上就表現為明顯的紅移現象。半導體量子點體的表面一般連接有鏈的烷基氧化膦（如 TOPO）或烷基膦（如 TOP），介電常數小，使得吸收光譜向長波長移動。將半導體量子點的表面包上一層能級差更大的殼層，由於介電限域效應也會使得吸收光譜紅移。
（4）量子隧道效應 傳統材料的物理尺寸遠大於電子自由程，所觀測的是群電子輸運行為，具有統計平均結果，所描述的性質主要是宏觀物理量。當微電子器件進一步細微化時，電子在納米尺度空間中運動，物理線度與電子自由程具有相當的數量級，電子能級處於分立狀態，載流子的輸運過程將有明顯的波動性，從一個量子阱穿越量子勢壘進入另一個量子阱就出現量子隧道效應。這種絕緣到導電的臨界效應是納米有序陣列體系的特點。
（5）庫侖阻塞效應 如果一個量子點與其所有相關電極的電容之和足夠小(如小於10-18F)，這時只要有一個電子進入量子點，系統增加的靜電能就會遠大於電子熱運動能量 kBT，這個靜電能將阻止隨後的第二個電子進入同一個量子點，這種現象叫做庫侖阻塞(Coulomb blockade)效應。在實驗上，可以利用電容藕合通過外加柵壓來控制雙隧道結連接的量子點體系的單個電子的進出。
（6） 熱學性質 由於納米顆粒具有高的表面能，納米材料的熔點、燒結溫度、晶化溫度等均比常規的粉體低得多，而且塑性提高，如大塊鉛的熔點為600K，而20nm球形顆粒的熔點降低為288K。
（7）磁學性質 與常規晶體材料相比，當納米顆粒尺寸小到一定臨界值時進入超順磁狀態(如Fe3O4)，這種超順磁狀源於以下原因:在小尺寸下，各向異性能減小到可與熱運動能相比擬時，磁化方向就不再固定在一個易磁化方向，易磁化方向作無規律的變化，結果導致超順磁性的出現，不同種類的納米磁性顆粒出現超順磁性的臨界尺寸不同。
（8）晶格常數 由於表面應力的作用，納米材料的晶格常數小於體材料，如Apai等用EXAFS方法直接證明了Ni、Cu的原子間距隨著晶粒尺寸的減小而減小。
（9）吸附 納米顆粒由於有大的比表面積和表面原子配位不足，與體材料比有較強的吸附性，它的吸附性與被吸附物質的性質、溶劑的性質及溶液的性質有關，被吸附物質可以是電解質也可以是非電解質。
（10）分散與團聚 由於納米顆粒較高的表面能和顆粒之間較小的庫侖力或範德華力，團聚是不可避免的，因此，在量子點的製備過程中，提高分散性是需要解決的問題之一。通常可以採取機械的方法(如超聲分散)，也可以用化學的方法，如加入反絮凝劑形成雙電層或加表面活性劑包裹微粒等。
量子點螢光
圖2：不同顆粒尺寸的CdSe/ZnS量子點的不同發光
發光原理：
對體材料的研究表明，發光材料通常具有某些發光中心，從它們的結構來看，有簡單的激活離子和比較複雜的離子團等。這些發光中心直接影響發光材料的發射光譜。一般的發光材料中，產生發光的形式主要有複合發光及分立發光中心發光，前者為電子處於激發態時，它們離開原來的發光中心，被激發進入導帶內。當導帶中的電子與離化中心的空穴重新複合，產生發光。而後者則是電子處於激發態時，並不離開原來的發光中心，只是從基態被激發到一些高能量的激發態上。量子點材料中，由於平移周期的破壞，在動量空間(k空間)中，常規材料中電子的躍遷選擇定則對納米材料有可能不適用，這樣就會導致量子點的發光不同於常規材料。量子點由於顆粒很小，會導致量子限域效應，界面結構的無序性使激子，特別是表面激子很容易形成，表面存在大量的缺陷，如懸鍵、不飽和鍵和雜質等，可能在能帶中產生許多附加能級；而且原來連續的能帶結構變成準分立的類分子能級，並且動能的增加使得半導體顆粒的有效帶隙增加；半導體量子點受光激發後能夠產生空穴一電子對(即激子)，電子和空穴複合的途徑主要有：
（1） 電子和空穴直接複合，產生激子態發光。由於量子尺寸效應的作用，所產生的發射光的波長隨著顆粒尺寸的減小而藍移，而且尺寸越小，藍移幅度越大。
（2） 通過表面缺陷態間接複合發光。在納米顆粒的表面存在著許多懸掛鍵，從而形成了許多表面缺陷態。當半導體量子點材料受光的激發後，光產生的載流子以極快的速度受限於表面缺陷態而產生表面態發光。量子點的表面越完整，表面對載流子的捕獲能力就越弱，從而使得表面態的發光就越弱。
（3） 通過雜質能級複合發光。半導體中摻入微量雜質時，雜質原子附近的周期勢場受到幹擾並形成附加的束縛狀態，在禁帶中產生附加的雜質能級。雜質能級位于禁帶上方靠近導帶底附近。雜質能級上的電子很易激發到導帶成為電子載流子。 以上三種情況的發光是相互競爭的。如果量子點的表面存在著許多缺陷，對電子和空穴的俘獲能力很強，電子和空穴一旦產生就被俘獲，使得它們直接複合的機率很小，從而使得激子態的發光就很弱，甚至觀察不到，而只有表面缺陷態的發光。為了消除表面缺陷引起的缺陷態發光而得到激子態的發光，常設法製備表面完整的量子點或通過修飾量子點表面來減少其表面缺陷，從而使電子和空穴能夠有效地直接複合發光。
螢光特性：
由於尺寸量子效應和介電限域效應的影響，使得半導體量子點與其體材料相比顯示出獨特的螢光特性：
（1） 量子點的發光性質可以通過改變量子點的尺寸來加以調控，這是量子點的最重要的發光性質。同一種組分的量子點材料，量子點的粒徑不同時，可以發出不同光。用同一波長的光照射不同直徑的量子點材料即可獲得從藍色到紅色幾乎所有可見波長的光。小的量子點產生短波長的光子，看起來是藍色，越大的量子點，產生的光子的波長也越大，所發出的光也越紅。
（2） 量子點具有較大的斯託克斯位移和較窄而且對稱的螢光譜峰（通常半高全寬只有40nm），這樣可以同時使用不同光譜特徵的量子點，而發射光譜不出現交疊或只有很小程度的重疊，使標記生物分子的螢光光譜的區分、識別會變得更加容易。
（3） 量子點具有較高的發光效率。在半導體量子點的表面上包覆一層其他的無機材料，可以對核心進行保護和提高發光效率。據報導，CdSe/CdS納米晶體室溫下的量子產率可以達到100%。
（4）量子點物理、化學性能比較穩定，螢光光譜幾乎不受周圍環境（如溶劑、PH值、溫度等）的影響，它可以經受多次激發，而不發生螢光漂白，量子點的發光壽命比普通螢光標記染料的壽命長 1～2 個數量級，可採取時間分辨技術來檢測信號，大幅度降低背景的強度，獲得較高的信噪比，為研究細胞中生物分子之間長期的相互作用提供了有力工具。量子點的螢光強度是羅丹明 6G（R6G）的 20 倍，穩定性是它的 100倍，光譜線寬只有其三分之一。
（5）量子點具有很好的生物相容性，而有機螢光染料或鑭系配合物則不具有這種優越性。相對於有機螢光素，量子點與生物分子的連接方法簡單易行。經過各種化學修飾後的量子點具有良好的生物相容性，結構與性質更加的穩定，其發光強度幾乎不受周圍環境的影響，並可以與生物分子進行特異性連接，對生物體危害小，因此可進行生物活體標記和檢測，達到生物醫用的目的。而螢光染料一般毒性較大，生物相容性差。用量子點補充或部分取代有機螢光標記材料，將開創超靈敏度、高穩定性以及長發光壽命的生物檢測技術。表 1 給出了用於生物標記的各種材料的性能比較。
表1 半導體量子點（ZnS/CdSe）與螢光染料（FITC, R6G）的螢光特性的比較
總之，量子點的突出特點在於其激發波長範圍較寬且連續分布，發射波長範圍較窄且成高斯對稱，斯託克斯位移較大，這樣激發和發射光譜不會或很少部分產生交疊，從而明顯分辨。此外，由於量子點的螢光發射主要由其粒徑的大小來控制，因此可通過調節一系列的反應參數方便的調節量子點的大小，最終達到產生不同螢光發射的目的。結合量子點的較寬且連續分布的激發光譜的特點和由粒徑控制螢光發射的特點，使其能夠在同一激發光源下進行多通道檢驗。
量子點的應用
量子點由於尺寸小於或接近於激子玻爾半徑所引起的電子波函數的量子限制效應而產生許多獨特的電學和光學性質,使其在生物化學、細胞生物學、免疫化學等學科的研究中顯示出巨大的發展潛力, 並已在生物染色、醫療診斷、DNA序列測定和免疫分析等方面得到應用。在雷射器、單電子電晶體、探測器和光存儲器等方面。下面主要介紹量子點在生物醫學上的研究與應用：
（a）量子點作為螢光探針 量子點具有寬帶活性和高亮度的特點，同時不易褪色且光化學性能穩定。1998 年，有兩個研究小組分別報導了將量子點作為生物探針用於活細胞體系的工作，解決了量子點通過表面的活性基團與生物大分子偶聯的問題。有學者應用 CdSe/ZnS 量子點標記的抗體在載玻片上用一種三文治式方法進行微型免疫測定，再用雷射共焦掃描螢光檢測：①抗體共價接合載玻晶片；②抗體與抗原特異性接合；③用量子點標記的檢測抗體與抗原選擇性接合，結果顯示，量子點可以作為組織染料用於免疫分子標記。
（b）篩選藥物方面的應用 因為量子點能與細胞表面脂質蛋白受體相連，也能與核內的 DNA 相連，因此，在藥物開發應用方面，量子點能跟蹤記錄藥物分子在作用過程中的位置，使觀察者在臨床前期階段就能推測出該藥物可能引起的其它作用。量子點可能會為將來藥物作用機制的研究提供非常有價值的方法和信息。
（c）醫學成像方面的應用 將某些在紅外區發光的量子點標記到組織或細胞內的特異組分上，在紅外光激發下可以通過成像檢測分析研究組織內部的情況。目前，人們已經製備出可以發射紅外光的量子點，如 InAs、PbS 等。