mos管開關電路_pwm驅動mos管開關電路圖分享

2020-11-22 電子發燒友

mos管開關電路_pwm驅動mos管開關電路圖分享

發表於 2018-01-04 13:41:14

MOS管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。本文為大家帶來三種pwm驅動mos管開關電路解析。

常見pwm驅動mos管開關電路

IRF540就是很常用的MOS管了，特殊負載如H橋裡面的雙MOS驅動。有專用的驅動晶片如IR2103

如果只是單個MOS管的普通驅動方式像這種增強型NMOS管直接加一個電阻限流即可。由於MOS管內部有寄生電容有時候為了加速電容放電，會在限流電阻反向並聯一個二極體。

用於NMOS的驅動電路和用於PMOS的驅動電路

針對NMOS驅動電路做一個簡單分析：

Vl和Vh分別是低端和高端的電源，兩個電壓可以是相同的，但是Vl不應該超過Vh。

Q1和Q2組成了一個反置的圖騰柱，用來實現隔離，同時確保兩隻驅動管Q3和Q4不會同時導通。

R2和R3提供了PWM電壓基準，通過改變這個基準，可以讓電路工作在PWM信號波形比較陡直的位置。

Q3和Q4用來提供驅動電流，由於導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低於0.7V的Vce。

R5和R6是反饋電阻，用於對gate電壓進行採樣，採樣後的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。這個數值可以通過R5和R6來調節。

最後，R1提供了對Q3和Q4的基極電流限制，R4提供了對MOS管的gate電流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的時候可以在R4上面並聯加速電容。

這個電路提供了如下的特性：

1，用低端電壓和PWM驅動高端MOS管。

2，用小幅度的PWM信號驅動高gate電壓需求的MOS管。

3，gate電壓的峰值限制

4，輸入和輸出的電流限制

5，通過使用合適的電阻，可以達到很低的功耗。

6，PWM信號反相。NMOS並不需要這個特性，可以通過前置一個反相器來解決。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • mos管開關電路圖大全(八款mos管開關電路設計原理圖詳解)
    mos管開關電路圖大全（八款mos管開關電路設計原理圖詳解）
  • MOS管在開關電路中的使用
    MOS管開關電路是利用一種電路，是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。 P溝道MOS管開關電路 PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況（高端驅動）。需要注意的是，Vgs指的是柵極G與源極S的電壓，即柵極低於電源一定電壓就導通，而非相對於地的電壓。但是因為PMOS導通內阻比較大，所以只適用低功率的情況。大功率仍然使用N溝道MOS管。
  • 三極體比MOS管開關功能略勝一籌?
    我們在做電路設計中三極體和mos管做開關用時候有什麼區別 工作性質：本文引用地址：http://2、成本問題：三極體便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極體損耗大。4、驅動能力：mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路。實際上就是三極體比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。
  • MOS管,IGBT,以及三極體他們有什麼區別?正向單流柵極IGBT驅動電路...
    MOS管，IGBT，以及三極體他們有什麼區別？ 　　mos管、igbt、三極體比較，mos開關速度最快，三極體最慢，而igbt內部是靠mos管先開通驅動三極體開通（這個原理決定了它的開關速度比mos慢，比三極體快，和幾代技術無關）。mos管的最大劣勢是隨著耐壓升高，內阻迅速增大（不是線性增大），所以高壓下內阻很大，不能做大功率應用。
  • MOS管工作原理圖詳解-MOS管工作原理電路圖及結構分析-KIA MOS管
    MOS管工作原理圖電源開關電路詳解這是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡單解釋一下MOS的工作原理圖。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的為增強型MOSMOS管，其內部結構見mos管工作原理圖。它可分為NPN型PNP型。
  • MOS管在電動車窗開關上的應用
    而mos管在電動車窗的關鍵部位——開關，佔據了非常重要的位置。電動車窗開關分為功率型和信號型兩種，功率型為開關直接控制車窗電動機，信號型為開關先向汽車車身控制模塊（Body Control module,BCM）提供信號，再由BCM驅動電動車窗。
  • MOS管自舉電路工作原理及升壓自舉電路結構圖
    下面要分充電和放電兩個部分來說明這個電路。MOS管自舉電容工作原理：自舉電容，內部高端MOS需要得到高出IC的VCC的電壓，通過自舉電路升壓得到，比VCC高的電壓，否則，高端MOS無法驅動。自舉是指通過開關電源MOS管和電容組成的升壓電路，通過電源對電容充電致其電壓高於VCC。
  • MOS管驅動電路詳解
    MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。5、MOS管應用電路MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。
  • 深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
    本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/284443.htm　　首先我們來看下經常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道mos場效應管。　　在消費類電子設計中由於對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS場效應管來做電平的轉換、鋰電池的充電放電電路控制和電源的控制。
  • MOS管開關時的米勒效應--通俗易懂篇
    米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺，原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
  • 功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)
    CMOS電路都怕靜電 Mos開關原理（簡要）。Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻<Rds(on)>。
  • 功率MOS管燒毀的原因(米勒效應)!
    CMOS電路都怕靜電；Mos開關原理（簡要）。Mos是電壓驅動型器件，只要柵極和源級間給一個適當電壓，源級和漏級間通路就形成。這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻<Rds(on)>。這個內阻大小基本決定了mos晶片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。
  • 三極體和MOS管有啥區別?
    2、成本問題：三極體便宜，mos管貴。3、功耗問題：三極體損耗大。4、驅動能力：mos管常用來電源開關，以及大電流地方開關電路。三極體比較便宜，用起來方便，常用在數字電路開關控制。MOS管用於高頻高速電路，大電流場合，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的地方。
  • mos管驅動及應用電路
    選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。 第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統裡，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。
  • MOS管驅動電路詳細分析
    一、MOS管驅動電路綜述 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
  • 詳細講解MOS管驅動電路
    簡介：下面是我對MOS及MOS驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，並非原創。包括MOS管的介紹、特性、驅動以及應用電路。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/280904.htm　　在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但並不是優秀的，作為正式的產品設計也是不允許的。
  • 乾貨| 這樣講你就懂了:MOS管開關時的米勒效應
    米勒效應指在MOS管開通過程會產生米勒平臺，原理如下。理論上驅動電路在G級和S級之間加足夠大的電容可以消除米勒效應。但此時開關時間會拖的很長。一般推薦值加0.1Ciess的電容值是有好處的。下圖中粗黑線中那個平緩部分就是米勒平臺。
  • 詳解mos管原理及幾種常見失效分析
    本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201710/368826.htm　　mos管—工作原理　　mos管的工作原理（以N溝道增強型mos場效應管）它是利用VGS來控制「感應電荷」的多少，以改變由這些「感應電荷」形成的導電溝道的狀況，然後達到控制漏極電流的目的。
  • mos管如何並聯使用?
    通常是用來指電路中電子元件的連接方式，即並聯電路。 　　MOS管並聯方法電路圖 　　以3隻IR公司的IRF2807MOS管並聯試驗為例，工作電路圖如圖1。具體方法如下： 　　在每個MOS管串聯作電流檢測用的採樣電阻（圖中的RlO、Rll、R12），實時對流過每個MOS管的電流進行監測。
  • 詳細講解MOS管的米勒效應
    （Vgs上升，則導通電阻下降，從而Vds下降）米勒效應在MOS驅動中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發的米勒效應，在MOS管開通過程中，GS電壓上升到某一電壓值後GS電壓有一段穩定值，過後GS電壓又開始上升直至完全導通。為什麼會有穩定值這段呢？