TI推出1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

2021-01-10 華強電子網
TI推出1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET

德州儀器(TI)推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率電晶體，電阻實現業內最低，比傳統60-V負載開關低90%，同時，使終端系統功耗得以降低。CSD18541F5內置於微型1.53-mm x 0.77-mm矽基封裝，其負載開關的封裝體積比SOT-23中的減小80%。

　　CSD18541F5金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)保持典型的54-mΩ導通電阻(Rdson)，其設計與優化的目的是取代空間受限的工業負載開關應用中的標準小信號MOSFET。這種微型連接盤網格陣列(LGA)封裝的焊盤間距為0.5-mm，易於安裝。請閱讀博客文章了解更多信息：「藉助新型60V FemtoFET MOSFET縮小您的工業元件佔位面積」。

　　CSD18541F5是TI FemtoFET MOSFETs中NexFET?技術方案組合的新成員，擁有高電壓及生產友好型佔位面積。請下載設計綜述，了解有關LGA封裝的詳細信息。

　　CSD18541F5主要特點和優勢

　　·10-V柵源 (VGS)的超低54-mΩ Rdson比傳統60-V負載開關減小90%，使功耗得以降低。

　　·超小型1.53-mm x 0.77-mm x 0.35-mm LGA封裝比SOT-23封裝中的傳統負載開關尺寸減小80%，使印刷電路板 (PCB) 的空間得以降低。

　　·生產友好型0.5-mm焊盤間距。

　　·集成靜電放電(ESD)保護二極體可防止MOSFET柵過壓。

　　封裝和供貨

　　CSD18541F5內置於3針LGA封裝，目前可由TI及其授權分銷商批量供貨(單位數量1,000)。請下載PSpice瞬態模型。



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