TI 最新的 FemtoFET 產品:如沙礫一般渺小

2020-11-25 電子發燒友

TI 最新的 FemtoFET 產品：如沙礫一般渺小

佚名 發表於 2017-04-18 07:49:54

哪個含矽量更高：一粒沙子還是TI最新的FemtoFET產品？坐在沙灘椅上，看著大西洋的浪潮拍打著澤西海岸，我的腦海中反覆縈繞著這個問題。TI新發布的F3 FemtoFET，聲稱其產品尺寸小至0.6mm x 0.7mm x 0.35mm（見圖1），但含矽量卻輕鬆超過大西洋城人行板道下飛揚的沙礫。

 

 

 

圖1：F3 FemtoFET組合尺寸

查看最新產品，加入下表包括超低容量產品CSD15380F3在內的FemtoFET產品組合，。

部件編號

 

N/P

 

Vds

 

Vgs

 

Id Cont. (A)

 

典型的導通電阻 (mohm)

 

輸入電容 (pF)

 

4.5V

 

2.5V

 

1.8V

 

CSD15380F3

 

N

 

20

 

10

 

0.5

 

1170

 

2200

 

x

 

8.1

 

CSD25480F3

 

P

 

20

 

12

 

1.7

 

132

 

203

 

420

 

119

 

CSD23280F3

 

P

 

12

 

6

 

1.8

 

97

 

129

 

180

 

180

 

表1 F3 FemtoFETs

體積如此之小的設備，一個關鍵的考慮點是如何使用表面裝配技術（SMT）將FemtoFET與面板連接。設備面板的焊盤距離是影響客戶SMT設備能否處理組合產品的關鍵因素。大多數的高容量個人電子產品製造商擁有可以處理最小0.35mm焊盤距離的SMT設備，但部分工業用客戶的SMT設備最小焊盤距離僅能到0.5mm。

FemtoFET的連接盤網格陣列（LGA）封裝與矽晶片級封裝（CSP）相似，唯一的不同是LGA沒有附加錫球。F3 FemtoFET上的鍍金leads保留著與TI前代產品F4 FemtoFET一樣的0.35mm焊盤距離。這就給使用體積更小產品的F4客戶更強的信心，即他們的SMT設備可處理F3 FemtoFET。

為了使FemtoFET能應用到工業用設備，TI同時推出了焊盤距離為0.50mm的F5 FemtoFET系列產品，並將電壓範圍擴充至60V。了解更多60V F5設備，請閱讀我同事Brett Barr的博客文章，「Shrink 使用新一代60V FemtoFET MOSFET縮小工業設備體積。」

TI推薦使用無鉛（SnAgCu）SAC焊錫膏如SAC305用於mtoFET面板安裝。你可以選用第三類焊膏，但體積更小的第四類焊錫膏則是更優選擇。焊膏應免清洗，且可溶於水。不過，在面板安裝之後用焊劑進行清洗仍不失為是個絕妙主意。

使用面板模子在面板上標出將施加焊錫膏的點位。模子的厚度以及開口的長寬是重要的參數。模子最厚應不超過100µm。

低漏電型FemtoFET可用於各類可穿戴設備和個人通訊設備。由於柵極漏電和漏極漏電的單位數僅為納米安培級，FemtoFET可協助保證您的個人電子設備的充電電池可支撐使用一整天。自2013年以來，FemtoFET產品發行量已超過五億。這個夏天，我正在長灘島度假，在我的夢中，全都是這些有著完美焊盤距離的沙粒。更多內容，請點擊閱讀TI FemtoFET MOSFETS 產品家族。

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