應用STripFET技術的新低壓場效應MOS電晶體

2020-11-25 電子產品世界

　　意法半導體（紐約證券交易所：STM）推出多個基於其STripFET技術的低壓N溝道場效應MOS電晶體，這些產品的設計目標是超高開關頻率的應用，對計算機主板和電信客戶極具吸引力。

　　STripFET採用優化的布局和最新的製程，提高了柵電荷、柵電阻和輸入電容特性。低柵電荷特性使開關特性十分優秀，低柵電阻意味著瞬間響應速度快。這項技術還創造了極低的靈敏係數，等於降低了導通和開關損耗。

　　意法半導體發布的新產品包括STS12NH3LL, STSJ50NH3LL, STD55NH2LL, STD95NH02L, STL8NH3LL和STL50NH3LL。

　　STS12NH3LL是一款 30V的器件，額定電流12A。STSJ50NH3LL 是一款 30V的器件，額定電流 50A。兩款產品在10V時典型通態電阻均是0.008 歐姆，在4.5V時，通態電阻與柵電荷之間實現最佳組合。兩個產品都是為電信應用高頻直流-直流變換器和筆記本電腦內部電源管理電路而設計。

　　STS12NH3LL有用一個 SO-8 封裝， STSJ50NH3LL 採用一個PowerSO-8 封裝。

　　STD55NH2LL是一款 24V的器件，額定電流55A。10V時，典型通態電阻0.01 歐姆，4.5V時， 0.012 歐姆。這款器件為高頻直流-直流變換器而設計，它採用IPAK (TO-251) 通孔封裝和表面組裝DPAK (TO-252)封裝。

　　STD95NH02L是一款 24V的器件，額定電流80A。在5V時，典型通態電阻0.0039歐姆，5V時， 0.0055歐姆。由於柵電荷極低，在10V時，這款器件的典型靈敏係數值為136.5nC*Qg，這是目前市場上的最高水準，它採用表面組裝DPAK (TO-252)封裝。

　　STL8NH3LL 和 STL50NH3LL 目前採用PowerFLATTM 封裝，改進了晶片-佔板尺寸比，降低了封裝外廓尺寸和熱阻。

　　STL8NH3LL是一款30V 的器件，額定電流 8A。在10V時，通態電阻0.012歐姆，採用一個 3.3 x 3.3mm 的PowerFLATTM 封裝。

　　STL50NH3LL是一款30V 的器件，額定電流 27A。在10V時，典型通態電阻0.011歐姆，採用一個 6 x 5mm 的PowerFLATTM 封裝。

　　這兩款產品都用於隔離型直流-直流變換器的同步整流電路，以及降壓變換器的控制場效應FET電晶體。

　　所有產品都已上市銷售，定購30萬件的，單價區間在0.285到0.485美元之間。

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