9926 SOP-8 N+N雙晶片低壓大晶片MOS管

2020-12-03 驪微電子

9926mos管是性能很高的溝槽N溝道MOSFET，具有極高的單元密度，可為大多數小功率開關和負載開關應用提供出色的RDSON和柵極電荷，9926mos管符合RoHS和綠色產品要求，並獲得全面的功能可靠性認證。

9926mos管先進的高單元密度溝槽技術z超低柵極電荷z出色的Cdv / dt效應下降z綠色器件可用，雙N溝道場效應管，VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。

9926低壓mos絕對最大額定值：

灣脈衝測試：脈衝寬度≤300μs，佔空比≤2％，超出「絕對最大額定值」下列出的應力可能會對器件造成永久性損壞，這些僅是壓力等級和功能操作不暗示設備在這些或任何其他條件下超出規範操作部分所述的條件，暴露於絕對最大值延長期的額定條件可能會影響設備的可靠性。

驪微電子專注於各品牌DIP直插、SMD貼片集成電路IC,電源管理,二三極體,肖特基及快恢復,可控矽,整流橋堆等電子元器件,承接廠家BOM物料清單配套服務!

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    這個電流通路的電阻被成為mos內阻，就是導通電阻<Rds(on)>。這個內阻大小基本決定了mos晶片能承受的最大導通電流（當然和其它因素有關，最有關的是熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。Mos問題遠沒這麼簡單，麻煩在它的柵極和源級間，源級和漏級間，柵極和漏級間內部都有等效電容。
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