西安炬光發布300mW 635nm硬焊料單管紅光半導體雷射器

2021-01-15 OFweek維科網

        2009年7月20日，西安炬光最新發布300mW 635nm 單管半導體雷射器。該產品採用硬焊料C-mount封裝，輸出功率超過300mW, 光電轉換效率可達25%以上，波長在633±3nm。該產品具有中心波長更短、可靠性高、壽命長、光束質量好等優點，可根據客戶需求提供合適的快軸壓縮。同時，該產品彌補了炬光科技在低功率635nm單管上的空白，可廣泛應用於雷射顯示、雷射表演和雷射理療等方面。更短的中心波長更有利於光敏劑ALA的吸收，是光動力治療的理想光源。

300mW 635nm 單管半導體雷射器樣品

       這個產品的推出，更加豐富了炬光科技單管半導體雷射器的品種，除了635nm系列之外，炬光科技還可批量提供808nm 的2-8W、915nm的 8-12W單管半導體雷射器，標準產品有C-mount和F-mount兩種封裝形式，還可根據客戶的特殊結構要求進行個性化定製。

       關於炬光
        西安炬光科技有限公司是專業從事高功率半導體雷射器及系統研發、生產、銷售與應用的高新技術企業。公司擁有國際一流的人才團隊、完善的封裝結構設計－封裝工藝－測試表徵－光學整形和耦合－系統集成生產線，可為客戶提供高功率、長壽命、大批量、OEM設計的8大系列100多種雷射產品，技術指標達到國際先進水平。

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    半導體雷射器件，一般可分為同質結、單異質結、雙異質結。同質結雷射器和單異質結雷射器室溫時多為脈衝器件，而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。半導體雷射器的優點在於體積小、重量輕、運轉可靠、能耗低、效率高、壽命長、高速調製，因此半導體雷射器在雷射通信、光存儲、光陀螺、雷射列印、雷射醫療、雷射測距、雷射雷達、自動控制、檢測儀器等領域得到了廣泛的應用。
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  • 紅光半導體雷射器與氦氖雷射器對比
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  • 半導體雷射器基礎知識簡介
    半導體雷射器件，一般可分為同質結、單異質結、雙異質結。同質結雷射器和單異質結雷射器室溫時多為脈衝器件，而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。　　小功率半導體雷射器（信息型雷射器），主要用於信息技術領域，例如用於光纖通信及光交換系統的分布反饋和動態單模雷射器（DFB-LD）、窄線寬可調諧雷射器、用於光碟等信息處理領域的可見光波長雷射器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。
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    半導體雷射器件，一般可分為同質結、單異質結、雙異質結。同質結雷射器和單異質結雷射器室溫時多為脈衝器件，而雙異質結雷射器室溫時可實現連續工作。光泵浦激勵式半導體雷射器一般用N型或P型半導體單晶（GaAS、InAs、InSb等）作為工作物質，以其它雷射器發出的雷射作光泵激勵。　　目前在半導體雷射器件中，性能較好、應用較廣的是：具有雙異質結構的電注入式GaAs二極體半導體雷射器。　　半導體光電器件的工作波長與半導體材料的種類有關。
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    由於國外半導體雷射器研發起步早，產業化早，技術積累更深厚，因此其產品佔據較大市場份額。國內半導體雷射器產業化相對較晚，但隨著應用市場的快速擴大，也孕育出一批極具競爭力的企業，如山東華光光電（1999.11.成立）、西安華科光電（2002.9.成立）、北京凱普林光電（2003.3.成立）、西安炬光科技（2009.9.成立）、蘇州長光華芯（2012.3.成立）等。
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    1982年日本先鋒公司用夏普公司製造的這種近紅外LD代替氣體雷射管,並將其安裝在CD播放機上，從此LD作為光碟讀出光源的時代正式到來了。隨著光碟的高密度化，LD也向短波長方向發展。1985年，以Kobayashi小組為首的多個研究機構採用AlGaInP材料成功地實現了670nm紅光LD的室溫連續振蕩，1992年Hiroyama等人又開發出了630nm紅光LD，這種紅光LD就是現在用於DVD的光源。
  • 垂直腔面發射半導體雷射器的特性及其研究現狀
    早期的垂直外腔面發射雷射器依舊採用電抽運（EP）方式，目前EP - VECSEL單管獲得了超過9 W的連續輸出。可是電抽運VCSEL和VECSEL均因電流注入不均勻和串聯電阻熱堆積，在單橫模工作模式下高功率輸出受到限制。1997年，Kuznetsov等提出的光抽運垂直外腔面發射雷射器（OP - VECSEL），也有人稱為半導體碟片雷射器（SDL）。
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  • 光纖雷射器泵浦源-9xxnm/25W/105um高亮度半導體雷射器
    作為目前世界領先的光纖雷射器泵浦源製造商，凱普林在光纖雷射器泵浦源技術上不斷實現突破，憑藉在半導體雷射工藝十幾年的技術積累，成功開發並量產了高亮度半導體雷射器系列產品。其自主研發的多路半導體雷射器封裝耦合技術針對光纖雷射器體積小、結構簡單、高功率等需求，集成了半導體雷射器小型化封裝、高功率密度輸出和防反射等凱普林自有智慧財產權的核心技術，形成了針對不同光纖雷射器用戶的解決方案。
  • 應用於大功率雷射器單管和Bar條晶片封裝的貼片解決方案
    應用於大功率雷射器單管和Bar條晶片封裝的貼片解決方案 HPLD還廣泛地應用於醫療領域，例如光動力療法，雷射美容和外科手術，以及包括塗覆，3D列印，切割和焊接在內的直接半導體雷射器材料加工。 HPLD的另一個應用領域是國防工業，其增長由定向能量武器驅動。 HPLD提供的波長範圍是400nm至2000nm，光輸出功率範圍為1W至300 + W是任何其他雷射器所無法比擬的， [1]，其在最小的體積內具有最高的電光(EO)轉換效率(高達65%)。
  • 深度好文:大功率半導體雷射器研究進展!
    半導體雷射器單管合束是由雷射單管組成的最小光學模組，可以直接合束實現光纖輸出。雷射器單管合束的優點是: 壽命長、可靠性高，慢軸光束質量比較好，可耦合進芯徑≤100μm的光纖; 由於熱源分散且發熱量小，可以採用傳導冷卻或風冷，因而光源模組整體體積小，重量輕; 無需高電流驅動，可以採用並聯方式，對電源要求也比較低。
  • 矽/有機混合雷射器輸出紅光
    作者：Bridget Marx 英國聖安德魯斯大學有機半導體中心的研究人員開發出了混合矽/聚合物面發射紅光雷射器。該款雷射器利用聚合物增強矽基的雷射輸出，具有室溫運行和可調諧的特性，其有望成為用於晶片之間通信的低成本光源。
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    半導體雷射器簡介 半導體雷射器又稱雷射二極體，是用半導體材料作為工作物質的雷射器。由於物質結構上的差異，不同種類產生雷射的具體過程比較特殊。常用工作物質有砷化鎵（GaAs）、硫化鎘（CdS）、磷化銦（InP）、硫化鋅（ZnS）等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。
  • 炬光科技擬A股IPO 募資7億元投建微光學器件等項目
    集微網消息 近日，陝西監管局披露了中信建投證券股份有限公司關於西安炬光科技股份有限公司（以下簡稱：炬光科技）輔導備案申請報告。2020年7月，中信建投與矩光科技籤署了上市輔導協議，中信建投接受炬光科技的委託，同意作為其首次公開發行股票並A股上市的輔導機構。資料顯示，炬光科技註冊資本為6347萬元，公司是一家專業從事高功率半導體雷射器及微光學相關產品研發、生產、銷售與應用的國家級高新技術企業。