沉銅質量控制方法

化學鍍銅(Electroless Plating Copper)俗稱沉銅。印製電路板孔金屬化技術是印製電路板製造技術的關鍵之一。嚴格控制孔金屬化質量是確保最終產品質量的前提，而控制沉銅層的質量卻是關鍵。日常用的試驗控制方法如下：

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1.化學沉銅速率的測定：

使用化學沉銅鍍液，對沉銅速率有一定的技術要求。速率太慢就有可能引起孔壁產生空洞或針孔;而沉銅速率太快，將產生鍍層粗糙。為此，科學的測定沉銅速率是控制沉銅質量的手段之一。以先靈提供的化學鍍薄銅為例，簡介沉銅速率測定方法：

(1)材料：採用蝕銅後的環氧基材，尺寸為100×100(mm)。

(2)測定步驟：A.將試樣在120-140℃烘1小時，然後使用分析天平稱重W1(g);B.在350-370克/升鉻酐和208-228毫升/升硫酸混合液(溫度65℃)中腐蝕10分鐘，清水洗淨;C.在除鉻的廢液中處理(溫度30-40℃)3-5分鐘，洗乾淨;D.按工藝條件規定進行預浸、活化、還原液中處理;E.在沉銅液中(溫度25℃)沉銅半小時，清洗乾淨; F.試件在120-140℃烘1小時至恆重，稱重W2(g)。

(3) 沉銅速率計算：速率=(W2-W1)104/8.93×10×10×0.5×2(μm)

(4) 比較與判斷：把測定結果與工藝資料提供的數據進行比較和判斷。

2.蝕刻液蝕刻速率測定方法

通孔鍍前，對銅箔進行微蝕處理，使微觀粗化，以增加與沉銅層的結合力。為確保蝕刻液的穩定性和對銅箔蝕刻的均勻性，需進行蝕刻速率的測定，以確保在工藝規定的範圍內。

(1)材料：0.3mm覆銅箔板，除油、刷板，並切成100×100(mm);

(2)測定程序：A.試樣在雙氧水(80-100克/升)和硫酸(160-210克/升)、溫度30℃腐蝕2分鐘，清洗、去離子水清洗乾淨;B.在120-140℃烘1小時，恆重後稱重W2(g)，試樣在腐蝕前也按此條件恆重稱重W1(g)。

(3)蝕刻速率計算速率=(W1-W2)104/2×8.933T(μm/min)

式中：s-試樣面積(cm2) T-蝕刻時間(min)

(4)判斷：1-2μm/min腐蝕速率為宜。(1.5-5分鐘蝕銅270-540mg)。

3.玻璃布試驗方法

在孔金屬化過程中，活化、沉銅是化學鍍的關鍵工序。儘管定性、定量分析離子鈀和還原液可以反映活化還原性能，但可靠性比不上玻璃布試驗。在玻璃布沉銅條件最苛刻，最能顯示活化、還原及沉銅液的性能。現簡介如下：

(1)材料：將玻璃布在10%氫氧化鈉溶液裡進行脫漿處理。並剪成50×50(mm),四周末端除去一些玻璃絲，使玻璃絲散開。

(2)試驗步驟：A.將試樣按沉銅工藝程序進行處理;

B.置入沉銅液中，10秒鐘後玻璃布端頭應沉銅完全，呈黑色或黑褐色，2分鐘後全部沉上，3分鐘後銅色加深;對沉厚銅，10秒鐘後玻璃布端頭必須沉銅完全，30-40秒後，全部沉上銅;

C.判斷：如達到以上沉銅效果，說明活化、還原及沉銅性能好，反則差。