關斷損耗 —問題尚未結束
在硬開關、鉗位感性電路中，MOSFET的關斷損耗比IGBT低得多，原因在於IGBT 的拖尾電流，這與清除圖1中PNP BJT的少數載流子有關。圖7顯示了集電極電流ICE和結溫Tj的函數Eoff，其曲線在大多數IGBT數據表中都有提供。這些曲線基於鉗位感性電路且測試電壓相同，並包含拖尾電流能量損耗。
圖7 本圖表顯示IGBT的Eoff隨ICE及Tj的變化
圖2顯示了用於測量IGBT Eoff的典型測試電路， 它的測試電壓，即圖2中的VDD，因不同製造商及個別器件的BVCES而異。在比較器件時應考慮這測試條件中的VDD，因為在較低的VDD鉗位電壓下進行測試和工作將導致Eoff能耗降低。
降低柵極驅動關斷阻抗對減小IGBT Eoff損耗影響極微。如圖1所示，當等效的多數載流子MOSFET關斷時，在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td（off）I。不過，降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 （Miller capacitance） CRES和關斷VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動迴路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。
ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過ZVS的工作優點在IGBT中沒有那麼大，因為當集電極電壓上升到允許多餘存儲電荷進行耗散的電勢值時，會引發拖尾衝擊電流Eoff。ZCS拓撲可以提升最大的IGBT Eoff性能。正確的柵極驅動順序可使IGBT柵極信號在第二個集電極電流過零點以前不被清除，從而顯著降低IGBT ZCS Eoff 。
MOSFET的 Eoff能耗是其米勒電容Crss、柵極驅動速度、柵極驅動關斷源阻抗及源極功率電路路徑中寄生電感的函數。該電路寄生電感Lx （如圖8所示） 產生一個電勢，通過限制電流速度下降而增加關斷損耗。在關斷時，電流下降速度di/dt由Lx和VGS（th）決定。如果Lx=5nH，VGS（th）= 4V，則最大電流下降速度為VGS（th）/Lx=800A/μs。
圖8 典型硬開關應用中的柵極驅動電路
總結
在選用功率開關器件時，並沒有萬全的解決方案，電路拓撲、工作頻率、環境溫度和物理尺寸，所有這些約束都會在做出最佳選擇時起著作用。在具有最小 Eon損耗的ZVS 和 ZCS應用中，MOSFET由於具有較快的開關速度和較少的關斷損耗，因此能夠在較高頻率下工作。對硬開關應用而言，MOSFET寄生二極體的恢復特性可能是個缺點。相反，由於IGBT組合封裝內的二極體與特定應用匹配，極佳的軟恢復二極體可與更高速的SMPS器件相配合。