幹膜技術性能全方位介紹

印製電路製造者都希望選用性能良好的幹膜，以保證印製板質量，穩定生產，提高效益。近年來隨著電子工業的迅速發展，印製板的精度密度不斷提高，為滿足印製板生產的需要，不斷有推出新的幹膜產品，性能和質量有了很大的改進和提高。

使用幹膜時，首先應進行外觀檢查。質量好的幹膜必須無氣泡、顆粒、雜質；抗蝕膜厚度均勻；顏色均勻一致；無膠層流動。如果幹膜存在上述要求中的缺陷，就會增加圖像轉移後的修版量，嚴重者根本無法使用。膜卷必須卷繞緊密、整齊，層間對準誤差應小於1mm，這是為了防止在貼膜時因卷繞誤差而弄髒熱壓輥，也不會因卷繞不緊而出現連續貼膜的故障。聚酯薄膜應儘可能薄，聚酯膜太厚會造成曝光時光線嚴重散射，而使圖像失真，降低幹膜解析度。聚酯薄膜必須透明度高，否則會增加曝光時間。聚乙烯保護膜厚度應均勻，如厚度不均勻將造成光致抗蝕層膠層流動，嚴重影響幹膜的質量。一般在產品包裝單或產品說明書上都標出光致抗蝕層的厚度，可根據不同的用途選用不同厚度的幹膜。如印製蝕刻工藝可選光致抗蝕層厚度為25μm 的幹膜，圖形電鍍工藝則需選光致抗蝕層厚度為38μm 的幹膜。如用於掩孔，光致抗蝕層厚度應達到50μ m。

當在加熱加壓條件下將幹膜貼在覆銅箔板表面上時，貼膜機熱壓輥的溫度105土10℃，傳送速度0.9～1.8米/分，線壓力0.54公斤/cm，幹膜應能貼牢。

感光性包括感光速度、曝光時間寬容度和深度曝光性等。感光速度是指光致抗蝕劑在紫外光照射下，光聚合單體產生聚合反應形成具有一定抗蝕能力的聚合物所需光能量的多少。在光源強度及燈距固定的情況下，感光速度表現為曝光時間的長短，曝光時間短即為感光速度快，從提高生產效率和保證印製板精度方面考慮，應選用感光速度快的幹膜。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/261215.htm

幹膜曝光一段時間後，經顯影，光致抗蝕層已全部或大部分聚合，一般來說所形成的圖像可以使用，該時間稱為最小曝光時間。將曝光時間繼續加長，使光致抗蝕劑聚合得更徹底，且經顯影后得到的圖像尺寸仍與底版圖像尺寸相符，該時間稱為最大曝光時間。通常幹膜的最佳曝光時間選擇在最小曝光時間與最大曝光時間之間。最大曝光時間與最小曝光時間之比稱為曝光時間寬容度。

幹膜的深度曝光性很重要。曝光時，光能量因通過抗蝕層和散射效應而減少。若抗蝕層對光的透過率不好，在抗蝕層較厚時，如上層的曝光量合適，下層就可能不發生反應，顯影后抗蝕層的邊緣不整齊，將影響圖像的精度和解析度，嚴重時抗蝕層容易發生起翹和脫落現象。為使下層能聚合，必須加大曝光量，上層就可能曝光過度。

幹膜的顯影性是指幹膜按最佳工作狀態貼膜、曝光及顯影后所獲得圖像效果的好壞，即電路圖像應是清晰的，未曝光部分應去除乾淨無殘膠。曝光後留在板面上的抗蝕層應光滑，堅實。幹膜的耐顯影性是指曝光的幹膜耐過顯影的程度，即顯影時間可以超過的程度，耐顯影性反映了顯影工藝的寬容度。幹膜的顯影性與耐顯影性直接影響生產印製板的質量。顯影不良的幹膜會給蝕刻帶來困難，在圖形電鍍工藝中，顯影不良會產生鍍不上或鍍層結合力差等缺陷。幹膜的耐顯影性不良， 在過度顯影時，會產生幹膜脫落和電鍍滲鍍等毛病。上述缺陷嚴重時會導致印製板報廢。

所謂解析度是指在1mm的距離內，幹膜抗蝕劑所能形成的線條或間距的條數，解析度也可以用線條或間距絕對尺寸的大小來表示。幹膜的解析度與抗蝕劑膜厚及聚酯薄膜厚度有關。抗蝕劑膜層越厚，解析度越低。光線透過照相底版和聚酯薄膜對幹膜曝光時，由於聚酯薄膜對光線的散射作用，使光線側射，因而降低了幹膜的解析度，聚酯薄膜越厚，光線側射越嚴重，解析度越低。通常能分辨的最小平行線條寬度，一級指標＜0.1mm ，二級指標≤ 0.15mm。

光聚合後的幹膜抗蝕層，應能耐三氯化鐵蝕刻液、過硫酸銨蝕刻液、酸性氯化銅蝕刻液、硫酸——過氧化氫蝕刻液的蝕刻。在上述蝕刻液中，當溫度為50—55℃時，幹膜表面應無發毛、滲漏、起翹和脫落現象。

在酸性光亮鍍銅、氟硼酸鹽普通錫鉛合金、氟硼酸鹽光亮鍍錫鉛合金以及上述電鍍的各種鍍前處理溶液中，聚合後的於膜抗蝕層應無表面發毛、滲鍍、起翹和脫落現象。曝光後的幹膜，經蝕刻和電鍍之後，可以在強鹼溶液中去除，一般採用3—5 ％的氫氧化鈉溶液，加溫至60℃左右，以機械噴淋或浸泡方式去除，去膜速度越快越有利於提高生產效率。去膜形式最好是呈片狀剝離，剝離下來的碎片通過過濾網除去，這樣既有利於去膜溶液的使用壽命，也可以減少對噴咀的堵塞。通常在3—5 ％ （重量比）的氫氧化鈉溶液中，液溫60土10℃，一級指標為去膜時間30—75秒，二級指標為去膜時間60—150秒，去膜後無殘膠。

幹膜在儲存過程中可能由於溶劑的揮發而變脆，也可能由於環境溫度的影響而產生熱聚合，或因抗蝕劑產生局部流動而造成厚度不均勻即所謂冷流，這些都嚴重影響幹膜的使用。因此在良好的環境裡儲存幹膜是十分重要的。幹膜應儲存在陰涼而潔淨的室內，防止與化學藥品和放射性物質一起存放。儲存條件為：黃光區，溫度低於27℃（5—21 ℃ 為最佳），相對溼度50％左右。儲存期從出廠之日算起不大於六個月，超過儲存期檢驗合格者仍可使用。在儲存和運輸過程中應避免受潮、受熱、受機械損傷和受日光直接照射。

在生產操作過程中為避免漏曝光和重曝光，幹膜在曝光前後顏色應有明顯的變化，這就是幹膜的變色性能。當使用於膜作為掩孔蝕刻時，要求幹膜具有足夠的柔韌性，以能夠承受顯影過程、蝕刻過程液體壓力的衝擊而不破裂，這就是幹膜的掩蔽性能。