【4200 SMU應用文章】之實例篇:測量範德堡法電阻率和霍爾電壓

打開APP

【4200 SMU應用文章】之實例篇：測量範德堡法電阻率和霍爾電壓

泰克科技 發表於 2020-01-15 11:18:39

作者：泰克科技

半導體材料研究和器件測試通常要測量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導體材料的電阻率主要取決於體摻雜，在器件中，電阻率會影響電容、串聯電阻和閾值電壓。霍爾電壓測量用來推導半導體類型（n還是p）、自由載流子密度和遷移率。

為確定半導體範德堡法電阻率和霍爾電壓，進行電氣測量時需要一個電流源和一個電壓表。為自動進行測量，一般會使用一個可編程開關，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側。4200A-SCS參數分析儀擁有4個源測量單元（SMUs）和4個前置放大器（用於高電阻測量），可以自動進行這些測量，而不需可編程開關。用戶可以使用4個中等功率SMU （4200-SMU， 4201-SMU）或高功率SMU （4210-SMU， 4211-SMU），對高電阻材料，要求使用4200-PA前置放大器。4200A-SCS包括多項內置測試，在需要時把SMU的功能自動切換到電壓表或電流源，霍爾電壓測量要求對樣本應用磁場。

4200A-SCS包括交互軟體，在半導體材料上進行範德堡法和霍爾電壓測量。4200A-SCS Clarius+軟體提供了全面的程序庫，除電阻率和霍爾電壓測試外，還包括許多其他測試和項目。範德堡法和霍爾電壓測試是在Clarius V1.5和V1.6中新增的，包括計算確定表面或體積電阻率、霍爾遷移率和霍爾係數。

範德堡法電阻率測量

人們通常使用範德堡法（vdp）推導半導體材料的電阻率。這種四線方法用在擁有四個端子、均勻厚度的小的扁平形樣本上。電流通過兩個端子施加到樣本上，透過相反的兩個端子測量電壓下跌，如圖1所示。

圖1. 範德堡法配置

使用圖2所示的SMU儀器配置，圍著樣本的邊緣重複測量8次。

圖2. 範德堡法電阻率測量慣例。

然後使用這一串8項電壓測量（V1-V8）和測試電流（I）來計算電阻率（ρ），ρA和ρB是體積電阻率，fA和fB是樣本對稱度的幾何因數，與兩個電阻比率QA和QB相關。公式如下：

圖3. 電阻率計算公式

霍爾電壓測量

霍爾電壓測量對半導體材料表徵具有重要意義，因為從霍爾電壓和電阻率可以導出傳導率類型、載流子密度和遷移率。在應用磁場後，可以使用下面的I-V測量配置測量霍爾電壓：

圖4. 霍爾電壓測量配置。

把正磁場B垂直應用到樣本，在端子3和端子1之間應用一個電流（I31pBp），測量端子2和端子4之間的電壓下跌（V24pBp）。顛倒電流（I31nBp），再次測量電壓下跌（V24nBp）。這種顛倒電流方法用來校正偏置電壓。然後，從端子2到端子4應用電流（I24pBp），測量端子1和端子3之間的電壓下跌（V13pBp）。顛倒電流（I24nBp），再次測量電壓下跌（V13nBp）。顛倒磁場Bn，再次重複這一過程，測量電壓下跌V24pBn、V24nBn、V13pBn和V13nBn。

從8項霍爾電壓測量中，可以使用下面的公式計算平均霍爾係數，RHC和RHD是霍爾係數（cm3/C），計算出RHC和RHD後，可以通過下面的公式確定平均霍爾係數（RHAVG），從範德堡法電阻率（ρAVG）（表示為輸出參數Volume_Resistivity）和霍爾係數（RHAVG）中，可以計算出霍爾遷移率（μH）。

使用4200A測量範德堡法電阻率和霍爾電壓

4200A-SCS配有四個SMU和前置放大器，簡化了範德堡法和霍爾電壓測量，因為它包含多項內置測試，可以自動完成這些測量。在使用這些內置測試時，四個SMUs連接到樣本的四個端子上，如圖5所示。對每項測量，每個SMU的功能會在電流源、電壓表或公共之間變化。先測量八項測試中每項測試的電壓下跌和測試電流，然後導出電阻率或霍爾係數。霍爾電壓測量要求對樣本應用一個磁場。

圖5. 四個SMUs連接到被測樣本的四個端子上。

Clarius+測試庫包括範德堡法和霍爾遷移率測量的測試。在Select視圖中，可以使用屏幕右側Material材料過濾器，在Test Library測試庫中找到這些測試，如圖6所示。選擇測試，然後選擇Add添加，可以把這些測試添加到項目樹中。這些測試從vdpulib用戶程序庫中的用戶模塊創建。

圖6. 選擇範德堡法電阻率和霍爾係數測試。

可以使用範德堡法表面和體積電阻率測試。測試庫有兩項電阻率測試：vdp-surface-resistivity和vdp-volume-resistivity。vdp-surface-resistivity測試測量和計算電阻率，單位為Ω/square。對vdp-volume-resistivity測試，用戶必須輸入樣本厚度，然後計算出電阻率，單位為Ω-cm。對這兩項測試，都強制應用電流，進行8項電壓測量。

還可以使用霍爾係數測試。使用四臺SMU儀器，強制應用電流，使用正負磁場進行8項電壓測量。磁場使用固定磁鐵生成，會提示用戶顛倒磁場。可以在測試庫中找到hall-coefficient測試，添加到項目樹中。

為成功地進行電阻率測量，我們必需考慮潛在的錯誤來源。主要為靜電幹擾、洩漏電流、光線、溫度、載流子注入等。1）靜電幹擾：當帶電物體放到不帶電物體附近時，會發生靜電幹擾。通常情況下，幹擾的影響並不顯著，因為電荷在低電阻時會迅速消散。但是，高電阻材料不允許電荷迅速衰退，所以可能會導致測量不穩定。由於DC或DC靜電場，可能會產生錯誤的讀數。2）洩漏電流：對高電阻樣本，洩漏電流可能會劣化測量，洩漏電流源於電纜、探頭和測試夾具的絕緣電阻，通過使用優質絕緣體、降低溼度、使用保護裝置等，可以最大限度地降低洩漏電流。3）光線：光敏效應產生的電流可能會劣化測量，特別是在高電阻樣本上。為防止這種效應，應把樣本放在暗艙中。4）溫度：熱電電壓也可能會影響測量精度，源電流導致的樣本變熱也可能會產生熱電電壓，實驗室環境中的溫度波動也可能會影響測量。由於半導體的溫度係數相對較大，所以可能需要使用校正因數，補償實驗室中的溫度變化。5）載流子注入：此外，為防止少數/多數載流子注入影響電阻率測量，兩個電壓傳感端子之間的電壓差應保持在100mV以下，理想情況下是25mV，因為熱電壓kt/q約為26mV。在不影響測量精度的情況下，測試電流應儘可能低。

通過使用四個SMUs和內置測試，可以利用4200A-SCS參數分析儀簡便地在半導體材料上實現範德堡法測量。通過使用用戶提供的磁鐵，還可以確定霍爾遷移率。如果想測試低電阻材料（如導體），可以使用基於Keithley 3765霍爾效應卡的系統，包括2182A納伏表。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴