氮化硼是一種由SP2雜化的原子構成的層狀材料，層之間主要是由範德瓦爾斯力作用。雖然石墨和氮化硼電子相等，但他們的性質由於B-N鍵的部分離子而不同，石墨是導體，但氮化硼有著很大的帶隙的半導體，近年來，氮化硼單層結構的應用成為了熱點話題，例如石墨的導電性讓我們可以以碳為基底製備電化學能量儲存的材料。
經過研究發現利用納米尺寸石墨孔洞製備分子和離子設備的可能性，經過眾多科學家大量的研究，一種是通過控制薄片的尺寸來改變其電學性質。另一種研究的途徑是探討了化學性改變的石墨和類似材料。在單層薄片上化學吸附氫原子以及完全氫化的石墨；石墨上氫原子的化學吸附被預言是集中的：當覆蓋面低,化學吸附熱是正，說明是需要能量去形成。但是,一旦有一些吸附,進一步的吸附就更為容易,最終導致了負的平均化學吸附熱。只氫化一邊的石墨片的化學吸附熱儘管會隨著石墨片的彎曲度改變,但是始終是正。
但完全氫化的石墨片的結合能比較低。從描述和氮化硼和石墨之間的相似鍵可發現關於類似氮化硼的硼碳氮化物BC2N和其完全氫化衍生物BNH2的存在及其性質問題。氮化硼有一個閃鋅礦基態,也有相當於石墨的六角亞穩態。
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