FSMC驅動TFTLCD原理,時序和寄存器介紹

一,FSMC簡介

FSMC:靈活的靜態存儲控制器能夠與同步或異步存儲器和16位PC存儲器卡連接STM32的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲器STM32 407和103是不支持SD RAM的,429,439支持SD RAM操作12345

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二,FSMC驅動LCD原理

FSMC驅動外部SRAM(LCD被當做SRAM)

SRAM控制包含:    地址線（如A0~A25）    數據線（如D0~D15）    寫信號（WE，即WR）    讀信號（OE，即RD）    片選信號（CS）    若SRAM支持字節控制，還有UB/LB信號。12345678

上一節提到的TFTLCD信號,RS、D0~D15、WR、RD、CS、RST和BL等

其中真正操作LCD時用到的就只有：    數據&命令:RS    數據線:D0~D15    寫信號:WR    讀信號:RD    片選信號:CS1234567

操作時序和SRAM控制類似，唯一不同是TFTLCD有RS信號，但是沒有地址信號

TFTLCD通過RS信號來決定傳送是數據還是命令，可以理解為一個地址信號 
將RS接到FSMC地址線A10(A0-A25隨意),TFTLCD就被當做一個SRAM使用 
這樣TFTLCD成為只有一個地址的SRAM設備,從而實現FSMC驅動TFTLCD

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三,FSMC存儲塊

STM32的FSMC支持8/16/32位數據寬度，我們使用的LCD為16位，所以設置選擇16位 
FSMC的外部設備地址映像:STM32的FSMC將外部存儲器劃分為固定大小為256M字節的四個存儲塊

如圖:    FSMC分為4塊,每塊256M字節又被劃分為4*64,即四個片選    NOR / PSRAM使用塊1,共256M    NAND快閃記憶體使用塊2,3,共512M    PC卡使用塊4,共256M123456

所以我們使用NOR PSRAM驅動TFTLCD

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四,存儲塊1(Bank1)寄存器介紹

STM32的FSMC存儲塊1（Bank1）用於驅動NOR FLASH/SRAM/PSRAM 
Bank1被分為4個區，每個區管理64M字節空間，每個區都有獨立的寄存器對所連接的存儲器進行配置。 
Bank1的256M字節空間由28根地址線（HADDR[27:0]）尋址。 這裡HADDR，是內部AHB地址總線 
HADDR[25:0]來自外部存儲器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[26:27]對4個區進行尋址。

如下圖所示:

說明:     HADDR[27:26]是不可手動配置的,當選擇所在區後會自動賦值注意:     1,當Bank1接 8位寬度存儲器時：HADDR[25:0] -> FSMC_A[25:0]     2,當Bank1接16位寬度存儲器時：HADDR[25:1] -> FSMC_A[24:0]        由於內部每個地址對應一個字節,外部設備16位寬,FSMC的一個地址對應兩個字節        即:             0000對應FSMC_A[0]=0   (2位元組)             0010對應FSMC_A[0]=1   (2位元組)             0100對應FSMC_A[1]=1   (2位元組)        所以對應關係需要除以2,內部右移一位對齊        此時最低位沒用,訪問最低位需要使用UB/LB     不論外部接8位/16位寬設備，FSMC_A[0]永遠接在外部設備地址A[0]123456789101112131415161718

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五,存儲塊1(Bank1)模式A讀寫時序

STM32的FSMC存儲塊1支持的異步突發訪問模式 
包括模式1,模式A~D等多種時序模型，驅動SRAM一般使用模式1或模式A 
我們使用模式A驅動LCD(當做SRAM使用),模式A支持讀寫時序分開設置

上一篇說的LCD時序,我們知道,LCD的讀寫耗時是不同的.寫快讀慢 
這裡採用模式A,針對不同的速度,做不同的設置

模式A讀時序:

模式A寫時序:

ILI9341時序-讀寫高低電平最小持續時間:

根據ILI9341時序讀寫高低電平最小持續時間來配置模式A的讀寫時序

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六,FSMC相關寄存器介紹

對於NOR FLASH/PSRAM控制器-存儲塊1，可通過FSMC_BCRx、FSMC_BTRx和FSMC_BWTRx寄存器設置（其中x=1~4，對應4個區）。 
通過這3個寄存器，可以設置FSMC訪問外部存儲器的時序參數，拓寬了可選用的外部存儲器的速度範圍。

1,SRAM/NOR快閃記憶體片選控制寄存器（FSMC_BCRx）

EXTMOD：     擴展模式使能位，控制是否允許讀寫不同的時序，需設置為1WREN：     寫使能位。我們要向TFTLCD寫數據，需設置為1MWID[1:0]：     存儲器數據總線寬度。00，表示8位數據模式；01表示16位數據模式；10和11保留。     我們的TFTLCD是16位數據線，需設置WMID[1:0]=01。MTYP[1:0]：     存儲器類型。00表示SRAM、ROM；01表示PSRAM；10表示NOR FLASH;11保留。     我們把LCD當成SRAM用，需設置MTYP[1:0]=00。MBKEN：     存儲塊使能位。需設置為112345678910111213

2,SRAM/NOR快閃記憶體片選時序寄存器（FSMC_BTRx）-讀時序控制

ACCMOD[1:0]：     訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。     我們使用模式A,需設置為00DATAST[7:0]：     數據保持時間，等於: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。     對於ILI9341相當於RD低電平持續時間,最大355ns     對於STM32F1，一個HCLK=13.8ns (1/72M)，設置為15,相當於16個HCLK=220.8,加上STM32F1的FSMC性能較低一些,配置為15即可     對於STM32F4，一個HCLK=6ns(1/168M) ，設置為60(360)。ADDSET[3:0]：     地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大為15。     對ILI9341來說，這裡相當於RD高電平持續時間，為90ns。     STM32F1的FSMC性能較低,即便設置為0,RD也有190ns高電平,所以設置為1     STM32F1設置為15注意:     如果未設置EXTMOD位,則讀寫共用FSMC_BTRx時序寄存器12345678910111213141516171819

3,SRAM/NOR快閃記憶體寫時序寄存器（FSMC_BWTRx）-寫時序控制

ACCMOD[1:0]：     訪問模式。00:模式A；01:模式B；10:模式C；11:模式D。DATAST[7:0]：     數據保持時間，等於: DATAST(+1)個HCLK時鐘周期，DATAST最大為255。     對ILI9341來說，其實就是WR低電平持續時間，為15ns，不過ILI9320等則需要50ns。     考慮兼容性，對STM32F1一個HCLK=13.8ns (1/72M)，設置為3(4*13.8=55.2)；     對STM32F4，一個HCLK=6ns(1/168M) ，設置為9(9*6=54)。ADDSET[3:0]：     地址建立時間。表示：ADDSET+1個HCLK周期，ADDSET最大值為1111 = 15。     對ILI9341來說，這裡相當於WR高電平持續時間，為15ns。     考慮兼容ILI9320，STM32F1即便設置為1,WR也有100ns高電平，所以設置為1。     而對STM32F4，則設置為8(9*6=54)12345678910111213

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七,寄存器組合說明

ST官方庫寄存器定義中並沒有FSMC_BCRx、FSMC_BTRx、FSMC_BWTRx等單獨寄存器 
而是將他們進行了一些組合。規律如下：

FSMC_BCRx和FSMC_BTRx，組合成BTCR[8]寄存器組，他們的對應關係如下：

BTCR[0]對應FSMC_BCR1，BTCR[1]對應FSMC_BTR1BTCR[2]對應FSMC_BCR2，BTCR[3]對應FSMC_BTR2BTCR[4]對應FSMC_BCR3，BTCR[5]對應FSMC_BTR3BTCR[6]對應FSMC_BCR4，BTCR[7]對應FSMC_BTR412345

FSMC_BWTRx則組合成BWTR[7]，他們的對應關係如下：

BWTR[0]對應FSMC_BWTR1，BWTR[2]對應FSMC_BWTR2，BWTR[4]對應FSMC_BWTR3，BWTR[6]對應FSMC_BWTR4，BWTR[1]、BWTR[3]和BWTR[5]保留

關鍵字：FSMC  驅動TFTLCD  時序  寄存器 編輯：什麼魚 引用地址：http://news.eeworld.com.cn/mcu/article_2018060339542.html 本網站轉載的所有的文章、圖片、音頻視頻文件等資料的版權歸版權所有人所有，本站採用的非本站原創文章及圖片等內容無法一一聯繫確認版權者。如果本網所選內容的文章作者及編輯認為其作品不宜公開自由傳播，或不應無償使用，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以迅速採取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。

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