KLA-Tencor 的新一代 TeronTM 600 光罩缺陷檢測平臺 解決了 2Xnm...

2021-01-10 婁底新聞網

【加州 MILPITAS 2009 年 9 月 14 日訊】專為半導體和相關行業提供工藝控制及成品率管理解決方案的全球領先供應商 KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC) 宣布推出了 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統。全新的 Teron 600 平臺中加入了可編程掃描機曝光功能,並且靈敏度和模擬光刻計算功能上與當前行業標準平臺 TeraScanTMXR 相比,有明顯改進,為 2Xnm 邏輯(3Xnm HP內存)節點下的光罩設計帶來了一次重大轉型。這些優勢對開發和製造2Xnm 節點的創新光罩是非常必要的。

過去,光罩設計人員首先從與目標晶圓圖形相似的光罩圖形著手,對光罩的特性(光學近似校正或 OPC)進行小範圍調整,直到獲得所需的晶圓結構為止。該方法在 2Xnm 節點處開始失效,因為 193nm 的光刻延伸至一個極端次波長範圍。因此,在 2X nm 節點上使用反向光刻技術(ILT)和源光罩優化(SMO)等模擬計算光刻技術變成可行。ILT 通常會產生一個複雜的光罩圖形和大量非常細小的結構,使光罩生產變得非常困難。更有甚者,源光罩優化(SMO)涉及到計算不均勻的掃描機光強分布。該分布旨在與 ILT 光罩一起,在晶圓上呈現最佳的光刻效果。

KLA-Tencor 光罩檢測部的副總裁兼總經理 Brian Haas 表示:「新一代 2Xnm 工藝在光罩策略上的顯著變化導致光罩缺陷檢測技術飛躍。」光罩細微結構比從 3Xnm 到 2Xnm 預計的縮小要小得多。另外,光罩圖形如此破碎,使得工程師根本無法查找光罩缺陷的位置並確定其是否可以印刷到晶圓上——可能會導致半導體廠產生嚴重的成品率損失。對於 2X nm 節點,我們必須能夠輸入一個用戶定義的掃描機曝光分布,考慮極化效應和光阻,並精確地計算光罩缺陷對晶圓的影響。Teron 600 利用了 KLA-Tencor 在模擬計算光刻方面的實力,以及我們在開發和製造 6 代光罩檢測平臺方面的經驗。因此,該系統是一個具有超高解析度和低噪聲的光罩檢測系統,專用於解決新的 2Xnm 工藝問題。這是 KLA-Tencor 的一項重大成果,我們相信,該產品將使我們的客戶和行業受益匪淺。」

Teron 600 平臺的設計旨在提高靈活性和可擴展性。該系統已成功的檢測了為 ILT / SMO、兩次成形光刻(DPL)和 EUV(光罩和空片)創建的原型光罩。系統設計考慮了延伸至潛在的 1Xnm 工藝的光學解決方案。另外,Teron 600 系列可與 KLA-Tencor 的 TeraScan 500 系列光罩缺陷檢測系統一起,以混搭的策略,為製造包括關鍵和非關鍵層在內的光罩提供一個經濟實惠的解決方案。

全新的 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統將包括多種功能,旨在用於生產高級光學光罩和開發 EUV 光罩,其中包括:

?全新 193nm 波長、更小的像素,改良的圖像處理和超低噪聲運行,從而提供高解析度的光罩平面檢測(RPI);

?模-資料庫(Die to database)和模-模(Die to die)的運行模式,可捕獲各種布局的模和切割道的缺陷;

?晶圓平面檢測(WPI)用於預測光罩缺陷的可印刷性,通過光阻閾值,次波長衍射和極化效應模擬來實現;

?全新的用戶設置掃描機曝光模型, 可在實施 SMO、ILT 或其它非標準掃描機曝光幾何形狀時,預測光罩缺陷的可印刷性;

?通過虛像平面過濾噪聲缺陷,在光罩生產過程中,促進早期工藝開發並縮短生產周期;

? Teron 和 TeraScan 平臺的兼容性,可對關鍵和非關鍵層的數據進行產能優化和有效整合。

有關 Teron 600 系列光罩缺陷檢測系統如何使光罩製造商生產2Xnm 節點無可印刷缺陷的光罩的更多信息,請瀏覽以下網站:http://www.kla-tencor.com/reticle/teron-600.html。

關於 KLA-Tencor: 

KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼:KLAC)是工藝控制與良率管理解決方案的領先提供商,它與全球客戶合作,開發先進的檢測與度量技術。這些技術為半導體、資料儲存、化合物半導體、光電及其它相關奈米電子產業提供服務。公司擁有廣泛的業界標準產品系列及世界一流的工程師與科學家團隊,三十餘年來為客戶努力打造優秀的解決方案。KLA-Tencor 的總部設在美國加利福尼亞州 Milpitas,並在全球各地設有專屬的客戶運營與服務中心。如需更多信息,請訪問網站 www.kla-tencor.com. (KLAC-P)

前瞻性聲明:

本新聞稿中除歷史事實以外的聲明,例如關於向晶片上更小的關鍵尺寸的預期技術轉移,包括市場對與此類更小尺寸相關的轉移和挑戰的接受程度;高級光刻技術的預期使用,例如,SMO、ILT、EUV 和 DPL;Teron 應對這些預期轉移相關挑戰的能力;工具延伸至 1Xnm 節點的可能性;以及 Teron 的預期性能(包括其缺陷捕捉能力以及在使用 Teron 系列過程中可以由我們的客戶實現的優點),均為前瞻性聲明,受到《1995 年美國私人證券訴訟改革法案》(Private Securities Litigation Reform Act of 1995) 規定的「安全港」(Safe Harbor) 條款的制約。這些前瞻性聲明基於當前信息及預期,且包含諸多風險與不確定性。由於各種因素,包括因成本或性能問題或其它原因導致延遲採用新技術,或可能影響我們產品實施或使用的未曾預料的技術挑戰或限制,實際結果可能與此類聲明中的預期結果實質不同。

圖片/多媒體庫可從以下網址獲得 :

http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=6049475&lang=en

# # #

投資者關係:

Ed Lockwood

投資者關係高級總監

(408) 875-9529

ed.lockwood@kla-tencor.com

媒體關係:

Meggan Powers

企業宣傳高級總監

(408) 875-8733

meggan.powers@kla-tencor.com

相關焦點

  • KLA-Tencor 宣布推出新型光罩檢測系統
    Teron SL655 檢測系統採用全新的 STARlightGold™ 技術,幫助集成電路製造商評估新光罩的質量,監測光罩退化,並檢測對成品率至關重要的光罩缺陷。Teron 檢測機臺的綜合光罩質量測量是由光罩決策中心 (RDC) 所支持的,RDC 是一套數據分析與管理系統,具備多種功能,支持缺陷的自動識別判斷,縮短生產周期,並減少影響成品率的與光罩相關的掩模圖案錯誤。
  • EUV光罩缺陷檢測設備獨苗?1臺設備近3億人民幣 !
    eoLednc而名單中,日本的一家EUV光罩缺陷檢測設備製造商——Lasertec引起了大家的關注。eoLednc據了解,從2019年初以來,Lasertec股價已經達到570%。eoLednceoLednc中國半導體行業協會官網介紹,除了光源產生難、發光過程難、成本高等挑戰外,EUV光刻機必須在超潔淨環境中才能運行,一小點灰塵落到光罩上就會帶來嚴重的良品率問題,這對缺陷檢驗等都提出了很高的要求。
  • KLA-Tencor 為先進半導體封裝推出新的系列產品
    今天,KLA-Tencor 公司宣布推出兩款新產品,可支持先進半導體封裝技術檢測:CIRCL-AP™ 和 ICOS® T830。
  • KLA-TENCOR 推出 PROLITHTM 12 新版計算光刻工具
    此新版工具讓領先的晶片製造商及研發機構的研究人員能夠以具有成本效益的方式探索與極紫外線 (EUV) 光刻有關的各種光罩設計、光刻材料及工藝的可行性。本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/88613.htm  縮小晶片上重要器件的關鍵尺寸能夠讓晶片廠生產出更快的微處理器,但在成像時用於曝光光罩的光波波長對於能夠形成的器件有最小關鍵尺寸的限制。
  • 利用基於仿真的掩模缺陷鑑定工具縮短晶圓代工廠的周轉時間
    但是,隨著半導體行業現在開始面對100nm和70nm以下亞波長特徵尺寸的量產問題,這種方法陷入了困境。光學接近校正和相移技術的採用從根本上改變了作為原來的視覺掩模檢查方法基礎的「所見即所得」模式。升級到先進檢查工具或簡單地提高現有工具靈敏度的傳統選擇也變得不可行了。現在的問題是,檢查系統標記出來而在光刻過程中可能並不會印刷到實際流片上的缺陷太多了。
  • Entegris EUV 1010光罩盒展現極低的缺陷率,已獲ASML認證
    業界領先的特種化學及先進材料解決方案的公司Entegris(納斯達克:ENTG)日前發布了下一代EUV 1010光罩盒,用於以極紫外(EUV)光刻技術進行大批量IC製造。
  • EUV吞吐量/掩膜/成本/光罩/產能/工藝步驟深度分析,臺積電、格羅方...
    第二代7nm邏輯工藝(7c)   去年,格羅方德在其技術研討會上討論了他們在EUV上的第一步動作,即在沒有保護膜的情況下使用EUV製造觸點和過孔。觸點和通孔的開口面積較小(約百分之幾),因此落在光罩上的粒子不太可能導致印刷缺陷。
  • 華虹半導體第二代90nm嵌入式快閃記憶體工藝平臺成功量產
    集微網消息,全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司今天宣布其第二代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G2 eFlash) 工藝平臺已成功實現量產,技術實力和競爭力再度加強。華虹半導體在第一代90納米嵌入式快閃記憶體 (90nm G1 eFlash) 工藝技術積累的基礎上,於90nm G2 eFlash工藝平臺實現了多方面的技術提升。90nm G2微縮了Flash的元胞尺寸,較第一代減小約25%,為目前全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式快閃記憶體技術的最小尺寸。
  • 康寧Tropel新推出光學測量系統能對LCD光罩進行全表面平坦度測量
    康寧 Tropel 公司近日宣布推出 FlatMaster(R) 1400 液晶顯示器 (LCD) 光罩平坦度測量系統。
  • 全球最新一代平板顯示器光罩廠落戶合肥
    記者1月30日從合肥市高新區獲悉,全球面板產業中最先進的光罩生產廠於當日在合肥市高新區開建,計劃明年一季度投入生產。光罩是含有電子電路精密圖形的高精度石英板。作為製造半導體和平板顯示器中的關鍵模具,光罩的用途在於將電路圖案轉移到半導體晶片和平板顯示器基板上,以製造集成電路、各種平板顯示器以及其它類型的電子和光學組件。
  • 5nm or 3nm?
    蘋果iPhone 12已經發布,採用A14晶片,5nm製程,臺積電代工,其性能也比上一代提高40%以上,詳見:《蘋果A14處理器比A12性能提升高達40%,與A13、驍龍865比呢?》。
  • Facebook 發布 Detectron2:基於 PyTorch 的新一代目標檢測工具
    雷鋒網 AI 開發者按:Detectron 是 FAIR 在 2018 年初公開的目標檢測平臺,包含了大量業內最具代表性的目標檢測、圖像分割、關鍵點檢測算法,該框架主要基於 python 和 caffe2 實現,開源項目已獲得了超 2.2w 的星標數。
  • 半導體行業:晶片設計企業的光罩成本大幅上升
    隨著晶片製程向7nm,5nm甚至3nm發展,晶片設計企業的光罩成本大幅上升。而通過系統級封裝技術如面板級扇出型封裝可以在提升晶片性能的同時大大降低企業的設計和製造成本,這種異質整合的封裝技術有望成為晶片行業新的發展趨勢。為了滿足電子產品輕薄短小的發展趨勢,未來對於基板的要求更薄,所以封裝材料中的薄基板技術(coreless,ETS和embedded)值得關注。
  • 新一代高端流式細胞分析儀BD LSRFortessa X-20面市
    近日在聖地牙哥召開的CYTO 2013年會上,BD生物科學發布了新一代高端流式分析平臺BD LSRFortessa X-20。其30英尺見方的小巧的機身,整合了最新的雷射和光學技術,可以同時配置5根雷射器,同時檢測20個參數,是多雷射多色實驗最理想的平臺,滿足高端科研用戶的需求,可謂流式細胞儀的巔峰之作。多種強力選擇創新的雷射選項包括覆蓋全光譜的各種固態雷射器。目前,提供18種波長的雷射器,橫跨從紫外到紅外全光譜範圍。
  • 近30億潛在市場規模,新一代SPR技術檢測平臺市場研究報告
    2019年,中國的量準Xlement開發了新一代3D納米SPR晶片,實現技術突破,極大降低了原有應用成本,打破分子相互 作用儀國外壟斷的格局,並開拓了新的C端應用場景。新技術的潛在用戶是誰?真實市場需求有多少?在同類產品中競爭力如何?對此蛋殼研究院基於大量市場調研數據基礎上,發布《新一代SPR技術檢測平臺市場研究報告》,以期為行業參與者提供真實的參考信息。
  • 臺灣光罩擬新臺幣2.93億元收購觸控面板控制晶片廠威達高科
    打開APP 臺灣光罩擬新臺幣2.93億元收購觸控面板控制晶片廠威達高科 工程師曾玲 發表於 2018-09-01 10:23:00
  • 紫光展銳發布新一代5G SoC T7520 採用6nm EUV工藝
    【TechWeb】2月26日下午,紫光展銳將召開2020年春季線上發布會,會上,紫光展銳推出新一代5G SoC虎賁T7520,在技術工藝、通信能力、AI、視覺能力、續航能力,安全性六大方面具有優勢。
  • 全球最大光罩公司Photronics舉行最高世代光罩廠奠基儀式
    1月30日,Photronics集團於合肥高新區舉行合肥豐創光罩(PMCH)有限公司十代光罩廠動土典禮。中國光學光電子行業協會液晶分會常務副理事長、秘書長梁新清在今天的致辭中指出,光罩是顯示面板製造的關鍵材料之一,在整個面板製造工藝中起著至關重要的作用,近年來中國顯示產業發展迅猛,對光罩的需求量逐年增加。
  • 金鑑材料分析 聚焦離子束顯微鏡(FIB-SEM)可靠性LED檢測
    1.2nm at 15kV and optimum WD 2.5nm at 1kV and optimum WD 5nm(30kV,1pA) 放大倍率 12x-1000kx 600x-500kx