mems加速度計的性能解答(六)

2020-11-29 電子發燒友

 mems加速度計的性能解答（六）

發表於 2020-04-16 16:31:19

mems加速度計的性能解答

線性度 

線性度主要是為了使加速度計有較好的線性輸出，即MEMS晶片輸出的電壓值（模擬或數字）與晶片受到的加速度值成正比。而事實上非線性因素是難以避免的，如彈簧的設計，阻尼系統的設計，可變電容結構的設計，還有信號的採集等或多或少都會產生一些非線性的效應。而MEMS加速度計的關鍵技術就是使這些非線性效應降低到能接受的程度。選用適當的機械結構設計，或研究開發一些新型的機械結構和電路結構，使實際器件的模型與理論模型更加接近將對器件的線性度有較大的提高。另外提高晶片的生產工藝對改善晶片的線性度也有重要的作用。

靈敏度與功耗 

影響晶片靈敏度取決於晶片的結構與本身產生的噪聲。對於X軸加速度計，其X軸的揉度必須大（剛度小，容易變形），而Y軸和Z軸的揉度必須小（剛度大，不易變形），以確保Y軸與Z軸的變形不致於影響小加速度對X軸產生的位移響應。這一點必須從機械結構的設計和晶片加工的工藝上進行改善與優化。而噪聲的改善則是工藝水平所決定的因素。 功耗是影響晶片應用範圍的一個重要因素，要使MEMS晶片市場化，MEMS加速度晶片就應該向手持設備進軍，因此必須降低晶片的功耗。lw

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