MT47H64M16NF-25EAIT_MICRON快閃記憶體晶片型號定義

2021-01-08 邯鄲之窗

MT47H64M16NF-25EAIT_MICRON快閃記憶體晶片型號定義本文導讀：適用於大多數移動/存儲卡使用場景。此外與上一代美光3DNAND一樣，晶片外圍的大部分邏輯組件，也是通過陣列下COMS（簡稱CuA）工藝製造的。結合兩方面的優勢，美光預估其176層512Gbit裸片的厚度，將較三星等競爭對手再精簡30%左右。性能方面，其支持1600MT/s的接口，高於96/128層3DNAND的1200MT/s。讀寫延遲方面，分別較96/128層NAND改善了35%/25%以上。總體混合工作負載方面，176層3DNAND也較96層UFS3.1模組領先15%左右。美光現已開始176層3DNAND的量產，首批顆粒已在英睿達（Crucial）品牌的消費級SSD產品中得到使用。儘管美光尚未有哪些型號已在使用（大部分還是128層）。但我們有望在明年迎來更多3DNAND存儲晶片替換。

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MT46V64M8TG-5B AIT J D9NGW

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下半年蘋果iPhone也加入了競爭行列，據StrategyAnalytics預計，2020年全球5G智慧型手機銷量將激增1300%，達到創紀錄的2.5億臺。5G手機的高速發展，並從高端機向低端機不斷滲透，使得對存儲各方面都提出了更高的要求，美光uMCP5是將LPDDR5與UFS3.1封裝在一起，滿足當下5G手機的發展。美光uMCP5實現了整體性能的提升，因為與LPDDR4相比，LPDDR5功耗降低了近20%，速度增加了50%；UFS3.1比其前代UFS2.1功耗減少40%，順序讀性能提高了一倍，寫入速度加快了20%。在使用壽命方面，美光uMCP5的耐用度提升了約66%，可以允許5,000次擦寫，而不會降低設備性能。

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MT46V64M8CY-5B IT ES J Z9MLN

MT47H64M16NF-25EAIT_MICRON快閃記憶體晶片型號定義並管理NAND、SSD和3DXPoint等產品。在描述XPoint的時候，Mehrotra的幻燈片重複了初那個有爭議的XPoint觀點：10倍DRAM密度；1000倍的NAND耐用性，速度比NAND快10000倍。美光向中國存儲網記者表示，明年將交付NVMe客戶端SSD，並通過NV-DIMM-N設備想永久內存轉移。Micron還承諾在今年下半年推出1YnmDRAM，並且還談到了未來的1Znm工藝的優化、1αnm、技術集成和1β模塊集成，並向中國存儲網記者表示Micron已經有了清晰且自信的DRAM技術路線圖，在多個節點上都有並行的進展。96層NAND是Micron的第三代產品。美光宣稱將利用ReplacementGate(RG)、CMOS陣列技術以及新的電荷陷阱單元技術、領先的裸片尺寸和性能特點。

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