Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術的先進性

2021-01-08 電子產品世界

Vishay在官方網站上發布Power Metal Strip®分流電阻如何應用在定製產品中的解決方案的視頻介紹

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/108709.htm

賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用於定製產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻。

這個新視頻展示了Vishay的Power Metal Strip分流電阻在電子轉向助力和電動汽車牽引驅動中的無刷直流電機、車用鋰離子電池以及電錶等汽車和工業應用中的優點。

器件具有業界領先的性能規格，包括20mΩ的超低阻值、200ppm/℃的電阻溫度係數，和低至3 µV/℃的熱電動勢(EMF)。

除標準外形尺寸外，Vishay Dale還提供非標產品尺寸和端接配置，使設計者在新興應用中能順利完成設計。

欲觀看該視頻，請訪問
http://www.vishay.com/landingpage/videos/overview_shuntresistor_capability.html。

Vishay還提供了Power Metal Strip電阻的在線產品手冊。欲查看該手冊，請訪問http://www.vishay.com/doc?49677 。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的「財富 1,000 強企業」，是全球分立半導體（二極體、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC）和無源電子元件（電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器）的最大製造商之一，這些元件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑藉產品創新、成功的收購戰略，以及「一站式」服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
Power Metal Strip®是Vishay Intertechnology, Inc.公司的註冊商標。

 


相關焦點

  • Vishay發布針對ENYCAP混合儲能電容器CV脈衝充電的應用和技術筆記
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在公司網站上發布新的應用和技術筆記，幫助設計者使用獲獎產品 - 196 HVC ENYCAP™系列混合儲能電容器
  • Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET
    （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V電壓下的導通電阻分別低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移動電子設備的效率。
  • Vishay VEML6070紫外光傳感器 提供更高的紫外光感度 更智能的保護
    更多詳情，敬請訪問 http://www.mouser.cn/new/vishay/vishay-veml6070-sensor/。
  • Vishay推出PowerPAK SC-75封裝p通道功率MOSFET系列
    這兩款 8V 器件均包含低至 VGS = 1.2V 的導通電阻規格，由於無需電平位移電路，因此可使設計人員降低空間要求、功耗及解決方案成本。這些新產品還包括兩款 -20V 器件 － 單通道 SiB411DK 與雙通道 SiB911DK。在 4.5V 柵極驅動時單通道器件的導通電阻範圍介於 0.052 歐姆～0.066 歐姆。
  • Vishay推出光通量高達2160流明的新款LED照明面板
    本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/110090.htm　　除了4x6 LED面板，開發套件還包括反射鏡和驅動器模塊，為設計者提供了設計所需的基本工具，讓開發者可以集中精力將照明產品快速上市，同時採用高能效、符合環保要求、長壽命的LED照明技術。
  • Vishay 推出63V額定電壓及22?F電容的固體鉭晶片電容器
    目前，新型 63V T97 的樣品及量產批量已可提供，可根據客戶要求而給定可靠性篩選的級別。大宗訂單的供貨周期為 7～10 周。          詳情見：http://www.vishay.com。
  • Vishay擴展其超高可靠性貼片電阻的阻值範圍
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴大了符合美軍標MIL-PRF-55342認證的E/H薄膜貼片電阻的阻值範圍，推出增強型E/H貼片電阻。該系列電阻採用緊湊的2208、2010和2512外形尺寸。
  • Vishay擴大MC系列專業和精密薄膜片式電阻
    (NYSE股市代號：VSH)宣布，推出採用0402和0603外形尺寸的具有更低歐姆值的產品，擴充其MC系列專業和精密薄膜片式電阻。這些改進後的器件可為各種各樣的電子系統提供穩定的性能。採用0603外形尺寸的專業和精密系列電阻可以提供低至1Ω的更低阻值，TCR為±50ppm/K和±25ppm/K，容差為0.5%。　　VishayBeyschlag電阻非常適合需要重點考慮可靠性和穩定性的應用，包括傳感器、電子稱、電橋和精密放大器等工業電子產品，引擎控制單元、變速箱控制、車身電子、安全系統、電源和剎車系統等汽車電子，電池管理、測量控制和轉向技術，通信基站及醫療設備。
  • Vishay 威世 – 提供低等效串聯電阻的小尺寸鉭電容器
    Vishay Intertechnology的T55和TR3系列鉭電容器為開發人員提供了兩種選擇，可將具有低等效串聯電阻的電容器集成到系統設計中。Vishay最近擴展了T55系列vPolyTan表面貼裝聚合物鉭貼片電容器，推出D外形尺寸（EIA 7343-31）的新器件。
  • Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET
    器件採用PowerPAK SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值係數達到同類產品最佳水平賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1．7 mW。
  • Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
    日前推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在可攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，佔位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
  • Vishay提供免費Joule School在線脈衝能量計算器
    Vishay宣布，在Vishay網站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈衝能量計算器。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/118403.htm　　Vishay新的Joule School在線脈衝能量計算器使設計者能夠確定在其應用中在電阻上通過的脈衝能量。
  • Vishay推出用於導電膠合的採用金端接的新款精密薄膜片式電阻
    (NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出採用金端接，用導電膠合的新系列精密薄膜片式電阻。MC ATAU系列的外形尺寸為0402和0603，可在+ 155 ℃高溫下工作，具有±0.1%的嚴格公差和±15ppm/K的TCR。
  • Vishay OSOP系列SMD雙路直排式薄膜網絡電阻的新款型號具有更高精度
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的符合JEDEC MO-137 variation AB和AE的16pin和24pin版本，擴充其採用25mil引腳間距QSOP封裝的OSOP系列表面貼裝雙路直排式薄膜網絡電阻
  • Vishay推出 P通道功率MOSFET
    這兩款 8V 器件均包含低至 VGS = 1.2V 的導通電阻規格，由於無需電平位移電路，因此可使設計人員降低空間要求、功耗及解決方案成本。這些新產品還包括兩款 -20V 器件 － 單通道 SiB411DK 與雙通道 SiB911DK。在 4.5V 柵極驅動時單通道器件的導通電阻範圍介於 0.052 歐姆～0.066 歐姆。
  • Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和...
    器件採用PowerPAK® SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值係數達到同類產品最佳水平         賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至
  • Vishay推出高效80 V MOSFET,導通電阻與柵極電荷乘積即優值係數...
    Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來提高功率轉換拓撲結構和開關電路的效率，從而節省能源，其導通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉換應用中MOSFET的重要優值係數（FOM）為129 mW*nC，達到同類產品最佳水平。
  • Vishay SMD薄膜電阻E/H系列,具有每1000小時0.001%的「S」級失效率
    (NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其通過MIL-PRF-55342認證的E/H系列SMD薄膜電阻，具有每1000小時0.001%的「S」級失效率, 共有12種外形尺寸可供選擇。QPL器件經過認證後的TCR特性為E、H、K、L和M。