Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET

2020-12-05 電子發燒友

Vishay推出具有業內最低RDS(on)的P溝道MOSFET

發表於 2014-01-22 10:33:22

　　2014 年 1 月22 日,賓夕法尼亞、MALVERN —— 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si7157DP在-10V和-4.5V電壓下的導通電阻分別低至0.0016Ω和0.0020Ω，可提高移動電子設備的效率。

　　Si7157DP適用於筆記本電腦的電源管理中的負載和電池開關。現在的設計師承受著讓這些器件更薄更輕的壓力，這意味著要減小電池尺寸，進而縮短使用壽命。與此同時，圖形處理和Wi-Fi等功能又在增加對電池的使用，使得電源效率成為設計的首要目標。

　　Si7157DP的低導通電阻使設計者能夠在其電路裡實現更低的壓降和傳導損耗，更有效地使用電能，並延長電池壽命，尤其是在峰值負載下，同時其小尺寸6.15mm x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝佔位面積可節省寶貴的PCB空間。器件在峰值電流下的低壓降還提供了欠壓鎖定電平以上更大的電壓裕度，有助於防止在帶負載時下出現不希望的欠壓鎖定情況。

　　Si7157DP進行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無滷素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。像其他Vishay Siliconix P溝道Gen III MOSFET一樣，Si7157DP採用最先進的工藝技術製造，把10億個電晶體元胞放進1平方英寸的矽片裡。有關公司P溝道Gen III MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

　　新款P溝道MOSFET現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十六周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的「財富1000 強企業」，是全球分立半導體（二極體、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑藉產品創新、成功的收購戰略，以及「一站式」服務使Vishay成為了全球業界領先者。

打開APP閱讀更多精彩內容

聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容圖片侵權或者其他問題，請聯繫本站作侵刪。 侵權投訴

相關焦點

  • Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET
    器件採用PowerPAK SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值係數達到同類產品最佳水平賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至1．7 mW。
  • Vishay推出業內最低導通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和...
    器件採用PowerPAK® SO－8單體封裝，柵極電荷與導通電阻乘積優值係數達到同類產品最佳水平         賓夕法尼亞、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc．宣布，首度推出－30 V p溝道功率MOSFET－－－SiRA99DP，10 V條件下導通電阻降至
  • Vishay推出採用PowerPAK 1212 8S封裝的-30 V P溝道MOSFET
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p溝道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件採用熱增強型3.3 mm
  • Vishay推出PowerPAK SC-75封裝p通道功率MOSFET系列
    Vishay推出PowerPAK SC-75封裝p通道功率MOSFET系列
  • Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
    (NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其採用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。日前推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在可攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，佔位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
  • 英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET
    英飛凌科技股份公司近日宣布推出採用先進溝道工藝製造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產品系列。全新的40V OptiMOS P2產品為能效改進、碳減排和成本節約樹立了行業新標杆，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領域的領導地位。
  • Vishay推出 P通道功率MOSFET
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出採用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率 MOSFET 系列，該系列包括額定電壓介於 8V～30V 的多個器件，這些是採用此封裝類型的業界首批具有上述額定電壓的器件。
  • Vishay推出業內最低電感及最低DCR的新型環形高溫電感器
    2008年5月16日，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型環形高電流、高溫電感器TJ3-HT ，該器件具有業內最高額定及飽和電流以及最低電感和DCR。
  • Vishay 推出63V額定電壓及22?F電容的固體鉭晶片電容器
    Vishay 推出63V額定電壓及22?12 18:18      Vishay推出具有
  • 恩智浦NextPower MOSFET具有行業最低RDS (on)
    這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，並且具有行業最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/119977.htm　　事實/要點：　　· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個參數方面性能表現優異：　　低RDS (on) —— 擁有行業最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有
  • UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET
    打開APP UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的DFN 8x8格式FET UnitedSiC 發表於 2020-02-05 13:24:13
  • Vishay推出新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET
    (NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET®技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業內最低的導通電阻。
  • Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件
    Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀錄的導通電阻性能和導通電阻與柵極電荷乘積指標。
  • P溝道和N溝道MOSFET在開關電源中的應用
    為選擇最適合電源應用的開關，本設計實例對P溝道和N溝道增強型MOSFET進行了比較。JQrednc對市場營銷人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的縮寫。
  • 4953mos管雙P溝道增強型MOSFET電晶體
    4953 mos管雙P溝道MOSFET單P溝道MOSFET 4953內部包括兩個獨立的、P溝道金屬氧化物場效應管。它有超低的導通電阻RDS（ON），適合用LED顯示屏，LED顯示器驅動，也可用來做負載開關或PWM開關應用領域　　LED顯示屏，LED顯示器，負載開關或者PWM開關。
  • Vishay推出具備優異導通性能且經過AEC-Q101認證的100V汽車級P溝道...
    打開APP Vishay推出具備優異導通性能且經過AEC-Q101認證的100V汽車級P溝道MOSFET Vishay 發表於 2021-01-11 12:01:50
  • Vishay發布針對ENYCAP混合儲能電容器CV脈衝充電的應用和技術筆記
    本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201606/293192.htm　　196 HVC ENYCAP系列具有出眾的靈活性和更強的充放電性能，可用於能量採集和備用輸電線。
  • Vishay幫助客戶進一步了解Vishay Dale電阻技術的先進性
    （NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用於定製產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Strip®分流電阻的流媒體視頻。
  • 4H-SiC MOSFET性能新紀錄!
    0.3μm溝道、2.5μm柵漏間距實現了7.7mΩ-cm2導通電阻和450V擊穿電壓。研究成果發表在IEEE Transactions OnElectron Devices。在功率集成電路應用中，由於SiC具有3MV/cm擊穿臨界電場，比矽大一個數量級，SiC器件正在尋求取代成熟的矽技術。SiC基器件面臨的一個挑戰是如何同時實現低導通電阻與高擊穿電壓。
  • Diodes推出新型P通道MOSFET
    Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，並滿足空間局限的可攜式產品設計要求，如智慧型手機及平板計算機等。