恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布，其採用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個關鍵參數方面找到了最佳平衡點，並且具有行業最低的RDS (on) (25V和30V均為亞1 mΩ級)，是高性能、高可靠性開關應用的理想之選。傳統方法主要著眼於降低RDS (on) 和Qg，而恩智浦NextPower則採用超結技術來優化低RDS (on)、低Qoss、低Qg(tot) 與Qgd之間的平衡，從而實現強大的開關性能，減少漏極輸出與源極引腳之間的損耗，同時提供卓越的SOA性能。此外，恩智浦LFPAK作為最堅固的Power-SO8封裝，尺寸緊湊，面積僅為5mm x 6mm，可在惡劣環境下提供出色的功率開關功能。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/119977.htm事實/要點：
· 恩智浦NextPower系列25V和30V MOSFET在以下六個參數方面性能表現優異：
低RDS (on) —— 擁有行業最低RDS(on)的Power-SO8封裝產品 —— 在SYNC FET或功率OR-ing應用下具有I2R損耗低、性能出色的特點
低Qoss，有利於減少漏極與源引腳之間的損耗，當輸出引腳上出現電壓變化時，還可減少輸出電容 (Coss) 中存儲的損耗能量
低Miller電荷 (Qgd)，有利於減少開關損耗和高頻開關次數
SOA性能可以極好地承受過載和故障條件
低柵極電荷 (Qg) 可以減少柵極驅動電路中的損耗
出色的額定結點溫度Tj(max)，堅固型Power-SO8 LFPAK封裝則為條件惡劣且對可靠性要求較高的環境提供了保障
· 主要應用領域包括同步降壓穩壓器、DC-DC轉換、穩壓器模塊和功率OR-ing
積極評價：
· 恩智浦半導體功率MOSFET部營銷經理Charles Limonard表示：「在25V和30V條件下實現行業最低的RDS (on)，這只是其突出表現的一部分。最新NextPower器件的真正突破在於，我們還可以控制MOSFET行為的各個方面——超越導通電阻和柵極電荷——為開關應用帶來高性能、高可靠性和最大功效。」