恩智浦推出業界首款採用LFPAK56(Power SO-8)封裝的雙極性電晶體

2021-01-09 電子產品世界

　　恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)日前推出首款採用5mmx6mmx1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD電源塑封的雙極性電晶體。新組合由6個60V和100V低飽和電晶體構成，集極電流最高為3A(IC)，峰值集極電流(ICM)最高為8A。新型電晶體的功耗為3W(Ptot)，VCEsat值也很低——其散熱和電氣性能不亞於採用大得多的電源封裝(如DPAK)的雙極性電晶體，其佔用面積也減少了一半。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/233935.htm

　　恩智浦LFPAK封裝採用實心銅夾片和集極散熱片設計，這是實現如此之高功率密度的基礎，因為這種設計大幅降低了封裝的電阻和熱阻。LFPAK同時還消除了眾多競爭DPAK產品中使用的焊線，使恩智浦得以大幅提高機械堅固度和可靠性。

　　新款LFPAK56雙極性電晶體經過AEC-Q101認證，適用於多種汽車應用，最高支持175°C的環境溫度。這些新型低VCEsat電晶體還可用於背光、電機驅動和通用電源管理等應用。今年，新的雙極性電晶體組合將不斷推出新品，包括採用LFPAK56D封裝的雙電晶體以及採用LFPAK56封裝的6A、10A和15A高電流型號。

　　恩智浦半導體電晶體部產品經理Joachim Stange表示：「我們相信，恩智浦LFPAK封裝將成為雙極性電晶體領域緊湊式電源封裝的標準——就如恩智浦LFPAK如今成為MOSFET行業標杆一樣。汽車市場尤其需要採用這種封裝的雙極性電晶體，這為開發出小尺寸、高功率密度和高效率的模塊奠定了基礎。」

　　上市時間

　　採用LFPAK56封裝的新型雙極性低VCEsat電晶體即將量產上市，產品型號包括：PHPT60603NY/PHPT60603PY、PHPT61003NY/PHPT61003PY和PHPT61002NYC/PHPT61002PYC。

　　採用LFPAK56D封裝的雙電晶體以及6A、10A和15A的高電流型號將從2014年第二季度開始發布。

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