雙極性電晶體,英語是「Bipolar Transistor」,全稱為「雙極性結型電晶體」,英語Bipolar Junction Transistor,簡稱BJT。由於雙極性電晶體是一種具有三個終端的電子元器件,它也被俗稱為三極體。
雙極性電晶體發明於1947年,作為電子產業歷史上非常具有革命意義的一項發明,雙極性電晶體的發明者William Shockley、John Bardeen和Walter Houser Brattain被授予了1956年的諾貝爾物理學獎。
之所以被稱為「雙極性」電晶體,是因為這種電晶體的工作同時涉及電子和空穴兩種載流子的流動。也因此,它也被稱「雙極性載流子電晶體」。
與場效應管的單極性電晶體不同,場效應管的工作方式僅涉及單一種類載流子的漂移作用,而兩種不同摻雜物聚集區域之間的邊界,則由PN結形成。
「雙極性電晶體」由三部分摻雜程度不同的半導體組成,其電晶體中的電荷流動主要是由於載流子在PN結處的擴散作用和漂移運動。
例如NPN電晶體,按照設計,高摻雜的發射極區域的電子,通過擴散作用運動到基極。
在基極區域,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。由於基極區域很薄,電子通過漂移運動到達集電極,形成集電極電流,因此,雙極性電晶體被歸為「少數載流子」設備。
雙極性電晶體能放大信號,而且它也具有比較好的功率控制、高速工作以及耐久性,所以雙極性電晶體常被用來組成放大器電路,被廣泛地應用在了航空/航天工程、機器人、醫療器械等領域產品中。
來源:OFweek維科號 作者:博科觀察
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