Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻

2020-12-05 電子產品世界

　　2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴充其採用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。日前推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在可攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，佔位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

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　　對於電源管理中的負載和電池開關，以及智慧型手機、平板電腦、移動計算設備、硬碟驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用裡的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的湧入電流，可用於負載開關。

　　器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降，更有效地使用電能，並延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對於小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或「自舉」器件，簡化了柵極驅動的設計。

　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無滷素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

　　器件規格表：

　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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