羅芬雷射，世界領先的工業雷射器和雷射系統製造商推出前道工序（FEOL）處理交鑰匙解決方案，進入半導體市場。新的雷射晶圓處理系統Waferlase®200/300/450，是一個全自動的模塊化平臺，包含市場領先的（超）薄半導體晶片傳送系統，以及可以根據應用的類型選擇雷射處理模組。Waferlase®200/300/450（8」/12」/18」wafer size）產品系列從提供IGBT晶圓雷射退火和雷射晶圓ID 軟打標方案開始。
領先的超薄晶片自動化傳送技術
羅芬集成了上接觸晶圓傳送技術，即使晶片有較大的翹曲和彎曲，也能提供精確的無接觸式超薄晶圓傳輸。為開放式標準晶舟或FOUP晶片承載系統，配有兩個或多個標準盒埠。集成的掃描頭，檢測晶片在晶舟的精確位置。全面而易於使用的系統軟體控制晶舟slot的分配，晶片彎曲測量，晶片位置以及ID檢測，甚至由於萬一晶圓損壞處理而會自動改變晶片拾取和放置的順序，例如由於大面積的或相鄰晶圓的相反方向的彎曲。一個高端的雙臂機器人負責裝卸晶片。前置校準器（對邊器）對wafer中心和邊緣排列晶片。末端受動器和前置校準器之間的「真空握手」區域，包含的矽片保護裝置，以確保其背面無損傷傳送。因此，羅芬Waferlase®200/300/450將高端的技術和先進的控制軟體集成其中，在幾乎可以忽略不計的矽片破損率下確保最大生產量.
IGBT 晶圓雷射退火
由於IGBT相比與其他電晶體器件相比有顯著的優勢，如高電壓能力，導通電阻低，易於驅動，開關速度快，耐用性等，絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）的市場正在不斷增長。
這個市場增長的關鍵因素之一，是由於在汽車和工業應用領域，包括可再生能源，通訊，醫療，照明和交通運輸的需求大幅增加。
IGBT是在一個標準的厚度為100微米或更小的機械化變薄的晶片上製造出來的。為了在晶片的背面形成場闌和/或發射極層，深層注入的摻雜元素（如磷或硼），必須高溫退火的過程中被激活，直到FEOL的最後處理產線。很多時候，矽片正面的敏感裝置是粘膠帶保護的。由於膠帶的損傷溫度低，正面裝置的熱感應器，以及在處理腔中不均勻的熱分布，使常規烤箱激活水平低和速度慢。羅芬雷射退火工藝已經能夠克服這些問題，工藝穩定性明顯更高，並且生產成本低，晶片質量優。雷射退火能夠深層激活摻雜物，同時防止損壞晶片的正面和保護帶。雷射允許在最多2微米範圍內，為場闌和/或發射極層的激活的精準深度控制。 羅芬IGBT雷射退火方法激活率超過90％，遠遠優於傳統的方式。
矽片打標
羅芬Waferlase®200/300/450系統可在透明，半透明，不透明的晶圓材料上打上可追蹤ID標記。有兩種方法 – 雷射硬打標和軟打標 - 這是根據打標的處理方式，深度和位置的不同所決定的。在潔淨室環境中的雷射軟打標，可由矽晶片表面的熔化實現。
羅芬正在申請的專利新技術，使用戶可以精確的控制打標深度從小於1微米到7微米不等。雷射軟打標過程使用一個特製的IC打標雷射源，其波長為532 nm。這種專用的解決方案，實現了高對比度，對標記小字符具有優異的表現。