三極體和MOS管在選型時需注意哪些參數

2020-12-05 電子發燒友

三極體和MOS管在選型時需注意哪些參數

悟空問答 發表於 2019-10-03 09:51:00

電子元器件都有電氣參數，在選型時要給電子元器件留夠餘量才能保證電子元器件穩定、長久的工作。藉助這個題目簡單介紹一下三極體和MOS管的選型方法。

三極體是流控型器件，MOS管是壓控型器件，兩者存在相似之處，在選型時需要考慮耐壓、電流等參數。

1.根據最大耐壓選型

三極體的集電極C和發射極E之間所能承受的最大電壓參數為V（BR）CEO，工作時CE之間的電壓不能超過規定的數值，否則三極體會永久性損壞，以9013為例VCEO為25V，即CE之間最大不能超過25V。

MOS管在使用時漏極D和源極S之間也存在最大電壓，MOS管在工作時DS兩端的電壓不能超過規定值。一般而言MOS管的耐壓值比三極體的耐壓值高很多。

2.最大過電流能力

三極體有ICM參數，即集電極的過電流能力，MOS管的過電流能力用ID來表示。電流工作時流過三極體/MOS管的電流不能超過規定值，否則器件被燒壞。

從工作穩定性考慮，一般要留有30%-50%，甚至更多的餘量。

3.工作溫度

商業級晶片：一般範圍為0至+70℃；

工業級晶片：一般範圍為-40至+85℃；

軍工級晶片：一般範圍為-55℃至+150℃；

要根據產品的使用場合選擇合適的晶片。

4.根據開關頻率選擇

三極體和MOS管都有開關頻率/響應時間的參數，如果是用在高頻電路中必須考慮開關管的響應時間是否滿足使用條件。

5.其他選型條件

如MOS管的導通電阻Ron參數，MOS管的VTH開啟電壓等。

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